Любой вопрос с проблемой настройки памяти, подкрепляйте скрином ZenTimings, обязательно указываем DRAM Voltage. Убедительная просьба заполнять профиль и подпись на форуме, указывая свои комплектующие.
Что нужно для настройки и разгона памяти -->
1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler".
2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.
3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).
4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.
5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.
6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.
7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в "mt.cfg", "cycles=3" скажем на 8 или более
8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться...
Посты с исковерканными названиями процессоров, чипов и вендоров оперативной памяти (например: Рязань, Самса, Балики и так далее), будут удаляться. Если вам тяжело переключить раскладку и вместо ”Райзен”, напечатать Ryzen то без обид потом.
✔ Все картинки и видео убирайте под спойлер, иначе ваш пост будет удалён , загружаем картинки с запросами на этот форум, через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler". ✔ Посмотри как это делается
Как вставить картинку в своём сообщении, жмем сюда и смотрим гайд!
Проблема конфига была не в таймингах а в вольтажах и это первый шаг при настройке памяти, на аиду не обращай внимания, пока не будет полностью настроен конфиг.
Понял, получается я выставил на авто все пункты которые под SOC Uncore OC Mode и его тоже, а сам SoC у процессора оставляю 1.0250, ну procODT выставил авто и все что под ним CAD BUS и вторую штуку где RTT NOM. А как мне закончить настройку конфига ещё, или уже всё? Вроде все на авто теперь и должно быть стабильнее, по крайней мере артефакты не бегают теперь какие-то рандомные в валоранте
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 02.05.2020 Фото: 22
JadeHarley скинь что у тебя там получилось.
monyak писал(а):
я же написал напряжение не поднимал
И не нужно его поднимать, занижай первичные на текущем напряжении, отрицательное масштабирование, на бюджетных чипах никто не отменял, да и радиков у тебя нет на плашках.
_________________ ✪ R9 5950x ✪ Asus Crosshair VII ✪ G.Skill Trident Z Neo [F4-3600C14D-16GTZNA] x2 ✪ RX 6900XT Formula ✪ Super Flower SF-750F14MP t.me/The_KMS
Ах да, SoC по прежнему стоит 1.0250, странно что пишет всегда это число, или оно так прибавляет само к моему числу Вышло так, я античит Валоранта удалил, стало показывать больше вольтажей, но все равно не все почему-то. Но в общем всё в авто стоит, надеюсь с этим procODT я не улечу сейчас в стратосферу. Мне главное в общем как-то выжать либо 3200 cl14, либо 3600 cl16 наверно, но как не выходить за рамки 1.4v не понятно, да и в общем мне кажется разницы с 3200cl14 и 3600cl16 будет мало
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.09.2019 Откуда: Челябинск
usr721 писал(а):
О чипах RevP что-то слышали, имеете инфу, что они плохо масштабируются по напряжению?
Это можно узнать опытным путём. Речь даже не про плохое масштабирование по напряжению, а ухудшение стабильности после превышения определённого порога. Такое вполне возможно на самом деле
Коллеги, что скажете по поводу такого конфига на постоянку:
Вложение:
3800CL15v6.png [ 917.26 КБ | Просмотров: 2378 ]
VDIMM(bios)=1,425, пытался стабилизировать на 1,415 - на втором десятке прогонов вылезала ошибка, предположительно связанная с напряжением. Знаю, что можно опустить RRDL до 4 и WTRL до 8, но не уверен стоит ли. RFC 272 едет нестабильно, надо больше напряжения, а температуры и так высокие. В общем критика приветствуется.
_________________ 5800X3D - C8 Dark Hero - TRIDENT Z [F4-4000C16D-32GTZRA]@3800 16-16-16-32-48 - ROG Strix RTX 3080 12Gb - bq! SP11 850W - FD Meshify 2 - bq! DR 4 Pro
Submoderator
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Снижать tRP есть смысл только при снижении tRC, так как истинный tRP=tRC-tRAS.
Еще можно сравнить с вариантом: tRC=57 tRP=16 tRAS=41
При одинаковом tRC следует всегда стремиться к максимально возможному tRAS, так как это увеличивает время открытой строки, не увеличивая (так как tRC =константа) времени доступа к новой строке. А tRAS=tRC-tRP.
VDIMM(bios)=1,425, пытался стабилизировать на 1,415 - на втором десятке прогонов вылезала ошибка, предположительно связанная с напряжением. Знаю, что можно опустить RRDL до 4 и WTRL до 8, но не уверен стоит ли. RFC 272 едет нестабильно, надо больше напряжения, а температуры и так высокие. В общем критика приветствуется.
вполне себе. у меня вот так сейчас на постоянку стоит, напруга в биосе 1.46 ( на 1.45 ошибки есть в TM)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.09.2019 Откуда: Челябинск
Kuwabara писал(а):
Для статистики. Samsung C-die, 32Gb(4*8/SR), 1.40v.
Насколько я знаю на Samsung C-Die не рекомендуется превышать 1.35v, повышенное напряжение ухудшает стабильность. Не пробовали случаем такие настройки? Если конечно есть желание дальше настраивать, и если ещё не всё перепробовали
SoC Voltage 1.05-1.8v DRAM Voltage 1.35v
tCL = 16 (18) tCWL = tCL + tRCDWR = tRCDRD = tRP = 19 (20) + tRAS = tCL + tRCDRD + 2 (+4) tRC = tRP + tRAS (синхронно снижать tRAS и tRP по одному шагу) + tRRDS = 4 tRRDL = 4 (6) tFAW = 16 + tWTRS = 4 tWTRL = 12 tWR = 12 (16) + tRTP = 6 (8) + tRFC = 472 (повышать с шагом в 8 пунктов если нестабильно) + tRDRDSCL = tWRWRSCL = 4 + tRDWR и tWRRD = 8 и 2, или 8 и 1
walkman_w902 писал(а):
Коллеги, что скажете по поводу такого конфига на постоянку:
Стоит ли ставить GDM Off и CR2T? Ваше дело, но имхо, лучше GDM On и CR Auto
Если не удалось стабилизировать GDM Off и CR1T то есть менее агрессивная настройка, самое оно для 24 на 7, и можно попробовать снизить напряжение на память: GDM On + CR Auto tCL = 16 и tCWL = 16 tRCDWR = tRCDRD = tRP = 16 tRAS = 32 tRP = 48 tWTRS = 4 и tWTRL = 8 (10) tWR = 12 и tRTP = 6 tRDRDSCL и tWRWRSCL = 2 (3)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.09.2019 Откуда: Челябинск
Remarc писал(а):
1,39v ставил все норм
buildzoid в своём ролике про разгон Samsung C-Die говорил что не стоит превышать 1.35v, и даже 1.35v иногда может быть слишком много. Дословно: "стабильность падает тем сильнее чем выше напряжение", относительно 1.35v естественно. И поэтому он использовал напряжение 1.32v в своём ролике, так как повышение напряжение ни-че-го полезного не делает, нельзя ужать тайминги.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
proxydark писал(а):
buildzoid в своём ролике про разгон Samsung C-Die говорил что не стоит превышать 1.35v, и даже 1.35v иногда может быть слишком много. Дословно: "стабильность падает тем сильнее чем выше напряжение", относительно 1.35v естественно. И поэтому он использовал напряжение 1.32v в своём ролике, так как повышение напряжение ни-че-го полезного не делает, нельзя ужать тайминги.
он скажет прыгать с крыши,значит надо так и сделать? если выставить меньше напряжение то память будет ошибками сыпать,его поднимают не просто так ведь,это же очевидно
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.09.2019 Откуда: Челябинск
Remarc писал(а):
он скажет прыгать с крыши,значит надо так и сделать?
Я склонен доверять ему. Я и сам столкнулся с похожей проблемой на SEC B-Die BCRC, только рабочее напряжение было немногим больше
Добавлено спустя 3 минуты 4 секунды:
Remarc писал(а):
если выставить меньше напряжение то память будет ошибками сыпать,его поднимают не просто так ведь,это же очевидно
Про так называемый "negative voltage scaling" пишут и на зарубежных форумах, а именно то что повышение напряжения на SEC C-Die выше 1.35v не имеет смысла. Что удалось настроить на 1.32-1.35v тем и пользуйтесь, такие уж чипы
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.04.2017 Откуда: от верблюда
anta777 писал(а):
Еще можно сравнить с вариантом: tRC=57 tRP=16 tRAS=41
примерно также
#77
Дальнейшая утяжка, как я понимаю, потребует повышения напряжения, поэтому остановлюсь пока на этом. Спасибо за помощь! p.s. extreme1 также прошел без ошибок.
_________________ 5700x | b550m mortar | 2x16gb u4 dr e | se-224 v2 | gtx 1060 6gb | pm9a1 512gb | fd 2500 | fd ion 650w
Последний раз редактировалось bulochka 11.08.2022 7:56, всего редактировалось 1 раз.
Добрый вечер, кто разбирается в дуалах micron e-die, подскажите что можно сделать, что бы эти собаки перестали сыпать ошибки, уже задолбался их настраивать, ошибки даже на безопасных таймингах как на скрине (напряжение 1.36, остальные авто), 1usmusV3 проходит по 3-6 циклов, а в extreme1@anta777 3 ошибки во 2 тесте на втором часу.
ZenTimings
Вложение:
ZenTimings_Screenshot.png
Планки обдуваются 120мм, но даже так они горячие, 51 градус по пирометру. Хочу настроить стабильный профиль на 3600Мгц без сильного поднятия напряжения. Не понимаю куда дальше копать.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.03.2017 Откуда: Москва/Вешняки Фото: 11
proxydark писал(а):
SEC C-Die выше 1.35v не имеет смысла
ну на интеле имеет, на корсарах https://forums.overclockers.ru/download ... &mode=view двурангах 2666 с С-die(ver4.32) и 1.5v норм, а на амд r2dsf писал такое за них "3866 16-18-18-52 tRFC 620 1.45V CR1, Gdm on на Crosshair VIII Impact и AMD 5600x ", а у него(buildzoid) с голыми планками может и не имеет.
Последний раз редактировалось BOBKOC 10.08.2022 21:23, всего редактировалось 1 раз.
buildzoid в своём ролике про разгон Samsung C-Die говорил что не стоит превышать 1.35v, и даже 1.35v иногда может быть слишком много. Дословно: "стабильность падает тем сильнее чем выше напряжение", относительно 1.35v естественно.
Я тот видос смотрел полностью, целых два раза с перерывом может в пол года. Дело в том что в моём случае, этот комплект даже в XMP (3600/1.35v.) сыпет ошибками. И повышение на них напруги как раз эту стабильность и создаёт.
Remarc писал(а):
он скажет прыгать с крыши,значит надо так и сделать? если выставить меньше напряжение то память будет ошибками сыпать,его поднимают не просто так ведь,это же очевидно
Вот именно. булдзоид говорит одно, а на практике получается другое. Как-то так.
proxydark писал(а):
повышение напряжения на SEC C-Die выше 1.35v не имеет смысла
У меня 4 модуля. Как я уже сказал, на 1.35 нестабильно, мало им.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 245
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения