- Какие пределы по вольтажу для ZEN+? - Для ZEN+ предел стабильности кремния (LP12) по вольтажу: для всех ядер 1,330 и 1,425 для одного ядра при условии PBO Scalar 1X (это стоит у всех мат плат по дефолту без исключения). Для PBO Scalar 10X это 1,400 и 1,480 соответственно. Выше - гарантированные проблемы с TDP и со стабильностью. То-есть если вы наваливаете свыше 1,48 для разгона по всем ядрам - процесс деградации процессора запущен.Норма до 1,45.
- Какую температуру не стоит превышать при разгоне? - 80-85 градусов максимально допустимая. Рекомендуемая рабочая 70-75 (это не касается стресс пакетов).
- Гонится ли лучше ОЗУ на ZEN+? - Нет, контроллер памяти идентичен прошлому поколению, даже имеет идентичные прошивки. Единственно улучшение - более низкая потребность в SOC voltage. Статистика разгона памяти : 3400 МГц - 12,5% образцов , 3466 МГц - 25,0% образцов ,3533 МГц - 62,5% образцов при условии использования памяти на чипах Samsung b-die.
- Имеют ли материнские платы на чипсете X470 преимущества перед X370? - Единственное преимущество - улучшенный разгон ОЗУ. Только X470 имеет улучшенное экранирование шин, улучшенную топологию шин, заземление DIMM разъемов + измененный дизайн VRM(они стали холоднее). По разгону процйессора - отличий нет.
- Precision boost override доступен только для X470? - Нет, данная функция доступна и X370 и 350 и 320, но с модифицированным биосом, который можно скачать в этой шапке.
- Как настроить вольтаж CPU чтоб работало энергосбережение + сброс частоты в простое? - Через режим Offset +
- Стоит ли использовать P-state разгон? - Смысла в данном виде разгона нет, даже при ручном разгоне на последних AGESA был добавлен автоматический режим энергосбережения
- Можно ли настроить отдельно разгон для одного ядра и для всех остальных? - Частично да, но на материнских платах со встроенным BCLK. Вольтаж процессора через Offset + , множитель авто, BCLK 100-101.4. Абсолютно реально получить 4450 мгц для одного ядра (разумеется если экземпляр процессора попался удачный). Так же некоторые материнские платы имеют функцию дополнительно авторазгона, к примеру на ASUS crosshair 6/7 есть функция PE (performance enhancer) которая позволяет добавить частоту для всех ядер до 4,2-4,3 ггц + буст одного ядра до 4350мгц.
- Какая память (на каких чипах) предпочтительна для ZEN+? - Samsung b-die имеет наилучшую совместимость и разгонный потенциал
- Какой рекомендуемый вольтаж для SOC при разгоне ОЗУ? - 1,025 - 1,056 вольта достаточно чтоб достичь 3533мгц. Предел 1,17.
Убедительная просьба, прячьте все (любые) картинки и видео под спойлер - [spoiler=][/spoilеr], не используйте тэг [spoilеr][/spoilеr] без знака "равно" для картинок - он для текста! Уважайте друг друга! Не у всех Интернет безлимитный и многие смотрят эту тему через телефон.
Флуд и оффтоп даже под тэгом /офф или /спойлер - награждается ЖК, как и ответы на сообщения, его содержащие. Краткие правила темы. Увидели сообщение, нарушающее правила - просто жмите СК: отвечать на такие посты не нужно!
Последний раз редактировалось 1usmus 06.07.2019 17:22, всего редактировалось 95 раз(а).
Хочу выложить сравнение 8700 и 2700Х на одной и той же системе, с одной и той же видюхой на 8700 была оператива с 3200 16-18-18-36 на райзене 2700Х
вот такая:
Вложение:
3.JPG
сток по процам и там и там
8700:
Вложение:
8700.jpg
2700Х:
Вложение:
2700Х.jpg
видеокарта GTX 1080 TI
Я так и не понял, во что у вас уперся результат на 2700Х, но у меня на 2700Х в паре с 1050 Ти на максималках (но низком разрешении, чтоб в карту сильно не упиралось) вышло совсем другое:
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2008 Откуда: Москва Фото: 5
Кто-нибудь разобрался с режимами автобуста PE3 и PE4?
Попробовал у себя, тянет полностью стабильно только PE3 - но много непонятного: выдает 4,2 Ггц при любой нагрузке на любое кол-во ядер, напряжение ставит 1,3в, в линксе показывает потребление 120Вт и мониторинг половины датчиков исчезает. По ощущения от воздуха из радиаторов там больше 120Вт. Изменение лимитов мощности, тока и температуры ни на что не влияло в режиме PE3 ..... Почему? Тогда какое там реальное напряжение? И безопасно ли оно для процессора?
Какой режим автобуста (PE) лучше использовать, какие настройки?
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Fenix154 А профиль питания о котором говорит мат плата кто выбирать будет ? 100 минимальное состояние будет действительно 4,2 без изменений , выставишь минималку 5% и будет все работать как нужно (это дефолт)
Этот режим снимает все ограничения в том числе защиту, отключает датчики.Реально там под 200вт, без воды включать его опасно. Ещё для него нужно ставить офсет + 0,0125, LLC3
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2008 Откуда: Москва Фото: 5
1usmus писал(а):
Fenix154 А профиль питания о котором говорит мат плата кто выбирать будет ? 100 минимальное состояние будет действительно 4,2 без изменений , выставишь минималку 5% и будет все работать как нужно (это дефолт)
Этот режим снимает все ограничения в том числе защиту, отключает датчики.Реально там под 200вт, без воды включать его опасно. Ещё для него нужно ставить офсет + 0,0125, LLC3
Профиль питания в виндоусе конечно выставлял сбалансированный (как пишет биос). В принципе пару раз поменять 3 разных профиля и тогда можно и сбалансированный райзен ставить (будет так же работать как и просто сбалансированный) - видимо глюк виндоуса. Вопрос, почему PE3 при нагрузке на 1 ядро не бустит выше 4,2? 4,2 он дает на любую нагрузку с любым кол-вом ядер (в отличие от PE1 и PE2, где буст на 1 ядро выше, чем когда нагрузка на все ядра) Как узнать, какое реальное напряжение подается на проц при PE3? у меня HWiNFO показывает 1,3в под нагрузкой в линксе по датчику процессора, но я очень сомневаюсь в этой цифре. Это напряжение в режиме авто без офсета с LLC4. Вроде стабильно в тестах. Проблем с охлаждением нет - стоит кастомная вода.
Когда режим «precision boost override» enable - в таком случае все ограничения снимаются как при PE3?
Чем тогда режим PE3 отличается от ручного разгона до частоты 4,2 при напряжении через офсет???
Что лучше использовать (и безопаснее): (PE3 + напряжение на авто) или (PE2 + офсет + BCLK + «precision boost override» enable) или (ручной разгон на все ядра до 4,2 + напряжение офсетом)- ? У себя какой вариант, какие настройки используешь?
Последний раз редактировалось Fenix154 21.06.2018 11:36, всего редактировалось 4 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.04.2005 Откуда: Москва Фото: 57
1usmus писал(а):
Этот режим снимает все ограничения в том числе защиту, отключает датчики.Реально там под 200вт, без воды включать его опасно. Ещё для него нужно ставить офсет + 0,0125, LLC3 PE4 для отборных камней и супер охлаждений
И что в этом режиме получается? Сколько по всем ядрам, буст на 2-4?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.12.2011 Фото: 0
Fenix154 писал(а):
Что лучше использовать (и безопаснее): (PE3 + напряжение на авто) или (PE2 + офсет + BCLK + «precision boost override» enable) - ? У себя какой вариант, какие настройки используешь?
Blck может не стабильно работать с памятью, pbo override включить это далеко не конец настроек для pbo режима, теоретически и одного pbo нормально настроенного хватит. Вопрос чего достичь пытаешься, если это 4.2 то зависит от того для какой нагрузки проца это требуется
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Fenix154
Fenix154 писал(а):
Вопрос, почему PE3 при нагрузке на 1 ядро не бустит выше 4,2? 4,2 он дает на любую нагрузку с любым кол-вом ядер (в отличие от PE1 и PE2, где буст на 1 ядро выше, чем когда нагрузка на все ядра)
режим офсет питания ПЛЮС
1usmus писал(а):
100% минимальное состояние процессора будет действительно 4,2 без изменений для всех ядер , выставишь минималку 5% и будет все работать как нужно
Fenix154 писал(а):
Как узнать, какое реальное напряжение подается на проц при PE3? у меня HWiNFO показывает 1,3в под нагрузкой в линксе по датчику процессора, но я очень сомневаюсь в этой цифре.
это верный вольтаж
Fenix154 писал(а):
Когда режим «precision boost override» enable - в таком случае все ограничения снимаются как при PE3?
Либо тот режим либо этот. В кучу смешивать ничего не нужно.
Fenix154 писал(а):
Чем тогда режим PE3 отличается от ручного разгона до частоты 4,2 при напряжении через офсет???
у меня PE3 это 4350 на 4 ядра и 4200 на 16 ядер, между частотами плавная кривая
Fenix154 писал(а):
Что лучше использовать (и безопаснее): (PE3 + напряжение на авто) или (PE2 + офсет + BCLK + «precision boost override» enable) или (ручной разгон на все ядра до 4,2 + напряжение офсетом)- ? У себя какой вариант, какие настройки используешь?
«precision boost override» enable и PE вместе использовать ЗАПРЕЩЕНО ! Aвто вольтаж использовать не рекомендуется в принципе . Разгон через BCLK требует ювелирной настройки вольтажа PLL - без этого успеха не будет.
Fenix154 писал(а):
У себя какой вариант, какие настройки используешь?
настройки
[2018/06/21 12:25:19]
Ai Overclock Tuner [Manual] eCLK Mode [Synchronous mode] BCLK Frequency [100.0000] BCLK_Divider [Auto] Performance Enhancer [Level 3 (OC)] CPU Core Ratio [Auto] Performance Bias [CB15] Memory Frequency [DDR4-3266MHz] Core Performance Boost [Enabled] SMT Mode [Enabled]
Mem Over Clock Fail Count [1] DRAM CAS# Latency [14] DRAM RAS# to CAS# Read Delay [14] DRAM RAS# to CAS# Write Delay [14] DRAM RAS# PRE Time [14] DRAM RAS# ACT Time [28] Trc [42] TrrdS [4] TrrdL [6] Tfaw [24] TwtrS [4] TwtrL [12] Twr [10] Trcpage [Auto] TrdrdScl [2] TwrwrScl [2] Trfc [261] Trfc2 [Auto] Trfc4 [Auto] Tcwl [14] Trtp [8] Trdwr [6] Twrrd [3] TwrwrSc [Auto] TwrwrSd [Auto] TwrwrDd [Auto] TrdrdSc [Auto] TrdrdSd [Auto] TrdrdDd [Auto] Tcke [1] ProcODT [60 ohm] Cmd2T [Auto] Gear Down Mode [Auto] Power Down Enable [Disabled] RttNom [RZQ/7] RttWr [RZQ/3] RttPark [RZQ/1] MemAddrCmdSetup [Auto] MemCsOdtSetup [Auto] MemCkeSetup [Auto] MemCadBusClkDrvStren [20.0 Ohm] MemCadBusAddrCmdDrvStren [20.0 Ohm] MemCadBusCsOdtDrvStren [20.0 Ohm] MemCadBusCkeDrvStren [20.0 Ohm]
CPU Load-line Calibration [Level 3] CPU Current Capability [120%] CPU VRM Switching Frequency [Auto] VRM Spread Spectrum [Disabled] Active Frequency Mode [Disabled] CPU Power Duty Control [T.Probe] CPU Power Phase Control [Power Phase Response] Manual Adjustment [Ultra Fast] CPU Power Thermal Control [120] VDDSOC Load-line Calibration [Level 3] VDDSOC Current Capability [100%] VDDSOC Switching Frequency [Manual] Fixed VDDSOC Switching Frequency(KHz) [400] VDDSOC Phase Control [Optimized] DRAM Current Capability [100%] DRAM Power Phase Control [Extreme] DRAM Switching Frequency [Manual] Fixed DRAM Switching Frequency(KHz) [400] DRAM VBoot Voltage [Auto] VTTDDR Voltage [Auto] VPP_MEM Voltage [Auto] DRAM CTRL REF Voltage on CHA [Auto] DRAM CTRL REF Voltage on CHB [Auto] VDDP Voltage [Auto] VDDP Standby Voltage [Auto] 1.8V Standby Voltage [Auto] CPU 3.3v AUX [Auto] 2.5V SB Voltage [Auto] DRAM R1 Tune [Auto] DRAM R2 Tune [Auto] DRAM R3 Tune [Auto] DRAM R4 Tune [Auto] PCIE Tune R1 [Auto] PCIE Tune R2 [Auto] PCIE Tune R3 [Auto] PLL Tune R1 [Auto] PLL reference voltage [Auto] T Offset [Auto] Sense MI Skew [Enabled] Sense MI Offset [267] Promontory presence [Auto] Clock Amplitude [Auto] CLDO VDDP voltage [Auto] CPU Core Voltage [Offset mode] CPU Offset Mode Sign [+] - CPU Core Voltage Offset [0.01250] CPU SOC Voltage [Manual mode] - VDDSOC Voltage Override [1.02500] DRAM Voltage [1.36500] 1.8V PLL Voltage [1.80000] 1.05V SB Voltage [1.05000]
Super I/O Clock Skew [Disabled]
L1 Stream HW Prefetcher [Enable] L2 Stream HW Prefetcher [Enable] DRAM scrub time [Auto]
Redirect scrubber control [Auto] Disable DF sync flood propagation [Auto] Freeze DF module queues on error [Auto] GMI encryption control [Auto] xGMI encryption control [Auto] CC6 memory region encryption [Auto] Location of private memory regions [Auto] System probe filter [Auto] Memory interleaving [Auto] Memory interleaving size [Auto] Channel interleaving hash [Auto] Memory Clear [Disabled] ACPI SLIT Distance Control [Auto] Power Down Enable [Auto] Cmd2T [Auto] Gear Down Mode [Auto] CAD Bus Timing User Controls [Auto] CAD Bus Drive Strength User Controls [Auto] Data Bus Configuration User Controls [Auto] Data Poisoning [Auto] DRAM ECC Symbol Size [Auto] DRAM ECC Enable [Auto] TSME [Auto] Data Scramble [Auto] Chipselect Interleaving [Auto] BankGroupSwap [Auto] Address Hash Bank [Auto] Address Hash CS [Auto] MBIST Enable [Disabled] MBIST Aggressors [Auto] MBIST Per Bit Slave Die Reporting [Auto] IOMMU [Auto] Determinism Slider [Auto] cTDP Control [Auto] PSI [Auto] ACS Enable [Auto] PCIe ARI Support [Auto] CLDO_VDDP Control [Auto] HD Audio Enable [Auto] Force PCIe gen speed [Auto] Processor temperature Control [Auto] Precision Boost Overdrive [Auto] SOC OVERCLOCK VID [0] Mode0 [Auto]
Добавлено спустя 47 секунд: XRR
XRR писал(а):
И что в этом режиме получается? Сколько по всем ядрам, буст на 2-4?
скорее всего я внесу данные рекомендации в новый калькулятор
+ новость, замечен в продаже новый вид хьюниксов на c-die ядре, 18nm свежак, попадаются в g.skill sniper x 3600CL19 о потенциале ничего не известно, но один человек все же имеет и я с ним тесно общаюсь чтоб добавить данный вид памяти в калькулятор
DerPass не нужно его трогать, функция старая, отвечает за частоты BCLK (может серьезно просаживать)
Максимум чего смог пока добиться с дулрангом b-die - 3200 14-15-15-15-28. На 14-14-14-14-28 и на частотах выше с любыми таймингами testmem5 выдаёт ошибки. Можно с этим ещё что сделать или забить уже? Мать MSI x470 gaming M7, память Corsair CMR32GX4M2F3600C18, проц пока не гнал, сначала надо память добить)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.12.2011 Фото: 0
CMakeev писал(а):
Можно с этим ещё что сделать или забить уже?
Вопрос в том какие тайминги выше ты пытался взять и какое напряжение было, у твоей памяти есть вшитые spd профили от которых можно отталкиваться при попытках разгона, hw info покажет информацию по spd профилям для разгона, далее на основе таймингов в ns из тайфуна в калькуляторе смотришь какие есть варианты по работе с памятью, возможно для 3400 нужно будет использовать профиль от 3466. это самое простое что можно сказать для взятия 3400
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 08.04.2018 Фото: 2
CMakeev писал(а):
Максимум чего смог пока добиться с дулрангом b-die - 3200 14-15-15-15-28. На 14-14-14-14-28 и на частотах выше с любыми таймингами testmem5 выдаёт ошибки. Можно с этим ещё что сделать или забить уже? Мать MSI x470 gaming M7, память Corsair CMR32GX4M2F3600C18, проц пока не гнал, сначала надо память добить)
посмотри у меня в альбоме пресет на 3333cl14 и попробуй завести его на 3200 МГц плюс напряжение на память 1.39-1.42v и 1p8 = 1.85v - может поможет. tRFC начинай с 312 и ниже.
попробуй так tRAS 32-34 tRC 46-48 tRFC 350 tRRDl 8 tWRWRsd/dd 7 tRDRDscl/WRWRscl 3
Не помогло
vetern писал(а):
посмотри у меня в альбоме пресет на 3333cl14 и попробуй завести его на 3200 МГц плюс напряжение на память 1.39-1.42v и 1p8 = 1.85v - может поможет. tRFC начинай с 312 и ниже.
Не помогло
Squalla писал(а):
Вопрос в том какие тайминги выше ты пытался взять и какое напряжение было, у твоей памяти есть вшитые spd профили от которых можно отталкиваться при попытках разгона, hw info покажет информацию по spd профилям для разгона, далее на основе таймингов в ns из тайфуна в калькуляторе смотришь какие есть варианты по работе с памятью, возможно для 3400 нужно будет использовать профиль от 3466. это самое простое что можно сказать для взятия 3400
Вплоть до 20-20-20-20-40 пытался, ошибки в тесте всё равно. Напряжение максимум на 1.4 ставил. XMP профиль на 3333 с родными конскими таймингами - тоже ошибки. А где в тайфуне посмотреть наносекунды то? Я никак не смог найти
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 08.04.2018 Фото: 2
CMakeev писал(а):
Не помогло
Вопрос на всякий случай - у тебя память в слотах A2-B2(2й и 4й от процессора) установлена? Ну а в общем дуалранг и на интоле тяжко гонится, стабилизируй 3200 до выхода новой агесы и/или результатов исследования тов. 1usmus разгона его дуалов на этой матери.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения