Народ поясните, я что-то не пойму как оперативка может быть 66 недели выпуска?
#77

БУНТАРЬ В SPD можно и не такое увидеть

Это не только в СПД, но и на наклейках бывает.

БУНТАРЬ SPD сама не определяет когда была выпущенна память, а только показывает то, что в нее было записанно.

А записывают в них, даже такое
#77

Shurik Dribenetc Забыл добавить что это СПД планки на BH-5

была у меня одна планка UCCC работала
на 275МГц
решил подбавить мозгов
взял еще одну такую же недавно
она только на 245 работает
буду менять

Max_I'm ну искать такую надо упорно =)

NightXRay
первую планку вообще без отбора брал

кстати быстрее всего ошибки проявляются в пятом тесте memtest86+

Max_I'm это факт про мемтест. А с первой повезло, НО не забывай, что в двухканале разгон падает.

для меня это было открытие
рещил поделиться
видимо никого не удивил

ясный перец
но думаю он падает пропорционально значению частоты работы каждой планки в отдельности в сингл режиме

ну это да, но даже 2 одинаковые оперативки вместе работать на более низкой частоте.

NightXRay

бесспорно

Скажите пжлста как необходимо гнать Гнусмас 2*256 на TCCC чипах, для достижения максималной производительности? У меня они максимум что выжимают это 2,5-3-3-3-8 на 420мгц, 3-3-3-8 на 440мгц 3-4-4-8 на 470, поднятие напруги ничего не даёт, валятся ошибки... тайминги ниже 2,5-3-3 не идут, хотя ниже 320мгц их не заводит. Вопрос: можно ли как-то прогать эти плашки сильнее, не поднимая напряжения выше 2,85? Темпа в норме до 38 в бурне, так что охладждать не надо. Инфа про плашки такова:
Свойства модуля памяти
Имя модуля Samsung M3 68L3223ETM-CCC
Серийный номер 430975D3h
Дата выпуска Неделя 50 / 2003
Размер модуля 256 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh

Тайминги памяти
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Функции модуля памяти
Early RAS# Precharge Не поддерживается
Auto-Precharge Не поддерживается
Precharge All Не поддерживается
Write1/Read Burst Не поддерживается
Buffered Address/Control Inputs Не поддерживается
Registered Address/Control Inputs Не поддерживается
On-Card PLL (Clock) Не поддерживается
Buffered DQMB Inputs Не поддерживается
Registered DQMB Inputs Не поддерживается
Differential Clock Input Поддерживается
Redundant Row Address Не поддерживается

Cramer играй с параметрами MAL и RP. Так же пробуй обдув.

Столкнулся с такой проблемой: комп стал вылетать при игре в обливион (большая нагрузка), начинается "тормозня" и вылет.
При сбросе разгона с памяти глюки прекращаются. Связываю это с потеплением т.к. раньше таких глюков не было.
Насколько целесообразно применение пассивного охлаждения? На ощюпь чипы не очень горячие, сильно греется сам слот.

Cramer Samsung TCCC славится очень плохим разгоном и поделать с этим ни чего нельзя.
БУНТАРЬ Ну так попробуй поставь на неё обдув и сразу все станет ясно.

Отлично, я и сам давно хочу избавится от неё. Думаю брать Samsung SEC-1 надеюсь попадутся D серии(поколения или как там их называют) UCCC чипы.

А лучше надейся, а ее лучше ищи, рев. С!!! Д - фтопку.

Хмм... я думал что Д лучше, т.к это поколение старшне..(с-4е, Д-5е). Просто в FAQ по гиговым модулям написано что Д приоритетней... Один фиг, что попадётся никто не знает, даже если ревизия С.

Cramer Знает! И в этой теме (читай внимательно) уже писали о превосходстве С над Д!