Большая просьба: оставляя свои результаты здесь, постите по шаблону например:



Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;

Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет?
Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.


В конференции запрещается:

3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.

BOBKOC В общем, решил свою проблему с просадками скорости памяти радикально, заменил свои 4-х гиговые плашки на 8-ми гиговые, получил фэншуйный 4х-канал (ну почти, т.к. это все таки два кита по 2х8, а не один кит 4х8, но все-таки одинаковые по характеристикам,производителю, модели... ) Усе скорость больше на 5-10, а то бывало и 15 тыс. мб, не падает, ура, колеблется в пределах 300 мб вверх-вниз, (а не только вниз на несколько тыс мб.) В общем фэншуй - наше все. На этом (пока) завязываю с разгоном своей оперативы, итог таков:

Имеется память DDR3-1600, зелёные Самсунги, 2-ранковые 2-сторонние, 16-чиповые. На материнке Z77 с процом i7-3770K проходили ночь мемтеста (4 круга) при 1,65V с таймингами 10-11-11-28 на частоте 2200, если парами, и 2133, если сразу 4 планки.
Сейчас на материнке GA-H170-HD3 DDR3 с процом QL3X (ES i7-7700K) напряжение памяти ставлю 1,55 (выше боюсь за КП проца, Интел не рекомендует выше 1,5, хотя вроде есть отзывы о долгой беспроблемной работе КП и с 1,65В). Тайминги 11-11-11-28. Частоту 2133 не берут, на первом же круге мемтеста ошибки, хотя и Win10 установилась и грузится, и 3Д тесты крутятся. Но игры вылетают, потому и начал с памятью разбираться.
Поднимаю VccIO+VccSA с авто до 1,25, на памяти напряжение не трогаю, и теперь на 2400 уже мать стартует, и первый круг мемтеста пока без ошибок (на 2133). Проц конечно уже греется сильнее. Как так может напряжение VccIO+VccSA влиять на стабильность памяти?

VccIO это IMC контроллер памяти в проце
А VccSA это типо северного моста который питает всё и IMC тоже.

Думаю так, что если ячейкам памяти для стабильной работы без ошибок не хватает напряжения на повышенной частоте, то сколько контроллеру памяти ни добавляй питания, ячейки памяти от этого стабильнее работать не станут. Во всяком случае, логически должно быть так. Но практика заставляет "чесать репу".

КапитанНемоЛуганск
Я думаю, разгоняется любая память. И уж тем более B-Die судя по твоим таймингам.
Вопрос только в том, какие при этом будут тайминги и напряжение на планки.
Твой КП по идее обязан тянуть 2400. Да еще и на Z-чипе.
Но копать тебе надо в разгоне своего ivy Bridge. Потому что L1 L3 полностью инклюзивны. Выясни для себя момент, когда происходит запись вытесняемых данных в RAM. Исправь разгон цп (а лучше поставь в сток все) , потом уже мучай память.

CPU VCCIO Voltage (VCCIO) — устанавливает напряжение на IMC и IO.
CPU System Agent Voltage (VCCSA) — напряжение кольцевой шины и контроллера кольцевой шины.
Так где тут DRAM Voltage, которое устанавливает напряжения для оперативной памяти?

Bigsun у меня уже давно не Z77, перечитай мой пост, но до конца

КапитанНемоЛуганск
Да, действительно. Kaby Lake это архитектура Skylake, а Ivy Bridge был Sandy Bridge.
Но что изменилось в работе кешей? В процессорах Intel Core i7/i5 кэш L2 построен инклюзивно по отно­шению к кэшу L3. Таким образом, при инклюзивной ор­ганизации блоки данных дублируются на нижних уровнях (L3).
Другими словами, если была ошибка в L2, в L3 тоже появятся эти же ошибочные (назовем их кривыми) данные, которые потом будут вытеснены в RAM!


Что принципиально изменилось именно по организации кешей и их работе с памятью?
Появился L4 (Кристалл eDRAM Crystalwell объемом 128 МБ играет роль кэш-памяти четвертого уровня, в Xeon и E7)? Его нет в настольных ЦП. У тебя - инженерный цп.
Кстати, GA-H170-HD3 DDR3 (rev. 1.0): Support for DDR3/DDR3L 1866(OC)/1600/1333 MHz memory modules.... т.е. МП плохо поддерживает ОС памяти. Для сравнения у меня на старье и то 2400+(ОС) написано. И реально я получал рабочие 2520 МГц, правда при напряжении 1,85В -)

Короче. Поднимай напряжение на DRAM. Не поможет тебе ничего другое. Это физика.

Помогите с разгоном на сокете 1155 (i5-3470). Память DIMM1: SK hynix HMT351U6EFR8C-PB 1600 mhz. Тайминги с завода 11-11-11-28

Пробуй руками, тыркай тайминги и вольтаж))
Ивики достаточно дубовые в хорошем разгоне

поставил тайминги 8-8-8-24, комп ушел в цикл

Chelll ,
Ставь 2133МГц и тайминги 11-14-14-30 при напряжении 1,7В. Заработает, никуда не денется! Если нет - повышай напряжение до 1,73В. Без радиаторов больше не надо. Если и тут нет - тогда 11-15-15-30 при 1,7В. Как все заработает, пробуй снизить вольтаж до 1,65В и ниже, если получится. Память у тебя, похоже 2-х ранговая, вторички правильные обязательны.
Проверять ТМ5 с профилем extreme1 от Anta77, играми и режимом Blend у Pireme95.
Если ничего не помогло - значит память не тянет 2133 на этом напряжении, или вообще не тянет. Тогда хотя бы 1866МГц пробуй и 11-12-12-28. Возможно и 10-12-12-26.
Ну и потом работать над вторичками и третичками -) Для начала их по JEDEC ставь для 2133 и 1866 соответственно.

У меня разгон с 1600 9-9-9-24-38 до 2400 11-14-14-30-44 (+ сильно ужаты остальные) 1,8В, с доказанным профитом. Но у меня модули с радиаторами. Чипы Hynix C-Die.

жесть.
на 2200 работает 1.5 , если 2400 то уже просит 1.6 .
https://forums.overclockers.ru/download ... &mode=view

[АЛКАШ]
Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173CB0-CK0
У тебя память 1-ранговая, которая по-умолчанию должна брать бОльшие частоты. Но у 2-ранговых профит на той же частоте - выше, поэтому и потребление энергии - выше.
Кроме того, для Hynix C-Die напряжение 1,8В - вполне себе нормальное. Мои планки просто теплые, но не горячие. Extended Temperature Range - Поддерживается.
Для некоторых чипов от Micron, верхний предел это вообще 2,2В.

Рабочая температура (Operating Temperature) - это диапазон температур, при котором память должна работать нормально:
от 0 до +85 °C для обычной DDR3
от 0 до +95 °C для DDR3 при определённых условиях (Extended Temperature Range)

А есть еще такой показатель: ПСП -)

[АЛКАШ] ,
А теперь поставим мою память на твою МП, и я уверен, она покажет еще лучший профит, чем твой одноранговый samsung.
Дело в том что у FX слабый КП, в отличие от intel. Т.е. это не заслуга твоей ОЗУ или твоих "правильных" настроек. Это просто Intel. Сравни частоту КП и задержки. Дело тут не в ОЗУ.
Я даже на КП 2800 умудряюсь не сильно отставать по копированию в памяти. А в чтении даже опередил -)

А что кстати PhotoWorxx у тебя показывает?

она стабильно работает 2600 ,но напругу требует 1.65 и начинает греться,подумал мну этого не нужно пусть робит на том ,что есть.

[АЛКАШ] , весьма неплохо. Немного лучше моего, но это интел.

Без радиаторов, да, может быть.

Очень сомневаюсь. Работает - поверю, я насчет стабильности. Тест ТМ5 на тяжелом профиле - прошел хоть 1 час? Как только твоя память без радиаторов дойдет до 58 градусов, начнутся проблемы.

а может и не интел, а версия аиды↓ ибо я тут↓ -2770↓ обнаружил между версиями для X5670↓, но может и ввели чего нибудь AVX'cовое в этот тест, чего у этого проца нет

честно говоря я в тесты не игрался, а играл в игры ,там проблем не возникло.

с напругой 1.65 видел максимально через термопару 55 ,поэтому и сбросил на 1.5 .

Имеется память DDR3-1600 Crucial Balistix 2-ранковые, 2-сторонние, 16-чиповые, на материнке MSI Gaming 970 с процессором FX-8300(в стоке), на частоте 2133 с таймингами 12-12-12-32 при 1,65V проходят MemTest, но практически сразу же выдаёт ошибки в TestMem5(в основном на тесте 0 и бывает на тесте 5). Тестировал стоковым конфигом и тяжёлым от anta777. Заметил ещё такую особенность, что MemTest занижает частоту оперативной памяти. В общем, прошу помочь с разгоном моей памяти. Что я делаю не так?
Вторички материнка ставила автоматом.