Таблица предназначена для быстрого расчёта таймингов при изменении частоты с сохранением задержек в наносекундах(почти).
Таблица предназначена для скачивания, ну или сохраните себе копию в гугле.
В поля помеченные золотым вставляете свою частоту и тайминги. Таблица на основе этих данных посчитает тайминги для всех остальных частот. Для образца туда вбито 3200 и пара таймингов. Всё остальное трогать не надо иначе сломается.
Если тайминг получается не целым (например 11.1) то он округляется до большего целого (12).
Для RC стоит формула RAS+RP но вы можете безопасно её менять на число.
Не подходит для расчёта подобным образом REFI, RTL и может ещё чего...
Названия таймингов заполнены для удобства можете их переименовать, считаются они все одинаково. В конце мне стало лень писать все возможные тайминги для всех вариантов и я просто назвал их 1..2..3 и т.п. переименуйте сами если понадобится.
Заполнять всю очевидно необязательно.

https://docs.google.com/spreadsheets/d/ ... sp=sharing

Рассматриваю идеи для усовершенствования.

Обнаружил баг. При скачивании таблицы и последующем открытии в LibreOffice6 (и в .ODS и в .XLSX). Ломается функция округления. Если вы столкнулись с таким то воспользуйтесь инструментом поиск и замена(CTRL+H) и замените ОКРВВЕРХ.XCL на ОКРВВЕРХ
Или скачайте таблицу не из гугла: https://yadi.sk/d/9xBahLOM3WTY9i

Обновил табличку.
Добавил REFi. Напоминаю, в случае с этим таймингом чем он больше тем "быстрее".
В качестве примера теперь используются параметры из JEDEC для DDR4-2400P.
https://yadi.sk/d/9xBahLOM3WTY9i

Интересно!
А подскажите на чем основаны данные расчеты?

Достаточно подробный ответ я давал здесь.
Процессоры Intel семейства Core i3/i5/i7 (микроархитектура Coffee Lake LGA1151) #15604260

Спасибо за ответ. Попробую после того как стабилизирую на 3400 свою память.
А что на счет вольтажа? Может есть какое-то правило так же?

Можно таблицу в совместимом с Excel формате? .ods открывается экселем только с восстановлением, в результате чего теряются формулы.

Добавил в архив на яндексе .xlsx версию. Обновил версию в гугле. Кстати из гугла .xlsx корректно скачивается. Сделал таблицу доступной для редактирования в гугле. Если что-то сломают напомню, что на Я.Д. хранится рабочая версия.

Большое обновление таблицы.
Добавлена таблица стандартных таймингов JEDEC для DDR4 2133-3200.
Добавлены примечания.
Добавлен мини-калькулятор в конце.
Добавлена странная таблица CWL. Хотя я честно выдрал её из JEDEC...
Добавлено чередование фона.
Добавлено CKE CCD_S CCD_L.
Оставлен один RFC.
Если будут желающие могу также добавить JEDEC DDR4 1600 и 1866 а также нечто похожее для JEDEC DDR3.
Принимаю идеи что ещё туда добавить.

p.s. Жаль что я не могу редактировать свою же шапку и посты в этой теме.

Ждем и для DDR3, для многих еще актуально.

Основная таблица применима для любой DDR памяти просто используете только те тайминги которые вам нужны или свои добавляете\переименовываете. Формула их расчёта идентичная.

Добавил таблицу со стандартными параметрами JEDEC для DDR3.
Добавил полезные ссылки.

Вернул доступ для редактирования в гугле всем подряд. Всё, что трогать не надо в гугле защищено.
Добавил в JEDEC таблички с RFC.
Поправил опечатки.
Добавил ссылку на Тайфун...

Обновление.
Таблица для расчёта сильно упрощена. Оставлена строка только базовой частоты и таймингов и одна строка в которой нужно ввести желаемую частоту.
Старая версия переехала на второй лист.

У Вас ошибка в таблице для DDR3, wr при 1866 равно 14, а не 15.

Действительно. Поправил.

В RRD для DDR3 у Вас куча ошибок: неправильно почти все бины.
И FAW неверен.

Это не так. Дело в том, что RRD и FAW для этих бинов стоит не универсальное значение. Я тоже удивился когда заполнял.
https://imgur.com/a/sbz7YUt

Так надо было брать для 1КБ, а не для 2КБ, тогда бы совпало с показаниями тайфуна (его time table).

А вот нефига.
https://imgur.com/a/sbz7YUt
Добавил скрин один из микроновских чипов с RRD6. Там правда также есть и чипы с RRD4. Видимо не сразу пришли к этому значению.
Если бы использовался RRD для 1КБ то все чипы с большей частотой (в том числе DDR4) шли с таймингом меньше.

Я не про DDR4, а про DDR3.
Я просто смотрю в тайфуне встроенные бины для ddr3.
Они совпадают с 1 КБ, а не с 2КБ.
На моих самсунгах 8 Гб eb0 по spd также совпадает с 1 КБ.

https://imgur.com/a/sMDkhJ4
2133 DDR3
Ну явно же 2кб значение используется. Это скорее встроенные бины в тайфун не верны. Они наверно заполнены на автомате, не проверили что для низких частот другое значение указано.
Ну так и говорю для низких частот в базе памяти тайфуна есть 2 версии чипов. С новыми "универсальными" FAW и RRD. И те которые по стандарту.