AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 24.01.2019 Откуда: Североуральск
Я тут подумал... А может ли быть виной в ошибках БП? Я его покупал в 2010 году thermaltake на 700 вт. Там нет сертификатов 80+. Я слышал, что БП ничего не делается? Вот он: http://ru.thermaltake.com/products-mode ... C_00000884
_________________ Asus ROG Strix B350-F Gaming, OctalCore AMD Ryzen 7 2700, Kingston HyperX KHX3600C17D4/8GX (х2), nVIDIA GeForce GTX 1080 Ti
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 151
То чем мы занимаемся, как правило разгон. Для обычного пользования я бы выше 1.35В не ставил, особенно на модули без радиаторов (ОЕМ). Для модулей с радиаторами допустимо в целом и 1.4-1.45 выставить (другое дело, не все модули любят повышенное напряжение - те же Микрон и Хюникс некоторых версий начинают сыпать ошибками). А вот 1.47-1.5 уже я считаю пределом, при использовании модулей с радиатором, при условии что корпус хорошо продувается, либо используется направленный обдувом (вентилятор). По отзывам можно на постоянной основе использовать вольтаж до 1.55, но помните, что любое увеличение напряжения (как и разгон), вы делаете на свой страх и риск. Всё что выше 1.6 - либо под "водой", либо также с обдувом для кратковременных бенчей.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.08.2012 Откуда: RIGA Фото: 158
Повышение штатного напряжения приводят к необратимым последствиям. Но всегда есть исключения,например 8 pack говорит что. Бидай можно повышать до 1.45в абсолютно безопасно. Вот пруф
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.06.2009 Откуда: Тюмень Фото: 5
Всем привет, подскажите куда капнуть, настроил память на родном ХПМ @4000, ужал только тайминги и вторички ну и напругу ддр 1.395, всиоо и вссао ~ 1.25, все тесты (линкс, тм5, аида) проходит без ошибок, игры тоже ок, но с выходом нового метро, на экстрим настройках игра просто фризится намертво с дрожжащим звуком который был в момент зависания, и помогает только перезагрузка компа, выставил родной ХМП профиль @4000 все субтайминги в авто соответственно и все заработало отлично, может напруги не хватает или еще чего, как определить? какие нужно скриншоты предоставлю.
_________________ i7-12700kf FURY Beast DDR5 @6400 Mhz Palit Game Rock 3080Ti Fractal Meshify 2 Schiit Bifrost 2+Adam Audio A5X Super Flower 850W Leadex Gold III
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.07.2018 Фото: 8
grreed если и без разгона вообще (без хмр профиля) всё нормально, значит ваш разгон нестабильный, крутите тайминги, CR2 можете попробовать, если 1 был.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.12.2014 Фото: 55
grreed писал(а):
но с выходом нового метро, на экстрим настройках игра просто фризится намертво с дрожжащим звуком который был в момент зависания, и помогает только перезагрузка компа
У меня тоже был пару раз вылет на рабочий стол с ошибкой и еще один раз словил синий экран с характерным звуком, и сопровождающей ошибкой Kernel 41(вроде) . Сразу же начал капать в сторону памяти и процессора. Сначала мне помогло повышение SA, но потом через 2 часа проблема повторилась с вылетом на рабочий стол. В итоги решил проблему обновлением драйвера на видеокарту с 398.36(да-да, сидел на этом драйвере ) на последний. Попробуй поднять напряжения на vDram/SA/процессор/обновить драйвера(как в моем случаи).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2007 Откуда: Калининград Фото: 0
Из за мамки asus strix z370-f gaming(биос последний 1802) оператива G.Skill Trident Z (F4-3200C14D-16GTZSW) может выше 4000мгц не стартовать с любыми таймингами и напряжением вплоть до 1.47в? 4000мгц стартует и при 17-17-17-28, но нет стабильности ни на таких таймингах ни на 21-21-21-42, 4100мгц уже вообще ни в какую не стартует. 3900мгц 17-17-17-36 с ужатыми вторичками - полная стабильность
Немного из разгона Samsung. Были в наличии две плашки DIMM DDR4, 2400, 16ГБ Sumsung M378A2K43BB1-CRC и одна DIMM DDR4, 2400, 16ГБ Sumsung M378A2K43CB1-CRC. С двумя BB1 система на 3600 вообще не стартовала, только на 3500, с одной CB1 и одной из BB1 причем в определенной последовательности установки в слоты с небольшими бубнами но запускается на 3600. Выкрутил все возможные тайминги, что не так сложно, т.к. большая часть из них при критич. снижении просто не дает стартануть компу. В основном ошибки показали тайминги на скрине выделенные красным их можно было снижать и комп грузился, но давали ошибки
подъем напряжения до 1.36 и VSSIO до 1.17 (в нагрузке) дабы снизить цикл tRTR d до 5, который увеличил скорость чтения на 1MB/s #77 дальнейшее увеличение напряжений до 1.4 и VSSIO до 1.2 и SA до 1.2 не помогли снизить tRCD/tRP до 20 редкие ошибки на тестах mirror выскакивают, впрочем этот один цикл дает прирост по чтению ~0.4MB/s и снижает задержку на 0.6нс что сущая ерунда. Наверняка если бы циклы не были совмещены в один tRCD поддался бы на один два такта
_________________ Coffee Lake i7-8700K ; GeForce® RTX 2070 SUPER™ GRP ; Windows 10 LTSC_x64 ASUS TUF Z390-PRO Gaming ; DDR4-3600, 2x16ГБ Sumsung M378A2K43CB1-CRC
В общем собрал по просьбе друга комп в средний бюджет. Взяли новую память от самсунга т-дай. Двухсторонние плашки. Весь день сегодня подбирал по райзен калькулятору тайминги - ни на одной частоте система не стартовала даже до биоса. Пробовал и в профиле дебаг перебивать значения из тайфуна, и разные виды памяти проверять, ни в какую не стартовала. В итоге плюнул поставил все в авто и частоту тыкнул в 3200 - о чудо, завелось и работает стабильно. Все таймиги и напряжение в авто. На 3400 стартует с одной плашкой, с двумя не заводится.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 151
Ковыряться есть смысл, 3200с20 - это совсем дичь. Но память неизвестная, придётся всё самому. Вангую Samsung OEM, двуранг, потыкать Safe профили, всё заведётся.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 20
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения