- Какие пределы по вольтажу для ZEN+? - Для ZEN+ предел стабильности кремния (LP12) по вольтажу: для всех ядер 1,330 и 1,425 для одного ядра при условии PBO Scalar 1X (это стоит у всех мат плат по дефолту без исключения). Для PBO Scalar 10X это 1,400 и 1,480 соответственно. Выше - гарантированные проблемы с TDP и со стабильностью. То-есть если вы наваливаете свыше 1,48 для разгона по всем ядрам - процесс деградации процессора запущен.Норма до 1,45.
- Какую температуру не стоит превышать при разгоне? - 80-85 градусов максимально допустимая. Рекомендуемая рабочая 70-75 (это не касается стресс пакетов).
- Гонится ли лучше ОЗУ на ZEN+? - Нет, контроллер памяти идентичен прошлому поколению, даже имеет идентичные прошивки. Единственно улучшение - более низкая потребность в SOC voltage. Статистика разгона памяти : 3400 МГц - 12,5% образцов , 3466 МГц - 25,0% образцов ,3533 МГц - 62,5% образцов при условии использования памяти на чипах Samsung b-die.
- Имеют ли материнские платы на чипсете X470 преимущества перед X370? - Единственное преимущество - улучшенный разгон ОЗУ. Только X470 имеет улучшенное экранирование шин, улучшенную топологию шин, заземление DIMM разъемов + измененный дизайн VRM(они стали холоднее). По разгону процйессора - отличий нет.
- Precision boost override доступен только для X470? - Нет, данная функция доступна и X370 и 350 и 320, но с модифицированным биосом, который можно скачать в этой шапке.
- Как настроить вольтаж CPU чтоб работало энергосбережение + сброс частоты в простое? - Через режим Offset +
- Стоит ли использовать P-state разгон? - Смысла в данном виде разгона нет, даже при ручном разгоне на последних AGESA был добавлен автоматический режим энергосбережения
- Можно ли настроить отдельно разгон для одного ядра и для всех остальных? - Частично да, но на материнских платах со встроенным BCLK. Вольтаж процессора через Offset + , множитель авто, BCLK 100-101.4. Абсолютно реально получить 4450 мгц для одного ядра (разумеется если экземпляр процессора попался удачный). Так же некоторые материнские платы имеют функцию дополнительно авторазгона, к примеру на ASUS crosshair 6/7 есть функция PE (performance enhancer) которая позволяет добавить частоту для всех ядер до 4,2-4,3 ггц + буст одного ядра до 4350мгц.
- Какая память (на каких чипах) предпочтительна для ZEN+? - Samsung b-die имеет наилучшую совместимость и разгонный потенциал
- Какой рекомендуемый вольтаж для SOC при разгоне ОЗУ? - 1,025 - 1,056 вольта достаточно чтоб достичь 3533мгц. Предел 1,17.
Убедительная просьба, прячьте все (любые) картинки и видео под спойлер - [spoiler=][/spoilеr], не используйте тэг [spoilеr][/spoilеr] без знака "равно" для картинок - он для текста! Уважайте друг друга! Не у всех Интернет безлимитный и многие смотрят эту тему через телефон.
Флуд и оффтоп даже под тэгом /офф или /спойлер - награждается ЖК, как и ответы на сообщения, его содержащие. Краткие правила темы. Увидели сообщение, нарушающее правила - просто жмите СК: отвечать на такие посты не нужно!
Последний раз редактировалось 1usmus 06.07.2019 17:22, всего редактировалось 95 раз(а).
В чем может быть проблема ? память работала на вольтаже 1.36 без ошибок, пару дней, проверки тест5 с песетом не давали ошибок, сегодня посыпались, поднял до 1.39 все в норме .
Мемbеr
Статус: Не в сети Регистрация: 13.09.2012 Откуда: Москва Фото: 19
Dark_Cloud писал(а):
Устал бороться, даже 3400 не удалось избавить от ошибок. Перешился на предыдущий биос
О чем я говорил тебе несколько дней назад. Лучше подумай, как еще бустануть рабочие тайминги на старом биосе. tRFC 464 я проверил, все нормально, вместо 485 подходит. На 406 (7 циклов tRC) система виснет. Видимо память уже не может столько или другие тайминги надо крутить еще.
Advanced member
Статус: В сети Регистрация: 29.03.2017
Подвезу ка я вам ещё немного инфы по таймингам. В этот раз я затрону тайминг CKE. GearDown, PowerDown, SelfRefresh Тайминг применяется при работе этих режимов. Поддержание, вход, выход из этих режимов. Минимальный тайминг CKE=3 необходимый для корректной работы как минимум PD не менялся со времён DDR2.
Цитата:
To ensure signal stability and synchronization, CKE in DDR2 SDRAM must remain LOW or HIGH for at least tCKE (MIN) = 3 x tCK any time there is a CKE signal transition.
В DDR4 Также указано его минимальное значение для PD и оно по прежнему 3такта, правда добавили ещё 5 нс( смотря, что больше) Тем не менее минимальная тройка никуда не делась. Также так как этот тайминг применяется к процедуре SelfRefresh возможно он может влиять на разгон RFC.
С чего у меня назревает вопрос. Люди у которых CKE<3 работает. Работает ли у вас PD с ним? есть ли рост производительности при CKE<3?
Добавлено спустя 4 минуты 39 секунд: Dark_Cloud RCD никак не связан с RFC. Вот совсем. Если там и есть какая-то зависимость то она оооочень отдалённая. Вот RAS+RP и RC с RFC связаны прямо. А RCD во время RFC вообще никогда не применяется так как этотайминг задержки доступа к данным, какой нафиг доступ к данным в строках которые на обновлении? Если там и есть зависомсть то только из за того что с агрессивным RCD память чуть сильнее греется...
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Agiliter предложение включить PD c 1? единица там немного другую историю имеет:ввиду того что RTC не выводит PD догооврились о том что будем ставить еденицу когда PD выключен
Advanced member
Статус: В сети Регистрация: 29.03.2017
Могу предположить, что просто значение RAS подстраивалось под RCD. Так как RAS не может быть меньше RCD+CL ни при каких условиях насколько мне известно. То есть по факту он крутил не RCD.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
Agiliter писал(а):
RCD никак не связан с RFC
А как тогда поймёт наш вордлайн драйвер, что мы обновляем именно этк строку, а не вон ту? Как он её откроет? Контроллер решает, когда должно начаться обновление, и посылает одну из комард на обновление строк На драйвер в итоге должна прилететь команда Refresh и номер строки. Спустя TRCDRD тактов оН её открывает. Происходит подключение битовой линии к сенс ампам, после чего они заряжают конденсаторы обратно. Проблема в том, что мы не знаем какой тайминг обрывает зарядку конденсатора. Я не думаю, что это tcl, так как глупо использовать тайминг для одной операции с внешней шиной в другой, внутренней, операции. Возможно дальше идёт RTP, потому что,собственно, это(read to precharge) и происходит. Затем, команда precharge приводит заряд паразитного конденсатора в норму и отключает строку на последнем такте trp. По крайней мере, это звучит логичнее, чем ожидание обычного tRC, которое включает передачу слова на внешнюю шину, чего не требуется при обновлении.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения