Приветствую коллеги!
Не ради наживы и существенной практической пользы, а ради понимания "как все устроено" и попытки попрактиковаться в пайке многоножек решил поэкспериментировать с SDR SDRAM DIMM. Эксперименты не удачные на текущий момент оба.

Эксперимент 1.
Было 3 одинаковых DIMM объемом 128Мб. Односторонних. На стороне 4 чипа Hynix HY57V561620BTH.
Почему бы из 2-х не сделать один объемом 256Мб.
Оригинальная прошивка Hynix 128Mb.bin

Composition (микросхема памяти)
16Mbit x16bit (4Mbit x16bit x 4 banks)
Die Density / Count (микросхема памяти)
256 Mbit / 1 die

Capacity (модуля)
128 MB (4 components)
Organization (модуля)
16M x64 (1 rank)

При увеличении с 4 микросхем до 8 на одной стороне поменял число Ranks в DIMM с 1 на 2 по адресу 05h.
Также скорректировал контрольную сумму по адресу 3Fh.
Скорректированная прошивка Переделанный в 256Mb Hynix.bin.

В результате стало:
Composition (микросхема памяти)
16Mbit x16bit (4Mbit x16bit x 4 banks)
Die Density / Count (микросхема памяти)
256 Mbit / 1 die

Capacity (модуля)
256 MB (8 components)
Organization (модуля)
32M x64 (2 rank)

Не заработал на i815EPB - ошибка POST C1, длинные гудки.
Что не так?

Эксперимент 2.
Было 6 ECC регистровых PC133 двухсторонних 512Mb модулей. 18 чипов Samsung K4S560432B.
Прошивка SPD Samsung K4S560432B 133МГц Регистровая ECC.bin
Возникло желание сделать из них обычные.
Сдул все 18 чипов.
Взял двухсторонний донор на 16 чипов со следующей оригинальной прошивкой ACE EC84404 38T47 100МГц.bin

Было на доноре платы:
Composition (микросхема памяти)
16Mb x4 (4Mb x4 x 4 banks)
Die Density / Count (микросхема памяти)
64 Mbit / 1 die

Capacity (модуля)
128 MB (16 components)
Organization (модуля)
16M x64 (1 rank)

Было на доноре чипов:
Composition
64Mb x4 (16Mb x4 x 4 banks)
Die Density / Count
256 Mb / 1 die

Capacity
512 MB (18 components)
Organization
64M x72 (1 rank)

16 микросхем взял с донора чипов и напаял на донор платы, заменив чипы памяти.
За основу взял прошивку донора чипов.
По адресу 06h заменил значение с 48h(72bit) на 40h(64bit).
По адресу 0Bh заменил значение с 02h(ECC) на 00h(обычная память без коррекции ошибок).
По адресу 0Eh заменил значение с 04h(Error Checking SDRAM Width:4bit) на 00h(обычная память без коррекции ошибок).
По адресу 15h заменил значение с 1Fh(Registered DIMM) на 00h(обычная Unbuffered, не буферизованная память).
Также скорректировал контрольную сумму по адресу 3Fh.

Не заработал на i815EPB - ошибка POST C1, длинные гудки.

После фена волной (хотя практически каждый контакт отдельно) были пропаяны все контакты. Что не так делаю в этом случае?

Все упоминаемые файлы в архиве: http://propretor.narod.ru/Temp/pack.zip