- Какие пределы по вольтажу для ZEN+? - Для ZEN+ предел стабильности кремния (LP12) по вольтажу: для всех ядер 1,330 и 1,425 для одного ядра при условии PBO Scalar 1X (это стоит у всех мат плат по дефолту без исключения). Для PBO Scalar 10X это 1,400 и 1,480 соответственно. Выше - гарантированные проблемы с TDP и со стабильностью. То-есть если вы наваливаете свыше 1,48 для разгона по всем ядрам - процесс деградации процессора запущен.Норма до 1,45.
- Какую температуру не стоит превышать при разгоне? - 80-85 градусов максимально допустимая. Рекомендуемая рабочая 70-75 (это не касается стресс пакетов).
- Гонится ли лучше ОЗУ на ZEN+? - Нет, контроллер памяти идентичен прошлому поколению, даже имеет идентичные прошивки. Единственно улучшение - более низкая потребность в SOC voltage. Статистика разгона памяти : 3400 МГц - 12,5% образцов , 3466 МГц - 25,0% образцов ,3533 МГц - 62,5% образцов при условии использования памяти на чипах Samsung b-die.
- Имеют ли материнские платы на чипсете X470 преимущества перед X370? - Единственное преимущество - улучшенный разгон ОЗУ. Только X470 имеет улучшенное экранирование шин, улучшенную топологию шин, заземление DIMM разъемов + измененный дизайн VRM(они стали холоднее). По разгону процйессора - отличий нет.
- Precision boost override доступен только для X470? - Нет, данная функция доступна и X370 и 350 и 320, но с модифицированным биосом, который можно скачать в этой шапке.
- Как настроить вольтаж CPU чтоб работало энергосбережение + сброс частоты в простое? - Через режим Offset +
- Стоит ли использовать P-state разгон? - Смысла в данном виде разгона нет, даже при ручном разгоне на последних AGESA был добавлен автоматический режим энергосбережения
- Можно ли настроить отдельно разгон для одного ядра и для всех остальных? - Частично да, но на материнских платах со встроенным BCLK. Вольтаж процессора через Offset + , множитель авто, BCLK 100-101.4. Абсолютно реально получить 4450 мгц для одного ядра (разумеется если экземпляр процессора попался удачный). Так же некоторые материнские платы имеют функцию дополнительно авторазгона, к примеру на ASUS crosshair 6/7 есть функция PE (performance enhancer) которая позволяет добавить частоту для всех ядер до 4,2-4,3 ггц + буст одного ядра до 4350мгц.
- Какая память (на каких чипах) предпочтительна для ZEN+? - Samsung b-die имеет наилучшую совместимость и разгонный потенциал
- Какой рекомендуемый вольтаж для SOC при разгоне ОЗУ? - 1,025 - 1,056 вольта достаточно чтоб достичь 3533мгц. Предел 1,17.
Убедительная просьба, прячьте все (любые) картинки и видео под спойлер - [spoiler=][/spoilеr], не используйте тэг [spoilеr][/spoilеr] без знака "равно" для картинок - он для текста! Уважайте друг друга! Не у всех Интернет безлимитный и многие смотрят эту тему через телефон.
Флуд и оффтоп даже под тэгом /офф или /спойлер - награждается ЖК, как и ответы на сообщения, его содержащие. Краткие правила темы. Увидели сообщение, нарушающее правила - просто жмите СК: отвечать на такие посты не нужно!
Последний раз редактировалось 1usmus 06.07.2019 17:22, всего редактировалось 95 раз(а).
Хочу выложить сравнение 8700 и 2700Х на одной и той же системе, с одной и той же видюхой на 8700 была оператива с 3200 16-18-18-36 на райзене 2700Х
вот такая:
Вложение:
3.JPG
сток по процам и там и там
8700:
Вложение:
8700.jpg
2700Х:
Вложение:
2700Х.jpg
видеокарта GTX 1080 TI
Я так и не понял, во что у вас уперся результат на 2700Х, но у меня на 2700Х в паре с 1050 Ти на максималках (но низком разрешении, чтоб в карту сильно не упиралось) вышло совсем другое:
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2008 Откуда: Москва Фото: 5
Кто-нибудь разобрался с режимами автобуста PE3 и PE4?
Попробовал у себя, тянет полностью стабильно только PE3 - но много непонятного: выдает 4,2 Ггц при любой нагрузке на любое кол-во ядер, напряжение ставит 1,3в, в линксе показывает потребление 120Вт и мониторинг половины датчиков исчезает. По ощущения от воздуха из радиаторов там больше 120Вт. Изменение лимитов мощности, тока и температуры ни на что не влияло в режиме PE3 ..... Почему? Тогда какое там реальное напряжение? И безопасно ли оно для процессора?
Какой режим автобуста (PE) лучше использовать, какие настройки?
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Fenix154 А профиль питания о котором говорит мат плата кто выбирать будет ? 100 минимальное состояние будет действительно 4,2 без изменений , выставишь минималку 5% и будет все работать как нужно (это дефолт)
Этот режим снимает все ограничения в том числе защиту, отключает датчики.Реально там под 200вт, без воды включать его опасно. Ещё для него нужно ставить офсет + 0,0125, LLC3
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2008 Откуда: Москва Фото: 5
1usmus писал(а):
Fenix154 А профиль питания о котором говорит мат плата кто выбирать будет ? 100 минимальное состояние будет действительно 4,2 без изменений , выставишь минималку 5% и будет все работать как нужно (это дефолт)
Этот режим снимает все ограничения в том числе защиту, отключает датчики.Реально там под 200вт, без воды включать его опасно. Ещё для него нужно ставить офсет + 0,0125, LLC3
Профиль питания в виндоусе конечно выставлял сбалансированный (как пишет биос). В принципе пару раз поменять 3 разных профиля и тогда можно и сбалансированный райзен ставить (будет так же работать как и просто сбалансированный) - видимо глюк виндоуса. Вопрос, почему PE3 при нагрузке на 1 ядро не бустит выше 4,2? 4,2 он дает на любую нагрузку с любым кол-вом ядер (в отличие от PE1 и PE2, где буст на 1 ядро выше, чем когда нагрузка на все ядра) Как узнать, какое реальное напряжение подается на проц при PE3? у меня HWiNFO показывает 1,3в под нагрузкой в линксе по датчику процессора, но я очень сомневаюсь в этой цифре. Это напряжение в режиме авто без офсета с LLC4. Вроде стабильно в тестах. Проблем с охлаждением нет - стоит кастомная вода.
Когда режим «precision boost override» enable - в таком случае все ограничения снимаются как при PE3?
Чем тогда режим PE3 отличается от ручного разгона до частоты 4,2 при напряжении через офсет???
Что лучше использовать (и безопаснее): (PE3 + напряжение на авто) или (PE2 + офсет + BCLK + «precision boost override» enable) или (ручной разгон на все ядра до 4,2 + напряжение офсетом)- ? У себя какой вариант, какие настройки используешь?
Последний раз редактировалось Fenix154 21.06.2018 11:36, всего редактировалось 4 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.04.2005 Откуда: Москва Фото: 57
1usmus писал(а):
Этот режим снимает все ограничения в том числе защиту, отключает датчики.Реально там под 200вт, без воды включать его опасно. Ещё для него нужно ставить офсет + 0,0125, LLC3 PE4 для отборных камней и супер охлаждений
И что в этом режиме получается? Сколько по всем ядрам, буст на 2-4?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.12.2011 Фото: 0
Fenix154 писал(а):
Что лучше использовать (и безопаснее): (PE3 + напряжение на авто) или (PE2 + офсет + BCLK + «precision boost override» enable) - ? У себя какой вариант, какие настройки используешь?
Blck может не стабильно работать с памятью, pbo override включить это далеко не конец настроек для pbo режима, теоретически и одного pbo нормально настроенного хватит. Вопрос чего достичь пытаешься, если это 4.2 то зависит от того для какой нагрузки проца это требуется
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Fenix154
Fenix154 писал(а):
Вопрос, почему PE3 при нагрузке на 1 ядро не бустит выше 4,2? 4,2 он дает на любую нагрузку с любым кол-вом ядер (в отличие от PE1 и PE2, где буст на 1 ядро выше, чем когда нагрузка на все ядра)
режим офсет питания ПЛЮС
1usmus писал(а):
100% минимальное состояние процессора будет действительно 4,2 без изменений для всех ядер , выставишь минималку 5% и будет все работать как нужно
Fenix154 писал(а):
Как узнать, какое реальное напряжение подается на проц при PE3? у меня HWiNFO показывает 1,3в под нагрузкой в линксе по датчику процессора, но я очень сомневаюсь в этой цифре.
это верный вольтаж
Fenix154 писал(а):
Когда режим «precision boost override» enable - в таком случае все ограничения снимаются как при PE3?
Либо тот режим либо этот. В кучу смешивать ничего не нужно.
Fenix154 писал(а):
Чем тогда режим PE3 отличается от ручного разгона до частоты 4,2 при напряжении через офсет???
у меня PE3 это 4350 на 4 ядра и 4200 на 16 ядер, между частотами плавная кривая
Fenix154 писал(а):
Что лучше использовать (и безопаснее): (PE3 + напряжение на авто) или (PE2 + офсет + BCLK + «precision boost override» enable) или (ручной разгон на все ядра до 4,2 + напряжение офсетом)- ? У себя какой вариант, какие настройки используешь?
«precision boost override» enable и PE вместе использовать ЗАПРЕЩЕНО ! Aвто вольтаж использовать не рекомендуется в принципе . Разгон через BCLK требует ювелирной настройки вольтажа PLL - без этого успеха не будет.
Fenix154 писал(а):
У себя какой вариант, какие настройки используешь?
настройки
[2018/06/21 12:25:19]
Ai Overclock Tuner [Manual] eCLK Mode [Synchronous mode] BCLK Frequency [100.0000] BCLK_Divider [Auto] Performance Enhancer [Level 3 (OC)] CPU Core Ratio [Auto] Performance Bias [CB15] Memory Frequency [DDR4-3266MHz] Core Performance Boost [Enabled] SMT Mode [Enabled]
Mem Over Clock Fail Count [1] DRAM CAS# Latency [14] DRAM RAS# to CAS# Read Delay [14] DRAM RAS# to CAS# Write Delay [14] DRAM RAS# PRE Time [14] DRAM RAS# ACT Time [28] Trc [42] TrrdS [4] TrrdL [6] Tfaw [24] TwtrS [4] TwtrL [12] Twr [10] Trcpage [Auto] TrdrdScl [2] TwrwrScl [2] Trfc [261] Trfc2 [Auto] Trfc4 [Auto] Tcwl [14] Trtp [8] Trdwr [6] Twrrd [3] TwrwrSc [Auto] TwrwrSd [Auto] TwrwrDd [Auto] TrdrdSc [Auto] TrdrdSd [Auto] TrdrdDd [Auto] Tcke [1] ProcODT [60 ohm] Cmd2T [Auto] Gear Down Mode [Auto] Power Down Enable [Disabled] RttNom [RZQ/7] RttWr [RZQ/3] RttPark [RZQ/1] MemAddrCmdSetup [Auto] MemCsOdtSetup [Auto] MemCkeSetup [Auto] MemCadBusClkDrvStren [20.0 Ohm] MemCadBusAddrCmdDrvStren [20.0 Ohm] MemCadBusCsOdtDrvStren [20.0 Ohm] MemCadBusCkeDrvStren [20.0 Ohm]
CPU Load-line Calibration [Level 3] CPU Current Capability [120%] CPU VRM Switching Frequency [Auto] VRM Spread Spectrum [Disabled] Active Frequency Mode [Disabled] CPU Power Duty Control [T.Probe] CPU Power Phase Control [Power Phase Response] Manual Adjustment [Ultra Fast] CPU Power Thermal Control [120] VDDSOC Load-line Calibration [Level 3] VDDSOC Current Capability [100%] VDDSOC Switching Frequency [Manual] Fixed VDDSOC Switching Frequency(KHz) [400] VDDSOC Phase Control [Optimized] DRAM Current Capability [100%] DRAM Power Phase Control [Extreme] DRAM Switching Frequency [Manual] Fixed DRAM Switching Frequency(KHz) [400] DRAM VBoot Voltage [Auto] VTTDDR Voltage [Auto] VPP_MEM Voltage [Auto] DRAM CTRL REF Voltage on CHA [Auto] DRAM CTRL REF Voltage on CHB [Auto] VDDP Voltage [Auto] VDDP Standby Voltage [Auto] 1.8V Standby Voltage [Auto] CPU 3.3v AUX [Auto] 2.5V SB Voltage [Auto] DRAM R1 Tune [Auto] DRAM R2 Tune [Auto] DRAM R3 Tune [Auto] DRAM R4 Tune [Auto] PCIE Tune R1 [Auto] PCIE Tune R2 [Auto] PCIE Tune R3 [Auto] PLL Tune R1 [Auto] PLL reference voltage [Auto] T Offset [Auto] Sense MI Skew [Enabled] Sense MI Offset [267] Promontory presence [Auto] Clock Amplitude [Auto] CLDO VDDP voltage [Auto] CPU Core Voltage [Offset mode] CPU Offset Mode Sign [+] - CPU Core Voltage Offset [0.01250] CPU SOC Voltage [Manual mode] - VDDSOC Voltage Override [1.02500] DRAM Voltage [1.36500] 1.8V PLL Voltage [1.80000] 1.05V SB Voltage [1.05000]
Super I/O Clock Skew [Disabled]
L1 Stream HW Prefetcher [Enable] L2 Stream HW Prefetcher [Enable] DRAM scrub time [Auto]
Redirect scrubber control [Auto] Disable DF sync flood propagation [Auto] Freeze DF module queues on error [Auto] GMI encryption control [Auto] xGMI encryption control [Auto] CC6 memory region encryption [Auto] Location of private memory regions [Auto] System probe filter [Auto] Memory interleaving [Auto] Memory interleaving size [Auto] Channel interleaving hash [Auto] Memory Clear [Disabled] ACPI SLIT Distance Control [Auto] Power Down Enable [Auto] Cmd2T [Auto] Gear Down Mode [Auto] CAD Bus Timing User Controls [Auto] CAD Bus Drive Strength User Controls [Auto] Data Bus Configuration User Controls [Auto] Data Poisoning [Auto] DRAM ECC Symbol Size [Auto] DRAM ECC Enable [Auto] TSME [Auto] Data Scramble [Auto] Chipselect Interleaving [Auto] BankGroupSwap [Auto] Address Hash Bank [Auto] Address Hash CS [Auto] MBIST Enable [Disabled] MBIST Aggressors [Auto] MBIST Per Bit Slave Die Reporting [Auto] IOMMU [Auto] Determinism Slider [Auto] cTDP Control [Auto] PSI [Auto] ACS Enable [Auto] PCIe ARI Support [Auto] CLDO_VDDP Control [Auto] HD Audio Enable [Auto] Force PCIe gen speed [Auto] Processor temperature Control [Auto] Precision Boost Overdrive [Auto] SOC OVERCLOCK VID [0] Mode0 [Auto]
Добавлено спустя 47 секунд: XRR
XRR писал(а):
И что в этом режиме получается? Сколько по всем ядрам, буст на 2-4?
скорее всего я внесу данные рекомендации в новый калькулятор
+ новость, замечен в продаже новый вид хьюниксов на c-die ядре, 18nm свежак, попадаются в g.skill sniper x 3600CL19 о потенциале ничего не известно, но один человек все же имеет и я с ним тесно общаюсь чтоб добавить данный вид памяти в калькулятор
DerPass не нужно его трогать, функция старая, отвечает за частоты BCLK (может серьезно просаживать)
Максимум чего смог пока добиться с дулрангом b-die - 3200 14-15-15-15-28. На 14-14-14-14-28 и на частотах выше с любыми таймингами testmem5 выдаёт ошибки. Можно с этим ещё что сделать или забить уже? Мать MSI x470 gaming M7, память Corsair CMR32GX4M2F3600C18, проц пока не гнал, сначала надо память добить)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.12.2011 Фото: 0
CMakeev писал(а):
Можно с этим ещё что сделать или забить уже?
Вопрос в том какие тайминги выше ты пытался взять и какое напряжение было, у твоей памяти есть вшитые spd профили от которых можно отталкиваться при попытках разгона, hw info покажет информацию по spd профилям для разгона, далее на основе таймингов в ns из тайфуна в калькуляторе смотришь какие есть варианты по работе с памятью, возможно для 3400 нужно будет использовать профиль от 3466. это самое простое что можно сказать для взятия 3400
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 08.04.2018 Фото: 2
CMakeev писал(а):
Максимум чего смог пока добиться с дулрангом b-die - 3200 14-15-15-15-28. На 14-14-14-14-28 и на частотах выше с любыми таймингами testmem5 выдаёт ошибки. Можно с этим ещё что сделать или забить уже? Мать MSI x470 gaming M7, память Corsair CMR32GX4M2F3600C18, проц пока не гнал, сначала надо память добить)
посмотри у меня в альбоме пресет на 3333cl14 и попробуй завести его на 3200 МГц плюс напряжение на память 1.39-1.42v и 1p8 = 1.85v - может поможет. tRFC начинай с 312 и ниже.
попробуй так tRAS 32-34 tRC 46-48 tRFC 350 tRRDl 8 tWRWRsd/dd 7 tRDRDscl/WRWRscl 3
Не помогло
vetern писал(а):
посмотри у меня в альбоме пресет на 3333cl14 и попробуй завести его на 3200 МГц плюс напряжение на память 1.39-1.42v и 1p8 = 1.85v - может поможет. tRFC начинай с 312 и ниже.
Не помогло
Squalla писал(а):
Вопрос в том какие тайминги выше ты пытался взять и какое напряжение было, у твоей памяти есть вшитые spd профили от которых можно отталкиваться при попытках разгона, hw info покажет информацию по spd профилям для разгона, далее на основе таймингов в ns из тайфуна в калькуляторе смотришь какие есть варианты по работе с памятью, возможно для 3400 нужно будет использовать профиль от 3466. это самое простое что можно сказать для взятия 3400
Вплоть до 20-20-20-20-40 пытался, ошибки в тесте всё равно. Напряжение максимум на 1.4 ставил. XMP профиль на 3333 с родными конскими таймингами - тоже ошибки. А где в тайфуне посмотреть наносекунды то? Я никак не смог найти
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 08.04.2018 Фото: 2
CMakeev писал(а):
Не помогло
Вопрос на всякий случай - у тебя память в слотах A2-B2(2й и 4й от процессора) установлена? Ну а в общем дуалранг и на интоле тяжко гонится, стабилизируй 3200 до выхода новой агесы и/или результатов исследования тов. 1usmus разгона его дуалов на этой матери.
Сейчас этот форум просматривают: commanderx и гости: 47
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения