AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.04.2018 Откуда: Пермь
добрый день! Имею память (в подписи) работает 4233 19-19-19-39 1,4 В. (ХМР на МП переключатель выключен, ставлю из профиля ХМР 4233 остальное руками) имеет ли смысл и возможность, погнать еще выше, или остановиться на этом и пробовать ужимать тайминги?
_________________ 8700k@4,8/Z370 Gaming K6/Deepcool MAELSTROM 240T/Thermaltake Smart Pro RGB 850 Вт /F4-4266C19D-16GTZR 2х8/RX 6800XT 16Gb/980 Pro 1Tb
Сразу вопрос: Есть G.Skill 3200 CL14. Могу разогнать (не трогая других таймингов) 3400 CL14, 3600 CL15, 3800 CL16. Но ни в одном из этих случаев (включая родной режим ХМР 3200 CL14) не удается снизить tCR до 1 (везде tCR=2, повышал напряжение до 1,41в, VCCIO=VCCSA=1,25В, дальше боюсь). Насколько tCR важный тайминг? В каком направлении двигаться, чтобы его снизить до 1? Возможно ли, что его удастся снизить после настройки вторичных и т.д. таймингов? Что бы вы посоветовали здесь изменить?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.02.2011 Откуда: Россия, Новосиб Фото: 18
У профильной матери есть встроенные презеты разгона ОЗУ, согласно производителю чипов и рангам, вот только вольтаж она им хочет выставить 1.4V-1.5V это вообще безопасно для DDR4? Или все это только для бенч сессий?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.07.2018 Фото: 8
JayK 3000-3600 Мгц обычно 1.35 В, это 100% безопасное напряжение. 3800-4000 уже 1.4 В, в принципе тоже безопасное, смотря какая память, есть много кИтов с хмр-профилями на 1.4, но там чипы отборные. Насколько безопасно ставить 1.4 В на "обычную" оем-память информации нет, как и плача "через 2 года сгорело", так что на хорошей плате и с грамотной настройкой я бы тоже сказал что безопасно. Никакие "пресеты", как и хмр-профили я бы ставить не рекомендовал, только ручной разгон, с базовой частотой/таймингами и напряжениями разобраться несложно, в соседних темах поищите.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.02.2011 Откуда: Россия, Новосиб Фото: 18
Battlenelf писал(а):
есть много кИтов с хмр-профилями на 1.4, но там чипы отборные
ну у меня не жскилл, но тоже не на помойке нашел, 3400 на 1.35 родное xmp самсунг би дай
Battlenelf писал(а):
Никакие "пресеты", как и хмр-профили я бы ставить не рекомендовал
да я так и делаю, тем более что хмп на профильной плате убивает процы, но зачем то туда асус эти презеты напихал, вечером сфотаю. И ведь если бы они что то убивали их бы судами загнобили... хотя.... процы же жгут десятками и делают покерфейс...
Battlenelf писал(а):
3000-3600 Мгц обычно
больше 3600 она и не возьмет никогда из за контроллера и четырехканала, вопрос в таймингах больше
Добавлено спустя 1 минуту 52 секунды:
aleksei123321 писал(а):
его ам4 с твоим интелом? это две приличные разницы
Статус: Не в сети Регистрация: 08.06.2013 Откуда: Владивосток
JayK писал(а):
да у меня не ам4 н
а при чем здесb вы? посмотрите внимателbно мою цитату в предыдущем посте,я зацитировал текст от Зяба ,и данная зацитированная мною частb сообщения в его сообщении шла ответом не для вас.
_________________ Palit GTX1070 jetstream | Ryzen7_1700_3,9_1,3v | ASUS Crosshair VI | HOF 3466Mhz 14-15-11
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.02.2011 Откуда: Россия, Новосиб Фото: 18
#77 В общем там вот такая дичь, асус на полном серьезе предлагает подать на память 1.85 Я не собираюсь юзать эти презеты, просто хотелось бы понять, ЗАЧЕМ!?
TestMem5 не говорит о 100% стабильности, проверяю дотой - вылетает, значит память не стабильна! В других играх редко вылетает. И не надо говорить что дота сама вылетает, на пониженной частоте она никогда не вылетает. DRAM Calculator for Ryzen™ 1.4.0.1 - дичь полнейшая, ставлю по нему - результат в аиде бенч хуже, чем пресеты от MSI. Двухранговая память. Не могу добиться стабильности на частоте 3200Mhz. Тайминги 18 18 18 38 74. Напряжение 1.38-1.39 ставлю. Тесты проходит, лара крофт играет себе спокойно, а вот в доте оч часто вылетает, за игру раз 5. Подскажите какие тайминги попробовать? P.S. проц amd ryzen 2200g мать MSI B450M Pro-Vdh память DIMM3: Samsung M378A1G43EB1-CRC 2х8Gb
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения