TSC! Russia member
Статус: Не в сети Регистрация: 31.08.2005 Откуда: Петербург Фото: 0
S.I.R.Z. Банальные вещи проверили? а) новые плахи живые б) новые плахи совместимы со старыми на уровне чипов/их производителя/таймингов. Если есть возможность, лучше слить свою солянку пополам 2 разным покупателям и взять кит из одной коробки, заведомо рабочий. после этого уже можно танцевать над мамкой с процем.
Глянул профиль. А ревизия Пэтриот Вайперов точно одна? Утилита Тайфун что говорит?
_________________ www.btbooks.ru, www.forums.btbooks.ru - официальный русскоязычный фансайт Battletech
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.05.2007 Откуда: Красноярск Фото: 93
Leonator Модули отличаются чипами на одних SpecTek у вторых Hunix.
SpecTek
Module Manufacturer: Patriot Memory Module Part Number: 3600 C18 Series DRAM Manufacturer: SpecTek DRAM Components: MT40A2G8??-075:[B/E] Component Design ID: Not determined DRAM Die Revision / Process Node: N/A / Not determined Module Manufacturing Date: Undefined Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan Module Serial Number: 00000000h Module PCB Revision: 01h Physical & Logical Attributes Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM Module Speed Grade: DDR4-2666V downbin Base Module Type: UDIMM (133,35 mm) Module Capacity: 16 GB Reference Raw Card: A0 (8 layers) JEDEC Raw Card Designer: SK hynix Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm Module Thickness Maximum, Back: T <= 1 mm Number of DIMM Ranks: 1 Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard DRAM Device Package: Standard Monolithic DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA DRAM Device Die Count: Single die Signal Loading: Not specified Number of Column Addresses: 10 bits Number of Row Addresses: 17 bits Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks) Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups) DRAM Device Width: 8 bits Programmed DRAM Density: 16 Gb Calculated DRAM Density: 16 Gb Number of DRAM components: 8 DRAM Page Size: 1 KB Primary Memory Bus Width: 64 bits Memory Bus Width Extension: 0 bits DRAM Post Package Repair: Supported Soft Post Package Repair: Supported DRAM Timing Parameters Fine Timebase: 0,001 ns Medium Timebase: 0,125 ns CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T, 14T, 15T, 16T, 17T, 18T, 19T, 20T Minimum Clock Cycle Time (tCK min): 0,750 ns (1333,33 MHz) Maximum Clock Cycle Time (tCK max): 1,600 ns (625,00 MHz) CAS# Latency Time (tAA min): 13,750 ns RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,750 ns Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,750 ns Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 32,000 ns Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 45,750 ns Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 550,000 ns 2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 350,000 ns 4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 260,000 ns Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,000 ns Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 4,900 ns Write Recovery Time (tWR min): 15,000 ns Short Write to Read Command Delay (tWTR_S min): 2,500 ns Long Write to Read Command Delay (tWTR_L min): 7,500 ns Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,000 ns Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes Supply Voltage (VDD), Min / Typical / Max: 1,16V / 1,20V / 1,26V Activation Supply Voltage (VPP), Min / Typical / Max: 2,41V / 2,50V / 2,75V Termination Voltage (VTT), Min / Typical / Max: 0,565V / 0,605V / 0,640V Thermal Parameters Module Thermal Sensor: Not Incorporated SPD Protocol SPD Revision: 1.1 SPD Bytes Total: 512 SPD Bytes Used: 384 SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 4BB3h (OK) SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): B2ADh (OK) Part number details JEDEC DIMM Label: 16GB 1Rx8 PC4-2666V-UA0-11 Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL WR WTRS WTRL FAW 1333 MHz 20 19 19 43 61 4 7 20 4 10 28 1333 MHz 19 19 19 43 61 4 7 20 4 10 28 1200 MHz 18 17 17 39 55 4 6 18 3 9 26 1200 MHz 17 17 17 39 55 4 6 18 3 9 26 1067 MHz 16 15 15 35 49 4 6 16 3 8 23 1067 MHz 15 15 15 35 49 4 6 16 3 8 23 933 MHz 14 13 13 30 43 3 5 14 3 7 20 933 MHz 13 13 13 30 43 3 5 14 3 7 20 800 MHz 12 11 11 26 37 3 4 12 2 6 17 800 MHz 11 11 11 26 37 3 4 12 2 6 17 667 MHz 10 10 10 22 31 2 4 10 2 5 14 Intel Extreme Memory Profiles Profiles Revision: 2.0 Profile 1 (Certified) Enables: Yes Profile 2 (Extreme) Enables: No Profile 1 Channel Config: 1 DIMM/channel XMP Parameter Profile 1 Profile 2 Speed Grade: DDR4-3604 N/A DRAM Clock Frequency: 1802 MHz N/A Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,555 ns N/A CAS Latencies Supported: 23T,22T,21T,20T, 19T,18T,17T,16T, 15T,14T,13T,12T, 11T,9T N/A CAS Latency Time (tAA): 18T N/A RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 22T N/A Row Precharge Delay Time (tRP): 22T N/A Active to Precharge Delay Time (tRAS): 42T N/A Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 68T N/A Four Activate Window Delay Time (tFAW): 40T N/A Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 9T N/A Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 10T N/A Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 991T N/A 2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 631T N/A 4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 469T N/A
Hunix
Module Manufacturer: Patriot Memory Module Part Number: 3600 C18 Series DRAM Manufacturer: Hynix DRAM Components: H5AN8G8N?FR-TFC DRAM Die Revision / Process Node: N/A / Not determined Module Manufacturing Date: Week 25, 2021 Manufacturing Date Decoded: June 21-25, 2021 Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan Module Serial Number: 062201ACh Module PCB Revision: 01h Physical & Logical Attributes Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM Module Speed Grade: DDR4-2133P downbin Base Module Type: UDIMM (133,35 mm) Module Capacity: 16 GB Reference Raw Card: B0 (8 layers) JEDEC Raw Card Designer: Micron Technology Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm Module Thickness Maximum, Back: 1 < T <= 2 mm Number of DIMM Ranks: 2 Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Mirrored DRAM Device Package: Standard Monolithic DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA DRAM Device Die Count: Single die Signal Loading: Not specified Number of Column Addresses: 10 bits Number of Row Addresses: 16 bits Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks) Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups) DRAM Device Width: 8 bits Programmed DRAM Density: 8 Gb Calculated DRAM Density: 8 Gb Number of DRAM components: 16 DRAM Page Size: 1 KB Primary Memory Bus Width: 64 bits Memory Bus Width Extension: 0 bits DRAM Post Package Repair: Not supported Soft Post Package Repair: Not supported DRAM Timing Parameters Fine Timebase: 0,001 ns Medium Timebase: 0,125 ns CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T, 14T, 15T, 16T Minimum Clock Cycle Time (tCK min): 0,938 ns (1066,10 MHz) Maximum Clock Cycle Time (tCK max): 1,500 ns (666,67 MHz) CAS# Latency Time (tAA min): 13,500 ns RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,500 ns Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,500 ns Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 33,000 ns Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 46,500 ns Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns 2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns 4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,700 ns Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,300 ns Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,625 ns Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes Supply Voltage (VDD), Min / Typical / Max: 1,16V / 1,20V / 1,26V Activation Supply Voltage (VPP), Min / Typical / Max: 2,41V / 2,50V / 2,75V Termination Voltage (VTT), Min / Typical / Max: 0,565V / 0,605V / 0,640V Thermal Parameters Module Thermal Sensor: Not Incorporated SPD Protocol SPD Revision: 1.0 SPD Bytes Total: 512 SPD Bytes Used: 384 SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 5459h (OK) SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): 27DEh (OK) Part number details JEDEC DIMM Label: 16GB 2Rx8 PC4-2133P-UB0-10 Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL CCDL FAW 1067 MHz 16 15 15 36 50 4 6 6 23 1067 MHz 15 15 15 36 50 4 6 6 23 933 MHz 14 13 13 31 44 4 5 6 20 933 MHz 13 13 13 31 44 4 5 6 20 800 MHz 12 11 11 27 38 3 5 5 17 800 MHz 11 11 11 27 38 3 5 5 17 667 MHz 10 9 9 22 31 3 4 4 14 Intel Extreme Memory Profiles Profiles Revision: 2.0 Profile 1 (Certified) Enables: Yes Profile 2 (Extreme) Enables: No Profile 1 Channel Config: 1 DIMM/channel XMP Parameter Profile 1 Profile 2 Speed Grade: DDR4-3604 N/A DRAM Clock Frequency: 1802 MHz N/A Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,555 ns N/A CAS Latencies Supported: 23T,22T,21T,20T, 19T,18T,17T,16T, 15T,14T,13T,12T, 11T,9T N/A CAS Latency Time (tAA): 18T N/A RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 22T N/A Row Precharge Delay Time (tRP): 22T N/A Active to Precharge Delay Time (tRAS): 42T N/A Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 68T N/A Four Activate Window Delay Time (tFAW): 40T N/A Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 9T N/A Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 10T N/A Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 631T N/A 2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 469T N/A 4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 289T N/A
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.03.2017 Откуда: Москва/Вешняки Фото: 11
S.I.R.Z. писал(а):
на одних SpecTek у вторых Hunix
+ одноранги(SpecTek ака micron) c двурангами(Hynix) обычно такая тема не особо ввысь взлетает на 4канале, но как минимум Trfc надо брать от однорангов, + помутить с их расположением а ля |1| +|2| проц |2|+ 1| или наоборот или ещё как в основные слоты соотв
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.03.2008 Откуда: Москва Фото: 20
S.I.R.Z. Разгон памяти — это лотерея, с вашей сборной солянкой на грани лохотрона. Меняйте все какие можно значения и втыкайте модули, куда влезут — может повезёт. Ещё помогает, когда проц без разгона.
Ретроклокер
Статус: Не в сети Регистрация: 15.02.2006 Откуда: Могилёв Фото: 11
~kosyan писал(а):
Разгон памяти — это лотерея, с вашей сборной солянкой на грани лохотрона. Меняйте все какие можно значения и втыкайте модули, куда влезут — может повезёт. Ещё помогает, когда проц без разгона.
Проще продать эту солянку и взять нормальне B-die.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
Здравствуйте. Приехала сегодня ОЗУ Viper 4000 19-19-19-39 1.400v. Вообще удача свершилась, попались удачные плашки с удачными чипами(чип А0, плашка А2). И как оказалось, мои красные G.Skill такие же(3600 16-16-16-36 1.350v). Теперь 4х8Gb пашут спокойно 4000Mhz 15-15-15-34-1T с 1.450 вольтами.(все тесты какие можно было - прогнал).
#77
+ Viper еще и с RGB. Цена в DNS 10999 за 2х8. Чипы у всех естественно Samsung B-Die, всё что без таких чипов - не ОЗУ, а исключительно для дешман офиса.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 69
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения