Следующее поколение микросхем DRAM DDR5 ещё не скоро придёт на смену DDR4. Несмотря на полное отсутствие хоть какой-либо информации о микросхемах стандарта DDR5 SDRAM, некоторые сведения удалось добыть из открытых источников. Ниже приведён список маркировок инженерных образцов микросхем DRAM DDR5 производства Micron Technology, которые попробуем дешифровать для изучения характеристик.

• MT60B2G4ST-40 ES:A - Z9WPC
• MT60B1G8ST-44 ES:A - Z9WPH
• MT60B2G4ST-36 ES:A - Z9WPB
• MT60B2G4ST-44 ES:A - Z9WPD
• MT60B1G8ST-40 ES:A - Z9WPG
• MT60B1G8ST-36 ES:A - Z9WPF
• MT60B1G8ST-32 ES:A - Z9WPV
• MT60B2G4ST-32 ES:A - Z9WPT

B - напряжение Vdd = 1,1 В
2G4 и 1G8 - плотность 8 Гбит, разрядность х4 и x8
ST - тип корпуса
32,36,40,44 - Speed Grade: DDR5-3200, DDR5-3600, DDR5-4000, DDR5-4400
A - ревизия ядра: Revision A

Crash Какие-нибудь данные о тайминга есть? Или ожидается типичное удвоение?

Закачана черновая версия документа JESD79-5 на стандарт памяти DDR5 SDRAM. Можно ознакомиться. Из документа можно узнать, что DDR5 будет предусматривать следующие режимы работы:

• DDR5-3200: 25-25-25, 26-26-26, 28-28-28
• DDR5-3600: 28-28-28, 30-30-30, 33-33-33
• DDR5-4000: 30-30-30, 33-33-33, 36-36-36
• DDR5-4400: 33-33-33, 36-36-36, 39-39-39
• DDR5-4800
• DDR5-5200: 39-39-39, 43-43-43, 47-47-47
• DDR5-5600: 42-42-42, 46-46-46, 50-50-50
• DDR5-6000: 45-45-45, 50-50-50, 54-54-54
• DDR5-6400: 48-48-48, 53-53-53, 58-58-58
• DDR5-6800
• DDR5-7200
• DDR5-7600
• DDR5-8000
• DDR5-8400

8400 не было увидим ещё лет 6?:)

Crash Спектр частот выше ожидаемого. Везде шаг по 400МГц, а 4800 пропущено. Про тайминги ничего? И наверное как всегда из-за таймингов DDR4-4000 в реале будет работать с такой же скоростью что DDR5-4800.

Шляпа и маркетинг. Есть GDDR6 и этим все сказано.
Никто не запрещает делать съемные модули памяти на GPU и ставить такие на CPU.
Продаваны и ни рубля более.

Ага. Только вот тайминги там совсем печальные. Для оперативной памяти критичный параметр и совсем таки некритичный для GPU.

VRoman, DDR5-4800 я пропустил, извиняюсь. Список по таймингам выше обновил.

Также интересно было узнать, что плотность микросхем DDR5 начинается с 8 Гбит: 8 Гбит, 16 Гбит, 32 Гбит, 64 Гбит. Это при том, что для DDR4 по стандарту JESD79-4 плотность предусмотрена фактически в трёх вариантах: 2 Гбит (микросхемы с такой плотностью никогда не выпускались) 4 Гбит, 8 Гбит и 16 Гбит.

Тайминги на 3200 выше чем в стандарте DDR4. Больше 15НС на CL и RCD они поехавшие там?
BL=16 BC=8 в принципе ожидаемо. Появился CCD_L_WR (сильно больше обычного CCD). Что за космический WR 45ns? раньше всё время 15 было.

Зато похоже дошли до RFC и REFi. его разделили на same bank(доступно только в режиме FGR) и all banks. Значения REFi УМЕНЬШИЛИСЬ, что плохо, но и значения RFC в кои то веки значительно уменьшились, что очень хорошо. Короче тут самые интересные изменения. Интересно какую долю имеет same bank REFi и RFC, там всего 30нс на RFC.

Короче будет интересно. Предугадать к каким результатам приведут изменения в алгоритме REFRESH я не берусь. Может они даже перекроют рост основных таймингов.

Эволюция памяти чисто принципиально от первой динамической памяти до той что есть составила всего лишь :
1. тактованный доступ к банкам вместо асинхронного,
2. увеличение слова с 4 бит до 16 нынешних на чип,
3. удержание CAS а-ля FPM
4. пакетная передача нескольких слов последовательно а-ля EDO
5. расширение пакетной передачи до удвоения, учетверения тактов передачи данных за 1 такт обращения а-ля DDR.
И все.
И где спрашивается автоматический рефреш ?
где двухканальный контроллер с одновременным чтением и записью ?
Где кеширование отложенной записи ?
Гонятся за единственным параметром - эффективное увеличение ширины слова и на этом - фсе.
Оттого что взять старую добрую SIMM и растянуть баян на FPM+EDO и выдавать на гора до 8 чиклов передачи данных за такт сделает что ? Эффективно увеличит ширину слова с 32 до 32*8, а гранулярность и тормознутость будет та же !!!!
И это *опа. Хоть в 5 поколении.

Так и сейчас в DDR4 есть 2х и 4х mode для RFC, где это время уменьшено.

Меня лично очень расстроило увеличение WR в 3 раза.

Значит пока закупаем DDR4 хорошую и радуемся

Такими темпами мы увидем слот под ООП (очень оперативную память). Которая будет выполнять роль большого кэша с низкими задержками...

Agiliter Эту роль выполняла EDRAM у Broadwell. Вполне успешно было, с 5% приростом производительности. Не знаю оправдывает ли себя это экономически для средних процессоров, но для верхнего ценового диапазона как раз.

EDRAM - это тот же костыль что и просто DRAM, просто полированный.
Embedded Dynamic RAM и Double Data Rate Dynamic RAM.
Посмотрите на задержку L4 Кэша и обнаружите... Что она хуже многих разогнанных как следует планок. Поэтому и толку от него соотвественно. И там не 5%, прирост весьма отилчается в разных задачах.

Agiliter Ну тормозит он если его не разгонять. Ведь начальная частота очень низкая.

пару лет назад с выходом быстрых чипос ддр4 а также кп в процах
скорости ддр4 обошли едрам л4 в броадвеллах и колодцах