AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.04.2012 Откуда: Москва Фото: 31
vve писал(а):
Что же касается оценки "оригинальности" модулей, то посмотрите, что написано относительно чипов на наклейках (о расшифровке см. здесь).
Память "EPMH16..." на 1.4В сыпет ошибками, на 4000 МГц с этими таймингами тоже одна ошибка выскакивает, на CL18 не слишком хочется уходить, попробую тронуть вторички и третички
Так не должно быть с такими чипами в таком режиме. Скорее всего, какой-то из них не совсем исправен. Если есть свободное время и хочется "докопаться до истины", то можете провести тестирование модулей по одному - с текущими настройками и изменением напряжения питания в пределах, например, 1,35-1,38 В. Тот модуль, который не сможет так работать, и содержит "неправильный" чип. Для подобных тестов удобнее использовать GSAT. Как минимум, результат получится значительно быстрее. Но с практической точки зрения в Вашем случае такое тестирование бесполезно, насколько я понимаю. Обнаружите Вы "некачественный" модуль - и что? Вы же его на Озоне покупали, едва ли его получится обменять.
Garik14 писал(а):
на 4000 МГц с этими таймингами тоже одна ошибка выскакивает
А это - правильно. В том смысле, что так и должно быть. Я достаточно долго провозился с такими чипами, изучая их поведение на разных платформах. С ними у меня так и не получилось добиться полностью бессбойной работы 4 рангов (в сумме) с CL17 на частотах выше 3866 (29x133). Я не использовал 100 МГц в качестве базовой частоты шины памяти, поэтому про 3900 (39x100) ничего сказать не могу. Но на 4000 (30x133) неизменно возникали сбои того или иного характера, независимо от платформы и напряжения питания. Я не исключаю, конечно, что если сильно расслабить тайминги, то чипы эти "поедут" и на 4000@CL17, но такой сценарий мне не был интересен. Короче говоря, с такими CJR, как на обсуждаемых модулях, 4000 и выше - это CL18 и больше.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.04.2012 Откуда: Москва Фото: 31
vve 4000 пытался как раз на 100:133 и запускать. Так то все устраивает, после тренировки латентность упала ещё на пару наносекунд. Думаю из-за высокого tREFI не едет 4000, ошибка ближе к концу теста, может стоит накинуть напряжения VDD. Конечно тестить 64Гб утомительно. Планками я доволен так-то, ожидал, что не возьмут Cl17
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.07.2010 Фото: 1
Смотрю все только гонят память. Я же немного в разгон немного в андервольт. Был куплен во время апгрейда F4-3200C16D-64GVK DDR4-3200 CL16-18-18-38 1.35V 64GB (2x32GB). В разгоне на 12400f с неудачным кп до 3466 напряжение удалось снизить до 1,3 вольта при таймингах 16-19-19-38. Жил спокойно на этом комплекте памяти Hynix. Пока за дёшево не предложили 4х8gb Samsung B-die в виде F4-4600C18D-16GTRG DDR4-4600 CL18-22-22-42 1.45V. В общем пошёл я на временный даунгрейд(пока будет хватать 32gb). 12400f не потянул 4600 даже в режиме gear 2. Максимальная стабильная частота для 12400f в режиме gear 2 4200. В итоге 3466 1,24 вольта при таймингах 16-16-16-36. Можно конечно и 3466 15-15-15-35 но там уже напряжение 1.36 вольта. Для 12400F хватит и cl 16. Те кто купили z690 DDR4 теперь занимаются некрофилией. Ничего более быстрого уже не выйдет. Хорошо что хоть 32gb модули есть в широком ассортименте не такие быстрые как Samsung B-die но дают возможность через 10 лет набрать 128gb gb памяти для просто комфортной работы. ПС. Пишу этот бред с компа C2Quad 9300 У которого заняты все слоты памяти 4х2gb CM2X2048-8500C5D DDR2-1066. 5-5-5-15 2.1V. Модулей по 4х1gb уже не достаточно объёма даже для браузера. Поэтому в будущем будет и 64gb не хватать браузерам вроде google chrome.
Едва ли. Я пробовал со значениями tREFI разного порядка, на разных платформах.
Цитата:
ошибка ближе к концу теста, может стоит накинуть напряжения VDD
Можно попробовать, конечно. У Вас ведь они ведут себя необычно по отношению к напряжению. Но, скорее всего, результат ещё хуже получится. Эти чипы не любят высокие напряжения питания. А ещё больше не любят высокие температуры. Более информативным, на мой взгляд, был бы эксперимент с добавлением принудительного охлаждения памяти. Или, наоборот, умышленное создание препятствия для обдува модулей, после чего, по идее, ошибки должны возникать значительно раньше. И это будет явным указанием на перегрев как на причину нестабильности работы.
С точки зрения температурного режима, 4 модуля по 16 ГБ получаются более выгодной конфигурацией, чем 2 модуля по 32 ГБ. Я имею в виду, конечно, конфигурации с одинаковым суммарным количеством одинаковых чипов. В любом другом случае такое сравнение не имеет практического смысла.
Цитата:
ожидал, что не возьмут Cl17
Так на 4000-то они так и не берут по-нормальному...
Добавлено спустя 24 минуты 44 секунды:
gen2005 писал(а):
Можно конечно и 3466 15-15-15-35 но там уже напряжение 1.36 вольта
А в чём практический смысл снижения напряжения питания памяти как такового? Если бы заданный режим работы памяти требовал слишком высокого напряжения, потенциально опасного для чипов, то это понятно. Или, например, если бы выбранное напряжение являлось причиной разогрева чипов до слишком высокой температуры - это тоже понятно. Но 3466@CL15, даже при сильно ужатых таймингах - это не сильно напряжённый режим работы для S8B. И с напряжениями до 1,5 В они годами работают без каких-либо проблем. Да и в официальной спецификации этих чипов 1,5 В указано как верхняя граница. Почему Вы считаете, что 1,36 В для них - это "уже", тогда как на самом деле это "ещё совсем не"?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.04.2012 Откуда: Москва Фото: 31
vve писал(а):
А ещё больше не любят высокие температуры
обдув добавлен, без него радиаторы явно не под разгон, я выше писал
vve писал(а):
И это будет явным указанием на перегрев как на причину нестабильности работы
да 100 % без обдува, не стоит забывать, что 4000 пытаюсь взять с ужатыми вторичками и третичками, это не сток. Проверять просто первички неинтересно.
vve писал(а):
Так на 4000-то они так и не берут по-нормальному...
да и ладно, покрутим еще, может 17-20-20 поедут... Как я пониманию ранний CJR неособо гонибельный, а вот свежий уже интереснее, DJR у меня не брал 17-20-20
gen2005 писал(а):
Для 12400F хватит и cl 16
но Cl 14 для b-die это ж классика... Я бы ужал до 14-15-15 с вторичками и третичками, уверен, что даже 4 планки способны на это
Спорно, 4 модуля стоят очень плотно, и этот бутерброд прилично греется, особенно два модуля посередине
С другой стороны, каждый из модулей, содержащий в два раза меньше чипов, потребляет в два раза меньше мощности. И греется соответственно. Впрочем, я всегда снимаю радиаторы с модулей, и тогда негативный эффект от близкого расположения их в слотах проявляется значительно меньше. Исключением являются, пожалуй, модули из серии Crucial Ballistix MAX. Только на них, с определёнными допущениями, наклеенные железки действительно можно назвать радиаторами. На всех остальных модулях, которые приходилось держать в руках, они выполняют в лучшем случае функции теплораспределителя (heatspreader). Как, собственно, большинство производителей памяти их и называет. А в случаях, когда эти железки носят совсем декоративный характер (например, на линейке G.Skill Ripjaws), их вообще снимать обязательно, т.к. они только ухудшают температурный режим, затрудняют охлаждение чипов. Также, если попадаются модули с подсветкой, снимаю с платы дроссель преобразователя питания светодиодов. Таким способом подсветка отключается наиболее эффективно, полностью.
Бывают случаи, конечно, когда что ни делай, но без дополнительного принудительного обдува памяти не обойтись. Я, однако, на практике такие конструкции не использую. Только на недолгое время, с целью выявления максимальных возможностей памяти или платформы.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.07.2010 Фото: 1
Garik14 писал(а):
А в чём практический смысл снижения напряжения питания памяти как такового? Если бы заданный режим работы памяти требовал слишком высокого напряжения, потенциально опасного для чипов, то это понятно. Или, например, если бы выбранное напряжение являлось причиной разогрева чипов до слишком высокой температуры - это тоже понятно. Но 3466@CL15, даже при сильно ужатых таймингах - это не сильно напряжённый режим работы для S8B. И с напряжениями до 1,5 В они годами работают без каких-либо проблем. Да и в официальной спецификации этих чипов 1,5 В указано как верхняя граница. Почему Вы считаете, что 1,36 В для них - это "уже", тогда как на самом деле это "ещё совсем не"?
При 1.24 вольта температура 42 градуса При 1.36 вольта температура 45 градусов. 4 слота памяти плохо продуваются корпусными вентиляторами: крайние 2 планки 38, средние 42 градуса. Найду на вторичке 12600k или 13600k процессор за дёшево, поставлю обдув памяти и буду гнать память. А пока на температура на процессоре под нагрузкой 45-46 градусов, ВРМ платы 42 градуса, память 42 градуса, Видеокарта 4060ти самая *горячая* не смотря на андервольт до 130ватт 60 градусов .
Leo_LK Обрати внимание на значение REFI. Четыре модуля стоят рядом и практически не продуваются. 128Гб тестируется почти сутки. За это время легко поймать ошибки от перегрева. Снижай до 10-30 тыс. Первички и вторички я подбирал при REFI<16000. Сейчас стоит REFI=21674. Оно не по формулам, но оно работает. Подбирать "правильное" терпения больше нет.
CR=1 тоже очень оптимистично. Но это должно вылезать быстро.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.07.2010 Фото: 1
HskR писал(а):
Всем привет. Подскажите пожалуйста по таймингам на 12400 и б660. Я как понимаю задержка по памяти слишком большая? Что можно накрутить чтоб снизить?
Пробуй для начала выжать всё из частоты контролера памяти в режиме Gear1. Для этого установи тайминги 20-22-22-46. Предположительно стабильно будет работать на 3466-3600 как повезёт. Потом как узнаешь потолок контроллера начинай разгонять память на своих 16-18-18-38. Думаю что пару сотен мегагерц: 3333-3400-3466 например сможешь поднять. Если контролер памяти тянет 3600 то пробуй чуть увеличить тайминги например до 17-19-19-40 и брать эту частоту.
Доброго времени суток! Извиняюсь если как-то неправильно обращаюсь в теме) Нужна помощь по таймингам памяти, значит я выставил по видео Техно-Грааля и i2HARD вторичные и третичные тайминги, ошибка в TestMem5 спустя 10 минут и последующие 5 минут по одной ошибке стабильно, при стресс тесте в OCCT ошибок вообще никаких нету, синек нету, зависаний нету, просто вот эти ошибки в TestMem5 напрягают. Все нужные скрины могу предоставить. По основным таймингам проблем если что нету.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.03.2017 Откуда: Москва/Вешняки Фото: 11
AZZOLINDA писал(а):
просто вот эти ошибки в TestMem5 напрягают
для начала те: 1/ запускать от админа не отключать ФАЙЛ ПОДКАЧКИ. при первом запуске может понадобится выйти из виндовс и заново зайти. 2/ TestMem5 #18207058 3/ tWRWR_dr=7 и tRRD_L=6
для начала те: 1/ запускать от админа не отключать ФАЙЛ ПОДКАЧКИ. при первом запуске может понадобится выйти из виндовс и заново зайти. 2/ TestMem5 #18207058 3/ tWRWR_dr=7 и tRRD_L=6
Почему же нельзя отключать файл подкачки? Ошибки заключались в высоком tREFI, снизил их до 49к и ошибок за 40 минут не было (Правка, я тупой, на скринах то также tREFI 49к, уменьшил tREFIX9 получается, сейчас tREFI 32512 и tREFIX9 127)
P.S Если у кого статтеры, посмотрите своё число в OREFI, я поставил 0 и у меня были периодические статтеры в играх, поставил 31 и они пропали
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.08.2005 Откуда: Калуга Фото: 5
Други, вопрос по VSA: конфиг в подписи, попробовал выставить напряжение SA 1,05 вольта, ТМ5 проходит без проблем, так что так и оставить, или низкое напряжение на агенте чем то чревато? Вроде рекомендуют 1,15.....1,2 вольта. /Память G.Skill Trident Z F4-4000C19D-32GTZR, 4 плашки по 16Гб. Работают на частоте 3733, гир1, 16-16-16-32/
_________________ 13600K/Giga z790m aorus/4090 FE/2x24GB DDR5 7600@7200/Noctua NH-U12A/970 pro 1TB/980 pro 2TBx2/Seasonic TX-1000
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения