mag_ai Такты-шмакты. Время зарядки конденсатора, например, не особо зависит от этой вашей частоты. Есть такой параметр, row cycle time, время за которое происходит обращение к памяти со всеми служебными операциями, грубо говоря. Если верить тому же Hynix, оно что у hbm1, что у hbm2, что у gddr5 и ddr3 в среднем равно 45ns. К банку памяти обращаться чаще ну никак не получится.

К банку? Или к одной ячейке? К банку-то зачем обращаться чаще? Смотрите пример чтения: сколько тактов на смену банка, на смену столбца и смену строки, потом чтение большой порцией данных (32-128КБ, в зависимости от типа памяти).

Nimrael я смотрю вы плохо понимаете как работает память. Память, для пущей эфективности, в идеале тобишь, читается в пакетном режиме по 4 слова. Это значит что за один раз с одного чипа памяти типа HBM можно снять 4*128 = 512bit или 64B. Ни о каких килобайтах речи даже не идёт. И после того как этот пакет прочитан, модулю ещё нужно время чтобы заново зарядить ячейки, записать прочитанное значение и сохранить его для потомков.

woody и еще 512 бит на запись - за такт 1024 бита а не "половина"... ну и все вопросы сохранения состояния / запись организована там так же как на любой драм памяти то есть ддр и гддр в этом плане ничем не отличаются.
а вообще пристали вы к этим "каналам" и "пропускной способности на пин" (даже если это среднеарифметическое значение полученное делением делением псп модуля на количество ножек) на практике это не достижимые числа по многим факторам (и не только потому что память виновата)... это как брать что например цпу может обработать столько то инструкций за такт - без учета конкретной специфики задачи будет в большей степени бесполезным числом. так и с памятью линейное чтение и запись чаще всего бесполезная хрень - и вот о таких преимуществах "стековой" памяти нужно и говорить что при рандомах ее производительность (из за того что "слои" это все же один чип) выше чем у "классической" драм.

от которых горят видеокарты, ага