Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;
Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет? Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.
В конференции запрещается:
3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.
Последний раз редактировалось Overclock[er] 14.04.2012 19:56, всего редактировалось 3 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Королев
Palach228 писал(а):
взять RRD=4 и FAW=16
Я видел исследования, где приводится FAW = RC/2 как наиболее лучший. Поэтому, возможно (но не факт) что RRD=5 при FAW=20 и RC=40 - будет наилучшим сочетанием. Потому что "работает" или "получилось взять" - вовсе не означает "работает наилучшим образом" или "работает быстрее всего". Надо проверять.
Цитата:
FAW - Four-Bank Activation Window . Это время, которое должно пройти после активации четырех банков до активации другого банка, или иначе - это минимальное время между первой и пятой командой на активацию строки, выполненных подряд. Эта спецификация также основана на размере страницы. В большинстве случаев tFAW больше, чем произведение tRRD x 4. Эти временные параметры используются для ограничения максимального потребления тока устройствами DRAM, поэтому, хотя ресурс на устройстве DRAM не используется, эти временные параметры ограничивают скорость использования ресурса для ограничения пиковых характеристик энергопотребления на данном устройстве DRAM. Это накладные расходы на логику управления банками (banks). Параметр синхронизации tFAW был определен для указания скользящего временного интервала, в котором максимум четыре строки активаций на одном и том же устройстве DRAM могут быть задействованы одновременно. Аббревиатура FAW также расшифровывается как "четырехбанковое окно активации". Запросы на активацию строк расположены на расстоянии не менее tRRD друг от друга. Активация пятой строки в другой банк откладывается до тех пор, пока не пройдет по крайней мере период времени tFAW с момента инициации активации первой строки
Поэтому, скрутив FAW до минимума, можно найти ошибки при температуре чипов более 52-53 градуса. Потому что FAW как раз и был создан для ограничения тепловой нагрузки. ИМХО. Говоря иначе, при частых активациях строк очень высока электрическая нагрузка на цепи. Чтобы ее снизить, была введена данная задержка.
Что такое банки памяти
С целью повышения производительности в чипе памяти находится несколько независимых массивов памяти – такого рода таблиц. Называются они банками (Bank). Если при работе с одним банком можно одновременно работать только с одной ячейкой, то за счет существования независимых банков возможна параллельная работа с разными банками. Так, при записи информации в одном банке можно спокойно активировать строку в другом банке. Возможны разные реализации параллельной работы банков памяти, а стало быть, и адресации ячеек. По умолчанию они находятся один за другим. Но существует и способ чередования каналов, когда записываемая информация пишется кусками в разные банки. Такое чередование банков называется interleaving. Однако все это чередование происходит автоматически и прозрачно для процессора. То есть процессор так и будет продолжать думать, что работает с единой областью памяти, со своим адресным пространством. А вот куда физически они будут записаны, уже решает контроллер памяти. Он и определяет способ чередования (существуют разные алгоритмы). То есть это не более чем техническая реализация, удобная для хранения и работы с данными. Очевидно, что чем больше банков, тем лучше, если контроллер умеет работать с таким их числом. Модули плотностью до 64 Мбит имеют два банка. Плотностью 64 Мбита и выше – 4 банка, плотностью 1 Гбит и выше – 8 банков. Мои чипы: Размер модуля 8 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Я бы еще попробовал так: CL 11->10 RCD 12. RP 11 RAS 30->28 RC 41->40 RTP 5 RRD 5 WTR 5 WR 10 CWL 10->9 (в последнюю очередь) FAW 20 RFC 160
Если не пойдет CL=10 - повышай напряжение до 1,78В. Выше не стоит, т.к. это уже будет ненормально. (У меня 2400 работает без ошибок при 1,78В). ИМХО.
Ибо вторички никогда не дают такого же прироста, как первичные тайминги. Пожалуй, только WR дает что-то существенное.
Цитата:
tWR Write recovery time - время (в наносекундах), которое должно пройти между верной операцией записи и предварительной зарядкой другого банка. ... Меньшие значения могут существенно улучшить пропускную способность DRAM, но высокие частоты обычно требуют больших задержек.
CL=10 вот к чему надо стремиться на этой частоте. Вторички - это как бы уже внутренняя характеристика самих чипов. Они больше влияют на стабильность, чем на скорость. При ошибках по вторичкам, можно не получить профита из-за ошибок синхронизации чипа. ИМХО.
_________________ FX-8350 OC |Sapphire RX580 8Gb UV memOC |Patriot 2x8Gb DDR3-2400 CL11 |AsRock 970M Pro3 |FD Focus G Mini |DQ650-M |10Tb |ASUS VP249HR |W11 Pro 23H2
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Королев
Твоя память на FX берет тайминги 11-11-12-32 и частоту 2133 ГГц, судя по отзывам. Возможно это Spektek чипы. И возможно есть отрицательное масштабирование напряжением. Т.е. при некотором пределе, будет не лучше, а хуже с повышением напряжения. Пробуй -)
_________________ FX-8350 OC |Sapphire RX580 8Gb UV memOC |Patriot 2x8Gb DDR3-2400 CL11 |AsRock 970M Pro3 |FD Focus G Mini |DQ650-M |10Tb |ASUS VP249HR |W11 Pro 23H2
Submoderator
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Bigsun писал(а):
Я видел исследования, где приводится FAW = RC/2 как наиболее лучший. Поэтому, возможно (но не факт) что RRD=5 при FAW=20 и RC=40 - будет наилучшим сочетанием. Потому что "работает" или "получилось взять" - вовсе не означает "работает наилучшим образом" или "работает быстрее всего". Надо проверять.
Бред. Поэтому и тестируют память при изменении таймингов, чтобы убедиться в стабильности новых параметров. А FAW был придуман для ограничения токовых нагрузок, а не температуры, постыдитесь писать чушь. Память вполне неплохо функционирует и при 85 градусах.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.02.2021 Фото: 1
Получилось взять RAS->28, RC->40, CWL->9 при RRD->5. Память прошла тяжёлую конфигурацию от anta777 без ошибок. Стоит понижать WR? Ведь вместе с ним придётся понижать RTP. Или не стоит?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Королев
anta777 писал(а):
FAW был придуман для ограничения токовых нагрузок
Андрей, я очень уважаю твой труд и знания. Но именно так я и написал. Все остальное ИМХО, обрати внимание. Разве ток не вызывает нагрев? Время, конечно, имеет значение. Чем больше/чаще повышенный ток, тем больше нагрев. Это физика.
anta777 писал(а):
Память вполне неплохо функционирует и при 85 градусах.
Спорный момент. Если есть extended temperature range, то может быть. Но нормальным это я бы не назвал. Пусть будет опять ИМХО. Сомневаюсь, что, скажем Spektek будет нормально функционировать при 85 градусах. Зависит от чипа, ИМХО.
anta777 писал(а):
чтобы убедиться в стабильности новых параметров
Параметры могут быть стабильны при одной температуре, и нестабильны при другой. Верно? Сомневаюсь, что все массово проводят температурные стресс-тесты...
На моих чипах, FAW=24 (стоковое значение при 1600) показывает лучшие результаты при 2400, нежели FAW=18 или 20. А FAW=16 - не работает ни при каких комбинациях таймингов. Ни при частоте 2400, ни при 2133. Поэтому, я нахожу некорректным совет всем скручивать FAW. ИМХО! Где-то может это и работает, но, возможно, и не везде. Это не Intel, к слову -)
Palach228, при 2133 иметь wr=10 уже очень хорошо. Думаю, дальше не стоит. Вряд ли возьмет. Потести память при разных RRD / FAW. Для наглядности -)
_________________ FX-8350 OC |Sapphire RX580 8Gb UV memOC |Patriot 2x8Gb DDR3-2400 CL11 |AsRock 970M Pro3 |FD Focus G Mini |DQ650-M |10Tb |ASUS VP249HR |W11 Pro 23H2
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.10.2004 Откуда: Саранск Фото: 25
Ковырял tWR и tFAW, скидывал до 10\16 вроде, разницы с 16\30 не было даже в бенче Аиды... по крайней мере на Интеле. Из не основных сильно вляют: tREF(потому что изначально он супер низкий в 99% случаях), tRFC, tRRD(правда при <6 улучшается по 100-150мб\с при 38000мб\с, так что я на 6 остался, т.к. мемтест выдавал ошибки, а круить вольтаж из-за него не хотелось) и все троичные - на них сильно можно "подняться", т.к. в авто там обчно всё очень не очень.
tRFC, tRRD(правда при <6 улучшается по 100-150мб\с при 38000мб\с, так что я на 6 остался, т.к. мемтест выдавал ошибки, а круить вольтаж из-за него не хотелось) и все троичные - на них сильно можно "подняться", т.к. в авто там обчно всё очень не очень.
Скинь свои настройки. Попробую свои вторичные, троичные поковырять
Submoderator
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Bigsun писал(а):
На моих чипах, FAW=24 (стоковое значение при 1600) показывает лучшие результаты при 2400, нежели FAW=18 или 20. А FAW=16 - не работает ни при каких комбинациях таймингов. Ни при частоте 2400, ни при 2133. Поэтому, я нахожу некорректным совет всем скручивать FAW. ИМХО! Где-то может это и работает, но, возможно, и не везде. Это не Intel, к слову -)
Мне жаль владельцев плат, где FAW=24 быстрее, чем FAW=20. От такой платы нужно избавляться, чем быстрее, тем лучше. Это все равно, что компьютер считает, что 20>24, а не меньше, а пользователь этому радуется вместо того, чтобы скорей избавиться от такого брака.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Королев
anta777, спс, но менять буду много позже, во времена ddr5. Только при чем здесь МП? Мне видится, что все что делает МП - это тренировка памяти и задание опорной частоты на шину памяти. Синхронизацию, терминацию, распределение напряжений внутри модуля, захват сигнала, адресацию, конвертирование, тайминги - это уже сами модули и контроллер памяти. КП в процессоре. Отсюда вопрос. Так ли важна МП? Да, Bios/uefi может изменить тайминг, в процессе тренировки. Но текущие тайминги можно и проверить.
Причем эта МП позволила разогнать ddr3 до практического предела на платформе FX, судя по всем моим и чужим результатам. Почему же тогда она "брак" -)))
Я не заметил ни у кого и нигде, чтобы FAW заметно влиял на разгонный потенциал памяти. Только на стабильность. Да и в JEDEC наверное дураки сидят, ставить FAW=27 (1 Кб) для 2133, даже не для 2400. Ну, я не профессор, так что совсем не обижусь если меня кто-то поправит. Только обоснованно, а не "я знаю что это так" -)
_________________ FX-8350 OC |Sapphire RX580 8Gb UV memOC |Patriot 2x8Gb DDR3-2400 CL11 |AsRock 970M Pro3 |FD Focus G Mini |DQ650-M |10Tb |ASUS VP249HR |W11 Pro 23H2
Submoderator
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
BIOS-вот ответ. Текущие истинные тайминги проверить невозможно, биос шифрует данные, снять истинные в процессе работы невозможно, все на откуп авторам биоса. FAW-главнейший тайминг. Если материнка работает верно, то выигрыш прямо пропорционален снижению FAW (верно при RRD=4). И кто здесь говорит про разгонный потенциал. Уменьшая тайминги, ясный перец, мы всегда ухудшаем разгонный потенциал.
Память с истинными FAW=16 RRD=4 и частотой 1600 будет лучше, чем память с RRD=5 FAW=24 и частотой 2400.
P.S. На FAW не влияют никакие комбинации таймингов, кроме RRD. Попробовать снизить FAW можно, включив все фазы на память и подняв мощность питания на нее др 120%.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Королев
У меня RRD=6 при 2400, и ниже 6 никак не берет. Отсюда FAW = 4*RRD=24. Все верно, по теории. Все что ниже, исходит из процессов неполной зарядки ячеек, но это не всегда даёт выигрыш. Пусть будет ИМХО.
anta777 писал(а):
Память с истинными FAW=16 RRD=4 и частотой 1600 будет лучше, чем память с RRD=5 FAW=24 и частотой 2400.
Да ладно -)) Покажи пример 1600 МГц по показателям лучше чем у меня 2400. На моей платформе. Да и хотя бы на любой, хоть что-то.
_________________ FX-8350 OC |Sapphire RX580 8Gb UV memOC |Patriot 2x8Gb DDR3-2400 CL11 |AsRock 970M Pro3 |FD Focus G Mini |DQ650-M |10Tb |ASUS VP249HR |W11 Pro 23H2
Submoderator
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Вот и твоя основная проблема - RRD=6.
Добавлено спустя 1 минуту 42 секунды: Ничего тебе и другим я показывать и доказывать не собирался и не собираюсь. Недостаток знаний - твои проблемы. А твой маразм про все, что ниже, нужно навечно занести в анналы форума. Сумма (как утверждает большое солнце) может быть меньше слагаемых, если очень хочется. Вот это перл! Давно так не веселился. Поэтому и захожу иногда в эту ветку. Ищи и обрящешь.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Королев
anta777 писал(а):
А твой маразм
Ну вот это уже переход на личности, читай правила.
Добавлено спустя 3 минуты 3 секунды:
anta777 писал(а):
Смотри материалы от микрона.
Вот. Можешь же -) Я это читал. Эти материалы частично опровергаются во многих статьях, в тч 1usmus
Добавлено спустя 8 минут 14 секунд:
anta777 писал(а):
Давно так не веселился
Наслаждайся. Цель форума не понты, а делиться опытом и знаниями. Помогать. Конференция не для того, чтобы меряться чем-то. Тут мало профи, и все в чем-то ошибаются. Но конечно не ты -) В правилах написано что ИМХО вполне можно писать. Я сделал акцент на этом. Будь внимательнее. И добрее -)
Добавлено спустя 7 минут 44 секунды:
anta777 писал(а):
если очень хочется
Есть механизмы ChargeCache и Restore Truncation. ИМХО.
_________________ FX-8350 OC |Sapphire RX580 8Gb UV memOC |Patriot 2x8Gb DDR3-2400 CL11 |AsRock 970M Pro3 |FD Focus G Mini |DQ650-M |10Tb |ASUS VP249HR |W11 Pro 23H2
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 8
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения