AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Кто может объяснить. Я вообще уже ничего не понимаю! Оперативная память F4-3200C14D-16GTZR. Напряжение: DRAM 1.42v, SA 1.170v, IO 1.150v Разогнал до 4000 16-16-16-32. Система загружается, но TM5 выдает ошибки. Ладно, вроде понятно, переборщил. Поднимаю тайминги вплоть до 18-18-18-40. ПК вообще не стартует. Ребят, помогите советом. Очень интересно узнать почему такая фигня. Что можно поднять для стабильности системы? #77
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.07.2007 Откуда: Украина Фото: 64
flomzik37 Для начала повысить IO/SA согласно таблице. С повышением таймингов на моей системе похожая ерунда. 3800CL16 - проходим все тесты. Если повысить CL,- нет запуска.
Поднимаю тайминги вплоть до 18-18-18-40. ПК вообще не стартует. Ребят, помогите советом. Очень интересно узнать почему такая фигня.
а вы другие тайминги правите или нет (или стоят на авто), когда меняете три основных? если не правите и стоит не авто попробуйте увеличить tCWL так же на 2 цикла, насколько помню он не может быть сильно ниже чем tCL
_________________ Coffee Lake i7-8700K ; GeForce® RTX 2070 SUPER™ GRP ; Windows 10 LTSC_x64 ASUS TUF Z390-PRO Gaming ; DDR4-3600, 2x16ГБ Sumsung M378A2K43CB1-CRC
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.12.2006 Откуда: Белгород Фото: 10
Растолкуйте, пожалуйста. Имеется комплект оперативки Ballistix Tactical [BLT2C8G4D30AETA] 16 ГБ (2*8). Куплен в СU года 3 назад на интел Z170+инженерник. В этом году возможно буду переходить на рязань, ну и изучаю так сказать тематику по оперативной памяти. Так вот обнаружил что в строке SPEED Grade стоит LPDDR4-3200. Это и вызвало недоумение. Память то вроде 3000-ная Или чипы типа 3200? Ничего не понятно.
ЗЫ: хотя вообще программка местами фигню пишет, дата производства 2018 год, хотя куплена в 2016
Вложения:
Память.jpg [ 101.57 КБ | Просмотров: 1972 ]
_________________ Ryzen 5600X • IFX-14 • ASUS TUF B450-PRO GAMING • 2*16Gb Crucial Ballistix 3200 • 1070ti • CoolerMaster 700W • Samsung 970 EVO PLUS 1Tb+WD RED 2Tb*2
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.12.2006 Откуда: Белгород Фото: 10
fedx Да программа и так с сайта, последняя вроде (сегодня скачал). Возможно оперативка (партия) редкая - поэтому и не распознает корректно, т.к. даже на сайте производителя такой (BLT2C8G4D30AETA) нет.
_________________ Ryzen 5600X • IFX-14 • ASUS TUF B450-PRO GAMING • 2*16Gb Crucial Ballistix 3200 • 1070ti • CoolerMaster 700W • Samsung 970 EVO PLUS 1Tb+WD RED 2Tb*2
Оперативная память F4-3200C14D-16GTZR. Напряжение: DRAM 1.40v, SA 1.115v, IO 1.1v Разгонал до 3600 15-15-15-30 CR2. Стресс тесты вроде все проходит без ошибок. 4000 вроде память брала, но никак не мог подобрать таймингов, тоже самое с 3800. Думаю если бы процессор был 8700к, то было бы легче гнать до 4000. Смысла мне кажется дальше гнать нет, так как разница будет небольшая да и то в синтетике. Компьютер используется для игр. #77
flomzik37 У меня схожая ситуация на гнилобайте (2комп), с одной из планок памяти я ее не могу стартануть с CAS latency выше 13, но в моем случае на любой частоте, можно, хоть 800Мгц выставить с cas latency выше 13 и старта нет. У вас же плата стартует, например на 3200 CL18?
В общем, микрон, как был дерьмом, так и остался, за 2 года ничего не поменялось. Crucial DDR4-2400 CT4G4DFS824A 4Gb (1rank\1 сторонняя\8чипов) производства конца 2018г. : Dram Voltage = 1.35 VCCIO=0.96 VCCSA=1.05 3066 17-19-19 1T
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.08.2012 Откуда: Иваново Фото: 13
Память Kingston HyperX Fury Black Kit DDR4 2133 RAM (HX421C14FB2K2/16) Чипы Nanya. 2133-3333Mhz, 1.35в. Берёт и 3400, но приходится задирать тайминги. #77 #77 #77
_________________ Судить меня дано лишь Богу а остальным я укажу дорогу.
Что во вторичках повысить/понизить для достижения 60k read/60k write мбит/сек? Выдаёт где-то в районе 57/59. Память: HyperX Predator 4000 Mhz. Напряжение: 1.35v. MemTest спокойно проходит. Материнская плата: ASUS MAXIMUS X FORMULA. Процессор: i9-9900k.
Вложение:
MEM_1.png [ 33.27 КБ | Просмотров: 2686 ]
Вложение:
MEM_2.png [ 34.9 КБ | Просмотров: 2686 ]
_________________ i9-9900k, custom water (360), HyperX RGB 4*8Gb @ 4000 CL16, 500Gb 970 Evo+ 1Tb SSD, 480 Gb WD SSD, ASUS MAXIMUS X FORMULA
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
PERSICIDA CWL 16? CKE 5? FAW 36 и понижать RRD. Например сатвите FAW 36 снижаете RRD до 8 (оба), если работает то следом снижаете FAW до 32. И так дальше. RRD_S должен ужаться до значительно меньших значений. Можете сразу попробовать ему 5 или 4 воткнуть. FAW снижать только после снижения RRD, иначе это имеет мало смысла. Допустим RRD_S ужалось до 4 а RRD_L до 8. Смысл в FAW16 - есть. Но сначала всё равно ставите FAW > RRD_L*4 пока RRD_L не перстанет ужиматься, только потом пробуйте FAW дожать. Какие там названия у платы не знаю, но что-то из этого: S - short (different group) L - long(same group).
Добавлено спустя 3 минуты 27 секунд: Monk0306 С таким RC "первичные тайминги" можете вообще никому не показывать. Потому что RC это не "вторичный тайминг", а один из основных. Если он не ужимается до уровня RAS+RP или чуть больше этого то толку от ужатых "первичных таймингов" очень мало. Если не жмётся то можно пробовать поднять RCD RD и RAS+RP, даже если существенно поднять, от ужатого RC всё равно толку больше.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.05.2016 Откуда: Челябинск Фото: 4
Samsung M378A1G43TB1-CTD 3467 18-19-19-38-60 1t (Safe OEM) Линкс прошел, пока ̶с̶т̶а̶б̶и̶л̶ь̶н̶о̶. Фаст профиль даже в биос не заходит. Думаю можно слегка покрутить, но я скорее всего буду пробовать на шаг снижать частоту памяти, хотя, не факт что появится стабильность на более низких таймингах. Судя по всему с моим процессором, матерью и памятью это максимум, но всяко лучше чем 2999.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 42
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения