Как обстоят дела? запускал UCCC на 3.3В? не сгорело?

Allert все сделано. Собираюсь с мыслями. Завтра. Сегодня просто гонял проц под водой.

Вот что я нашёл про них:

Упаковка FBGA-60(чипы без ножек), дефолтовые задержки 3-3-3-8, при производстве (вроде) используется свинец. Разрешённый вольтаж 2.6 +-0.1В.

Даташиты: http://www.samsung.com/Products/Semicon ... _rev11.pdf

и

http://www.samsung.com/Products/Semicon ... 8e-xc4.ibs

Моё мнение - память наверняка (70%уверенности) производится по 0.13мкм.
Т.к. память - ближайший родственник серии UCCC и TCCC, то она вряд ли держит низкие задержки на высоких частотах. Но уверенности нет, т.к. упаковка маленько другая

Allert запускал на 3.3В свои УССС. Нагрелись сразу как грелки. Пока не сооружу охлаждение - никаких экспериментов =)

Т.е. сразу после ПОСТа что ли? нифигасебе!


====
У тебя профиль корретный? нафик гонишь память на первых бета БИОСах?

Аська есть?

Allert
На GCCC делают модули DDR2

Ещё один...

...-GCCC:


...-GC... - упаковка чипа FBGA60.

...СС - задержки 3-3-3-8 на 200мгц.

Allert до маздая дошла. загрузилась и я выключил

А кто-нить пользовал гектарный модуль Samsung Orig. [UCCC] ? Какие он результаты показал?

Нифига! 16 чипов с двух сторон? да ещё и UCCC? Наверное не очень хорошо.

Allert
Что, так плохо?

Darth Vader он имеет в виду, что ТССД было бы лучше

Добавлено спустя 4 минуты, 51 секунду:
=)))

NightXRay


Ты эт к чему? Я знаю что ТССД получше будет! Но спрашиваю про УССС.
Я думаю что взять 1024 ТССС (16) или 1024 УССС (16), склоняюсь пока к УССС.

Бери UCCC - хоть посмотрим, насколько она хуже/лучше планки 512Мб. (мне UCCC совсем не нравилась(512). 1 достоинство - на номинальном напряжении мало грелась)

Allert
Эксперименты на мои деньги...Интересно!

====
Ага

Darth Vader это был прикол, ты неправильно понял. =)

Глянь в мой профиль, что интересно, на номинальных таймингах до DDR440, при повышении двух средних до 4 резко до DDR500 и может быть и больше, просто времени нет толком погонять