Говоря о технической стороне реализации L4-кеша в процессорах Broadwell, необходимо подчеркнуть, что в них используется точно такая же схема, как и в Haswell, и точно тот же самый 22-нм кристалл кеш-памяти Crystalwell. Он имеет 16-кратную ассоциативность, работает на частоте 1600 МГц и общается с процессором по 256-битной двунаправленной шине, обеспечивая пиковую пропускную способность на уровне 51,2 Гбайт/с в каждую сторону (102,4 Гбайт/с суммарно). Иными словами, eDRAM-кеш при двустороннем обмене данными предлагает примерно вчетверо лучшую производительность, чем обычная системная память, являясь тем самым прекрасным посредником между ней и встроенным в процессор L3-кешем.
Эффект, привносимый Crystalwell, нетрудно заметить при измерении практической пропускной способности и латентности во время операций с блоками данных разного размера. Вот, например, как проявляется наличие eDRAM в тестах SiSoftware Sandra 2015.
#77
#77
Латентность основанного на eDRAM L4-кеша составляет 55 тактов, а практическая пропускная способность оказывается примерно вдвое выше, чем у установленной в нашей тестовой системе двухканальной DDR3-1866 SDRAM.