Соблюдение Правил конференции строго обязательно! Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона! За статью можно проголосовать на странице материала.
"А если сравнивать с амбициями конкурентов, то целевые показатели Intel были установлены на 20% агрессивнее, чтобы добиться необходимой экономической отдачи" - ощущение, что прочитал о их подходе в ценообразовании
7 нм у TSMC, GloFo и гнусмаса - это 0.027 µm²/SRAM, 30 нм транзистор. 10 нм у Интела - 0.0312 µm², 34 нм транзистор. 10 нм у TSMC итд - 0.042 µm², 36 нм транзистор. 14 нм у Интела - 0.05 µm², 42 нм транзистор. 14 нм у TSMC, GloFo - 0.064 µm²-0.081 µm², 42-48 нм транзистор.
Так что 7 нм тайваньцев/корейцев - чуть плотнее 10 нм процесса Интела. 10 нм тайваньцев/корейцев - чуть плотнее, чем 14 нм Интела.
Да, маркетинг. Плотность давно уже не в квадрате растет. Потребление тем более. С тех пор, как народ прослышал про нанометры, его приходится ими кормить.
_________________ Рептилоидной Рассой готовили для Захвата напрасно планету Земля
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.09.2009 Откуда: здесь двоеточие
Rolexandr писал(а):
У TSMC 7нм - это примерно то же что у Intel 14нм, местами даже хуже
Вы, конечно, сможете подтвердить этот свой тезис фактами?
AbyssMoon писал(а):
размерами транзисторов в 7нм там не пахнет
А у Штеуда типа пахнет? В каком месте, позвольте осведомиться?
OverclockersBOT писал(а):
Интересно на каком техпроцессе все остановится Может 3нм будет последним?
Для массового потребителя более чем вероятно - "7/5нм" Штеуда/тайванцокорейцев. Т.е. ещё один шаг остался лет на 4-5 максимум. Можно при желании даже деньги на это поставить.
У TSMC 7нм - это примерно то же что у Intel 14нм, местами даже хуже))
Примерно таки да, интел способен выдать лучшую плотность транзисторов чем tsmc, но им это не нужно, у них другие цели. Например еще никому не удалось выпустить высокопроизводительные цпу на tsmc, кроме амдшных 28нм процев.
Community Manager
Статус: В сети Регистрация: 30.12.2004 Откуда: Москва
Yalg Выше расписано.
Rattus писал(а):
Для массового потребителя более чем вероятно - "7/5нм" Штеуда/тайванцокорейцев. Т.е. ещё один шаг остался лет на 4-5 максимум. Можно при желании даже деньги на это поставить.
Скорее пойдет и поменьше. Правда толщина затвора так и останется 20 нм - но маркетинг не остановишь.
А реально придут 2.5д-чипы, просто будут вертикально лепить ядра. Конечно и маркетинг перейдет на "3д" чипы.
_________________ Рептилоидной Рассой готовили для Захвата напрасно планету Земля
Community Manager
Статус: В сети Регистрация: 30.12.2004 Откуда: Москва
Rattus писал(а):
Ви надеетесь дожить до этого славного времени? Ви большой оптимистЪ!
Конечно. Не слышали анекдот - "и вы говорите"? Это же ни к чему не привязанная маркетинговая цифра.
Rattus писал(а):
Это, конечно, технологически совершенно пустяковая задача, а проблема теплоотведения перед современными чипами совершенно не стоит.
Это активно решаемая задача. Проблема теплоотвода как раз и решается ростом "ширины" и снижением частоты чипа. Причем ALU вполне можно оставить на высокой частоте, тормозить только FPU. Как собственно уже делается с AVX, только сократить острова синхронности.
_________________ Рептилоидной Рассой готовили для Захвата напрасно планету Земля
Community Manager
Статус: В сети Регистрация: 30.12.2004 Откуда: Москва
Rattus 32 ядра по 3 ГГц - и быстрее в сумме, чем 16 по 4.5 ГГц, и потребляют меньше.
Собственно ничего не мешает выпускать те же видяшки с частотой до 3 ГГц, их та же фабрика делает, что Райзены. Только жрать будут много и смысла никакого - однояда в видео нет.
_________________ Рептилоидной Рассой готовили для Захвата напрасно планету Земля
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.07.2008 Откуда: Золотая миля.
Varg писал(а):
Неправда. Можно сравнить площадь ячеек памяти, т.к. она хорошо известна, и реальный размер транзистора
Безграмотность - она такая, кажется, что знаешь всё, а на деле дурень-дурнем. 7-10-12-14 нМ - расстояния меж. соединений, когда они при заданной(синтезированной языками описания) топологии гарантированно оказывают друг на друга такое э.м. взаимодействие(при заданных частотах и коммутируемых токах), при котором вентиль уверенно распознает и выполнит переход из одного состояния в другое. Т.е., когда Весь программный автомат(20-30 млн. структур) за один такт, выдаст единственный, валидный, правильный результат переключений.
_________________ Так-то оно так, потому как не может того быть, кабы не было бы никак. И не потому, что оно вообще, а потому, что когда оно что, тогда оно и пожалуйста
Последний раз редактировалось miklebat 27.04.2018 17:52, всего редактировалось 1 раз.
32 ядра по 3 ГГц - и быстрее в сумме, чем 16 по 4.5 ГГц, и потребляют меньше.
Только есть небольшая проблемка: от 32 ядер быстрее будут работать только очень специфические программы где очень мала доля последовательных вычислений. Но для серверных нагрузок и рендеринга думаю 32 предпочтительнее чем 16 более быстрых.
_________________ ✦MSI Z370 SLI PLUS ✦Core i5 8600K @4.8 ✦G.SKILL Ripjaws V 3200MHz 2x8G CL16 ✦Zotac GTX 1060 3G ✦be quiet! Pure Power 10 500W ✦Noctua NH-D14
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.09.2009 Откуда: здесь двоеточие
Gerolf писал(а):
Только есть небольшая проблемка: от 32 ядер быстрее будут работать только очень специфические программы где очень мала доля последовательных вычислений.
Community Manager
Статус: В сети Регистрация: 30.12.2004 Откуда: Москва
miklebat писал(а):
Безграмотность - она такая, кажется, что знаешь всё, а на деле дурень-дурнем. 7-10-12-14 нМ - расстояния меж. соединений, когда они при заданной топологии гарантированно оказывают друг на друга такое э.м. взаимодействие...
Вот именно. Если вдруг приходилось заниматься дизайном ИС - то может показаться, что это дает полные знания о всех и каждой ИС, только на деле-то это не так.
7-10-12-14 нм - названия техпроцессов. Названия техпроцессов никогда не имели официального физического значения.
Выше 10 мкм названий вообще не было, их позже дали. Между 10 мкм и 0.35 мкм процессы называли по размеру затвора транзистора. Хотя не-интел начал делать исключения уже с 0.5 мкм.
С 0.25 мкм название процесса стало независимым от затвора транзистора. На "0.25 µm" процессе Интела он был 200 нм. Название процесса перестало основываться на физических величинах. Вместо этого оно прикидывалось на основе примерно такого вопроса: "если сократить все элементы 0.25 µm чипа линейно, до размеров того же дизайна на новом процессе, к какой круглой цифре был бы ближе всего размер его затвора?"
Между 0.25 µm и 32 nm затвор транзистора был равен или меньше названия техпроцесса, т.к. он сокращался быстро, а плотность чипов росла не так быстро. Ниже 180 нм равные названию техпроцесса размеры в дизайне чипа встречались разве что случайно.
К приходу 32 нм про пользу меньших техпроцессов прослышали даже домохозяйки, а от них и их супруги в маркетинге. Поэтому для процессов меньше 32 нм, особенно вне Интела, название взял под контроль маркетинг. Оно стало меньше затвора и стало сокращаться быстрее, чем собственно транзисторы и вообще весь чип.
_________________ Рептилоидной Рассой готовили для Захвата напрасно планету Земля
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения