zauropod, да брось ты, "2-3 итерации" ))
Принципы весьма просты.
1. про автоматическую трассировку можно сразу забыть.
2. главное не кол-во слоев в плате, а соблюдение Z. Я слабо представляю 50 Ом для двухсторонней платы, как-бы такими бревнами плату не разведешь. Так что - 4 слоя минимум, причем придется использовать тонкий препрег к толстому ядру.
3.а память, данные: все трассы в группе должны разводиться строго одинаково (единый слой, равное кол-во переходок (=0), строго равная длина). Допуск длин не более 50-20 мил. Разные группы можно разводить в разных слоях.
КРАЙНЕ желательно выполнять трассировку ТОЛЬКО во внешних слоях.
Сигнал стробирования группы должен идти в своей группе, причем на тех же условиях.
Послабление - цепи данных в группе можно переставлять. "Группа" - это 8 бит.
3.б память, управление: требования значительно мягче.
4. трассировка шин питания и ref - полигонами. Около каждого вывода переходка (в худшем случае - одна на две соседние)
5. ОДИН СЛОЙ ПЛАТЫ СЛЕДУЕТ ОТДАТЬ ПОД GND.
Нарушение любого пункта означает неработающую память.
Блокировочные конденсаторы - множество 0.1u 0603 или 0402, плюс несколько 1-10u 0805 или 1206 по шинам питания и ref.
При малой длине и качественной разводке терминация не требуется.

Для 4-слойной платы я развожу данные во внешних слоях, управление во внутреннем слое + питание и ref, второй внутрений персонально под GND. Причем, в этом слое нет никаких других трассировок! Один слой только под землю.

P.S.
Внутренние слои гораздо дефектнее внешних, плюс в них очень большое поглощение ВЧ сигнала, поэтому ответственные сигнальные трассы следует разводить только на внешних сторонах платы.