AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.01.2008 Откуда: Тернополь (UA)
CPU: Core i5-8600K@4900MHz Motherboard: ASUS ROG Strix Z370-F Gaming DDR4: Team Dark Pro 3200 (14-14-14-31)@3900_16-16-16-32 2T 1.45В Немного ужал второстепенные тайминги. Следующий шаг - 4000МГц требует ослабления задержек, да и сама память выше 4100 все равно не заводится. Поэтому решил остановится на таком результате. https://imgur.com/zJTxlLb
_________________ Intel 8600K@4.9GHz Asus ROG Strix Z370-F gaming 2x8Gb Team Dark Pro 3200_14-14-14-31@3900_16-16-16-28 MSI GTX1080 GamingX+@2100MHz 750W Corsair RM750x
С-Die тюнингом пока не занимался, поставил 3000 CL20 1.35 - завелось, 3200 СL18 завелось, 3200 CL16 - завелось. Пробовел 3466 CL 16 и 3200 16-16-16-32 не заодится попозже еще покопаюсь. Напряжение выше-ниже не ставил
Скрин
#77
_________________ группа Призоловы конкурсы и розыгрыши https://vk.com/prizolovy_ru
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.01.2008 Откуда: Тернополь (UA)
iisysQQ писал(а):
Чот както не ок
Показатели скорости у Вас явно низкие для такой частоты памяти, особенно скорости записи и копирования. Посмотрите мои результаты на точно такой же частоте ОЗУ двумя постами выше и сравните.
_________________ Intel 8600K@4.9GHz Asus ROG Strix Z370-F gaming 2x8Gb Team Dark Pro 3200_14-14-14-31@3900_16-16-16-28 MSI GTX1080 GamingX+@2100MHz 750W Corsair RM750x
Показатели скорости у Вас явно низкие для такой частоты памяти, особенно скорости записи и копирования. Посмотрите мои результаты на точно такой же частоте ОЗУ двумя постами выше и сравните.
Вот и я не могу понять в чем дело. Наверно стоит вольтаж поднять. 1.35 видимо не хватает. З.Ы. скрин вторичных таймингов можете дать? >_> З.Ы.Ы. у вас, судя по подписи одноранговые чипы на 8ми гиговых плашках. Может проблема быть в том что у меня 16ти гиговки 2ранговые?
TSC! Russia member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.05.2011 Фото: 2
Приветствую друзья!) Наконец приехало ко мне мое железко) Asus ROG Crosshair VII Hero (Wi-Fi) 2700x G Skill Aegis F4-3000C16-16GISB x 4
я в разгоне АМД не в зуб ногой, выставил память по профилю 3000Mhz, как то еще озу и подсистему памяти разогнать можно? Как я понял прироста особого от разгона ЦП нет, а вот память решает. По этому сам проц и не особо гнать планирую, а вот инфинити фабрик и память хотелось бы.
PS От количества настроек рехнуться можно просто в бивисе...
_________________ 2700x/1080Ti/Corsair CMD32GX4M2C3200C16/ASUS ROG Crosshair VII Hero/960EVO/Intel DC P4510 4Tb/Seasonic Prime Ultra 1300 Platinum/Cougar PanzerMax
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.01.2008 Откуда: Тернополь (UA)
iisysQQ
iisysQQ писал(а):
скрин вторичных таймингов можете дать? >_>
Вот, пожалуйста, с такими основными и второстепенными таймингами у меня получились данные результаты. https://imgur.com/Om5wVnM https://imgur.com/Zc0oLtN А то, что у Вас двухранговые - наоборот лучше, быстродействие системы в реальных задачах с такой памятью, как правило, выше.
_________________ Intel 8600K@4.9GHz Asus ROG Strix Z370-F gaming 2x8Gb Team Dark Pro 3200_14-14-14-31@3900_16-16-16-28 MSI GTX1080 GamingX+@2100MHz 750W Corsair RM750x
Вот, пожалуйста, с такими основными и второстепенными таймингами у меня получились данные результаты. https://imgur.com/Om5wVnM https://imgur.com/Zc0oLtN А то, что у Вас двухранговые - наоборот лучше, быстродействие системы в реальных задачах с такой памятью, как правило, выше.
Спасибо. Двуранговые чипы лучше. Память хорошая. Мать тоже ничетак. Но почему же тогда просидает скорость записи? Q_Q З.Ы. на командрейте 1, кстати, все нормально с скоростями (~46к запись/чтение). Но та 1 память больше 3000 не берет Q_Q З.Ы.Ы. 16е тайминги на 3900 это сильно. У меня заводится на 18х. Правда на 1.35в.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.01.2008 Откуда: Тернополь (UA)
Namod писал(а):
подскажите какие тайминги покрутить чтобы улучшить задержку и скорость чтения и записи? На cl16 память не хочет работать.
Думаю, что для каждой системы и памяти лучше индивидуально искать оптимальные настройки, если нужно выжать абсолютный максимум из ОЗУ. Я считаю, что на сегодня уровень ~60ГБ/с для ДДР4 в двухканальном режиме - очень хороший результат. Выше только 3-4ох канальные режимы работы. Моя память никак выше 4000Мгц не хочет стабильно работать, а для 4ГГц ей нужно уже 16-17-17 и в результате быстродействие практически такое же как и при 3900 с 16-16-16. Для себя я пока выбрал последний вариант. И как видно - результаты не сильно хуже тех, что выше, где частота памяти 4100-4200МГц, а латентность даже немного лучше. Жаль, что завести память на 1Т никак не получается( https://imgur.com/yS5Ejgh https://imgur.com/xZxJWP7
_________________ Intel 8600K@4.9GHz Asus ROG Strix Z370-F gaming 2x8Gb Team Dark Pro 3200_14-14-14-31@3900_16-16-16-28 MSI GTX1080 GamingX+@2100MHz 750W Corsair RM750x
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.12.2014 Фото: 55
andrei_kovtun_78 Ну такая разница в latentcy - это погрешность. У тебя должно быть еще ниже при таком разгоне процессора и таймингах Вот тоже разогнал процессор и latency чуть упала. Но опять таки, это чуть ли не погрешность.
#77
А вот у меня получалось на другой системе сделать latency 34
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.01.2008 Откуда: Тернополь (UA)
fly1ngh1gh писал(а):
на другой системе сделать latency 34
На кэбилейках/скайлэййках латентность по умолчанию ниже чем на кофилэйках) Поэтому для них это норма. А вот на новых ЦП достичь 34нс - это талант и большое везение)
_________________ Intel 8600K@4.9GHz Asus ROG Strix Z370-F gaming 2x8Gb Team Dark Pro 3200_14-14-14-31@3900_16-16-16-28 MSI GTX1080 GamingX+@2100MHz 750W Corsair RM750x
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.09.2008 Откуда: Ярославль Фото: 0
flЯy1ngh1gh Я так понимаю - это косяк нашей памяти? Скорость чтения всегда ниже скорости записи. andrei_kovtun_78 Понятное дело что подбор таймингов индивиуальный. Вопрос был в другом, чего нужно ещё потыкать чтобы подтянуть скорость чтения к скорости записи? Латенси опустить смог только до 38.4 и то на cl16, тм5 на таком конфиге не проходит, ловит ошибку. Вообще память странная: 4100 @ cl17 - ok, а для 4200 уже нужно ставить cl19. Разница в 100мгц, а уже нужно тайминги так поднимать...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.09.2008 Откуда: Ярославль Фото: 0
fly1ngh1gh Ну с copy то всё понятно. Просто видел скрины аиды где скорость чтения и записи примерно равны на 1151v2. Для 4200 какое выставил напряжение vdimm, vccio, vcсsa?
Сейчас этот форум просматривают: Achilles и гости: 43
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения