По словам AMD, основного внимания достойно увеличение IPC (instructions per clock, операций за такт). В презентации 2016-ого года инженер CERN Ливиу Валсан сообщил, что этот процессор будет использовать технологию SMT (одновременная многопоточность). Переход от микроархитектуры модулей, используемой в Bulldozer, к полноценным ядрам, как ожидается, может увеличить производительность на ядро в операциях с плавающей точкой за счет большего количества блоков FPU.
Два потока на ядро;
Кэш декодированных микрооперций;
8 МБ общей кэш-памяти третьего уровня (1 МБ на ядро, тип - victim);
Большая унифицированная кэш-память второго уровня (512 КБ на ядро);
Два блока с реализацией аппаратных ускорителей стандарта шифрования AES;
Высокоэффективные FinFET-транзисторы.(14 нанометров) Все представители процессоров AMD Zen будут совместимы с материнскими платами, поддерживающими сокет AM4

Самое главное для Ryzen - память, вот вам ссылочка как правильно выбирать память https://www.youtube.com/watch?v=6PTzVTk ... e=youtu.be

Базовая - заявленная минимальная частота при нагрузке
Типичная - частота обычно наблюдаемая при нагрузке на несколько ядер
Турбо - заявленная частота при нагрузке на одно ядро
XFR - частота обычно наблюдаемая при нагрузке на одно ядро

• Все процессоры Ryzen 7 - это один и тот же процессор прошедший через отбор при маркировке. Отбор подразумевает его стабильность и эффективность на определённых частотах. Максимальная разница в разгоне у всех моделей Ryzen 7 невелика и составляет до 400МГц (воздух/вода) при потолке в 4.2ГГц (вода), а средняя обычно составляет не более 200МГц. Вот подробное описание отличий:
  
  • Ryzen 7 1700 - младшая модель в линейке Ryzen 7. Самая дешёвая, выгодная и энергоэффективная.
    
    - Обычно поставляется в коробке с системой охлаждения Wraith Spire RGB (это круглая конструкция из целого куска алюминия с медной вставкой-испарительной камерой в основании и вентилятором с кольцом разноцветной подсветки, крепится к задней пластине разъёма AM4 четырьмя винтами).
    - Штатно имеет базовую частоту 3.0ГГц, частоту 3.2ГГц (технология Turbo Boost) при обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render) и 3.75ГГц (технологии Precision Boost и XFR) при однопоточной нагрузке (Cinebench R15 single core).
    - Штатное напряжение питания 1.1875В. Может возрастать до 1.3В на отдельных ядрах во время работы Precision Boost и XFR.
    - Очень энергоэффективный, требования к СО (TDP) - всего 65W. Энергопотребление порядка 10Вт в простое и 85Вт в обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render).
  • Ryzen 7 1700X является средним звеном среди Ryzen 7. Хороший выбор для тех, кто не может разогнать 1700, т.к. не сильно дороже, но с заметно большими частотами.
    
    - Обычно поставляется в небольшой коробке без СО.
    - Штатно имеет базовую частоту 3.4ГГц, частоту 3.5ГГц (технология Turbo Boost) при обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render) и 3.9ГГц (технологии Precision Boost и XFR) при однопоточной нагрузке (Cinebench R15 single core).
    - Штатное напряжение питания 1.35В. Может возрастать до 1.4В на отдельных ядрах во время работы Precision Boost и XFR.
    - Энергоэффективность средняя, требования к СО (TDP) - 95W. Энергопотребление порядка 13Вт в простое и 120Вт в обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render).
    - По сравнению с R7 1700 имеет увеличенный промежуток XFR (100МГц вместо 50МГц), а также увеличенные технологией SenseMI показатели температуры на 20 градусов (например, 90 при реальных 70).
  • Ryzen 7 1800X - топовая модель в линейке процессоров Ryzen. Дорогой, для тех, кто желает получить лучшее, не смотря ни на что.
    
    - Обычно поставляется в небольшой коробке без СО.
    - Штатно имеет базовую частоту 3.6ГГц, частоту 3.7ГГц (технология Turbo Boost) при обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render) и 4.1ГГц (технологии Precision Boost и XFR) при однопоточной нагрузке (Cinebench R15 single core).
    - Штатное напржение питания 1.35В. Может возрастать до 1.45В на отдельных ядрах во время работы Precision Boost и XFR.
    - Энергоэффективность средняя, требования к СО (TDP) - 95W. Энергопотребление порядка 12Вт в простое и 137Вт в обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render).
    - По сравнению с R7 1700 имеет увеличенный промежуток XFR (100МГц вместо 50МГц), а также увеличенные технологией SenseMI показатели температуры на 20 градусов (например, 90 при реальных 70).
• Старшие мат.платы на чипсете X370 имеют дополнительный функционал, который поможет добиться лучшего разгона ОЗУ и ЦПУ.
  
  • Некоторые мат. платы обладают дополнительным внешним тактовым генератором, что позволяет им задавать BCLK - базовую частоту, на которую завязано всё. Это позволяет "гнать шиной" процессор и память (а также прихватывать с собой всё, что висит на PCIe). Например, Asus Crosshair 6 Hero, Asrock X370 Taichi?, Asrock X370 FATAL1TY Professional Gaming?, Gigabyte AX370 Aorus Gaming K7?.
  • На Asus Crosshair 6 Hero есть дополнительные отверстия в текстолите, позволяющие установить СО с укрепляющей пластиной для разъёма AM3.
• Стандартной системы охлаждения R7 1700 хватит даже на небольшой разгон, но лучше всё таки раздобыть что-то с тепловыми трубками. Если ваша старая СО она крепилась к AM3 не зацепками, а винтами, то без помощи производителя, похода в магазин (если вообще бывают такие магазины, где продают комплекты креплений для СО) или колхоза вы её на AM4 не приткнёте. Зато если были зацепки, то проблем быть не должно. Если вы решили брать новое СО, то обратите особое внимание на совместимость с AM4 конкретного выбранного вами экземпляра в магазине, т.к. даже если на сайте производителя написано, что они, например, поставляют с креплением для AM4 в комплекте, у магазина может быть запас ещё с тех времён, когда они поставляли без такого крепления, и потом вам останется только просить у магазина принять товар обратно (что магазины очень не любят делать, особенно если вы его распаковали). Рабочей на Ryzen является температура до 75 градусов (реальных, а не с оффсетом SenseMI). При перегреве процессор сначала снижает множители на конкретных ядрах (некоторые называют это "троттлинг"), если это не помогает, система выключается и может не включаться, пока он не остынет, или выдавать ошибку о перегреве при загрузке (видел оба случая, но не уверен как это точно работает).

https://www.youtube.com/watch?v=TId-OrXWuOE
https://www.youtube.com/watch?v=HZPr-gNWdvI

www.gamersnexus.net
adrenaline.uol.com.br
www.benchmark.pl
www.bit-tech.net
www.chiphell.com
www.eteknix.com
www.guru3d.com
nl.hardware.info
www.hardwarecanucks.com
www.hardwareluxx.de
hothardware.com
hexus.net
www.hwbox.gr
videocardz.com
www.kitguru.net
www.legitreviews.com
www.overclockers.com
www.overclockersclub.com
pclab.pl
www.pcper.com
www.planet3dnow.de
www.purepc.pl
www.sweclockers.com
www.techspot.com
www.tek.no
www.tweaktown.com
i2HARD от SubL0ck

Manufacturing Description
Module Manufacturer: Patriot Memory
Module Part Number: 3200 C16 Series
DRAM Manufacturer: Undefined
DRAM Components: Not determined
DRAM Die Revision / Lithography Resolution: 00h / Not determined
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 01h
Physical & Logical Attributes
Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2133P downbin
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 8192 MB
Reference Raw Card: A0 (8 layers)
Initial Raw Card Designer: SK hynix
Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back: T <= 1 mm
Number of DIMM Ranks: 1
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
DRAM Device Package: Standard Monolithic
DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA
DRAM Device Die Count: Single die
Signal Loading: Not specified
Number of Column Addresses: 10 bits
Number of Row Addresses: 16 bits
Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups)
DRAM Device Width: 8 bits
Programmed DRAM Density: 8 Gb
Calculated DRAM Density: 8 Gb
Number of DRAM components: 8
DRAM Page Size: 1 KB
Primary Memory Bus Width: 64 bits
Memory Bus Width Extension: 0 bits
DRAM Post Package Repair: Not supported
Soft Post Package Repair: Not supported
DRAM Timing Parameters
Fine Timebase: 0,001 ns
Medium Timebase: 0,125 ns
CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T
DRAM Minimum Cycle Time: 0,938 ns
DRAM Maximum Cycle Time: 1,500 ns
Nominal DRAM Clock Frequency: 1066,10 MHz
Minimum DRAM Clock Frequency: 666,67 MHz
CAS# Latency Time (tAA min): 13,500 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,500 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,500 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 33,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 46,500 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,300 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,625 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes
Thermal Parameters
Module Thermal Sensor: Not Incorporated
SPD Protocol
SPD Revision: 1.0
SPD Bytes Total: 512
SPD Bytes Used: 384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 6355h (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): B2ADh (OK)
Part number details
JEDEC DIMM Label: 8GB 1Rx8 PC4-2133P-UA0-10
Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL CCDL FAW
1067 MHz 16 15 15 36 50 4 6 6 23
1067 MHz 15 15 15 36 50 4 6 6 23
933 MHz 14 13 13 31 44 4 5 6 20
933 MHz 13 13 13 31 44 4 5 6 20
800 MHz 12 11 11 27 38 3 5 5 17
800 MHz 11 11 11 27 38 3 5 5 17
667 MHz 10 9 9 22 31 3 4 4 14
Intel Extreme Memory Profiles Profiles
Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 1 DIMM/channel
XMP Parameter Profile 1 Profile 2
Speed Grade: DDR4-3200 N/A
DRAM Clock Frequency: 1600 MHz N/A
Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,625 ns N/A
CAS Latencies Supported: 18T,17T,16T,15T,
14T,13T,12T,11T,
9T N/A
CAS Latency Time (tAA): 10,000 ns N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 11,250 ns N/A
Row Precharge Delay Time (tRP): 11,250 ns N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS): 22,500 ns N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 40,000 ns N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW): 22,000 ns N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 3,740 ns N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 5,620 ns N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 350,000 ns N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 260,000 ns N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 160,000 ns N/A

MANUFACTURING DESCRIPTION
Module Manufacturer: Patriot Memory
Module Part Number: 3400 C16 Series
DRAM Manufacturer: Samsung
DRAM Components: K4A8G085W?-BCPB
DRAM Die Revision / Lithography Resolution: 00h / Not determined
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 01h
PHYSICAL & LOGICAL ATTRIBUTES
Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2133P downbin
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 8192 MB
Reference Raw Card: A0 (8 layers)
Initial Raw Card Designer: SK hynix
Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back: T <= 1 mm
Number of DIMM Ranks: 1