Часовой пояс: UTC + 3 часа




Начать новую тему Новая тема / Эта тема закрыта, вы не можете редактировать и оставлять сообщения в ней. Закрыто  Сообщений: 5 
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
 

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 20.03.2021
Делюсь наблюдениями и результатом разгона памяти Kingston HyperX Predator [HX436C17PB3K2/32] 2x16ГБ
Разгонял на ASUS TUF Gaming z590 с биосом 0820, и с процессором Intel i7-11700K в стоке со включенным турбо-бустом.

Сразу по памяти - нигде не нашел про эту память вообще ничего про разгон.
Все успешно гонят одноранговые модули по 8ГБ, либо ту же память с XMP-3200.
Конкретная модель, возможно, ничем не отличается от них по чипам (самсунг B-die 2018 года не в счет), но информации по конкретным этим модулям в интернете я не нашел.

Чипы от Hynix CJR C-die, нативная частота 2133MHz, модули отмечены как downbin в Thaiphoon Burner (так как тайфун не может отобразить информацию об этих модулях на материнской плате z590, то информацию узнавал на другой системе, скрина нет).
Не уверен, что конкретно значит downbin (в столбце Module Grade) в этой программе, кто знает подскажите, но явно похоже на отбраковочную корзину чипов.

На XMP-3600 модули работают не очень хорошо: 51ГБ/сек на чтение/запись и задержки в 57ns меня не устраивали.
Разгон дал больше 20% производительности, в отличии от XMP-3600 профиля.
Все тайминги рассчитаны по формулам от anta777, но в некоторых таймингах пришлось вносить коррективы, т.к. эти формулы универсальные и не всегда показывают лучшее значение.

Память так же взяла 4533MHz, но я решил остановиться на 4266MHz и зализать тайминги 17-21-21-38 до минимума (см. скриншот ниже).
Понизить задержку ниже 50ns не получается на этих модулях на такой частоте.
Цифры чтения/записи возросли до 66ГБ/сек.
Рабочее напряжение памяти выставлено на 1.44V, напряжение на контроллер памяти 1.25V, на системный агент 1.30V.

По таймингам скажу, что были проблемы с tRFC - ниже 520 система не стартует, а на 520 в экстрим профиле TestMem5 от anta777 сыпятся несколько ошибок. Значение 530 пока что стабильно, но скорее всего его нужно будет еще повышать на 10-20 пунктов.
_dr тайминги выставлены вручную исходя из значений ниже Auto.
_dd тайминги хоть и предназначены для 4-х модулей, но выставление этих таймингов в 0/1/Auto дает просадку по скорости чтения/записи до 40ГБ/сек, хз почему, поэтому они выставлены тоже вручную.
tREFI выставлен на максимум, т.к. не вижу определенного смысла этого не делать.
tCL и tRCD - это минимум на этой частоте и этом напряжении который я смог найти, значения ниже не запускают систему.

Собственно результат ниже, буду рад услышать варианты, как можно понизить Latency исходя из представленных данных.

Вложение:
Untitled.png
Untitled.png [ 138.78 КБ | Просмотров: 21434 ]



Партнер
 

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 20.03.2021
Продолжаю держать в курсе событий разгона памяти на z590 + 11 поколении.
Как оказалось, память работает в режиме Gear mode 2, иначе на такую высокую частоту невозможно выставить в режиме Gear mode 1.

Тайминги были пересчитаны и откорректированы, ошибки из стресс тестов ушли полностью (на предыдущих был перегрев на длительном стресс тесте).
Удалось занизить tWRRD_dr до 6, что дало +1000 к чтению.
tREFI и tRFC подкорректированы, но нужно еще уменьшать tRFC.
По крайней мере теперь известны границы: 544 - ошибки, 650 - все ок, остается перебрать 11 значений, подходящих по формуле в этом диапазоне, что займет некоторое время.

Напряжение DRAM осталось так же 1.44V, снизить не удалось.
Поднял напряжение на IO и SA до 1.35V у обоих, в дальнейшем нужно искать минимальное рабочее напряжение, сейчас память тестируется на 1.3V, но думаю смысла ниже ставить наверное нет, но посмотрим.

Для скорости итераций тестировал с помощью конфига TestMem5 - Universal2 by LMHz, 3 цикла за 50 минут + стресс тест аиды64 в течении 3-х часов.
Пока что все стабильно, обновленные тайминги ниже на скриншотах.
Осталось подобрать напряжение на IO и SA и найти минимальный tRFC при которых не будет фейлов в тестах.

Плюс очень интересно поведение с Gear mode 2, сейчас выставляется в Auto у меня на плате, но толком никто не может сказать как настраивать память на Gear mode 2.
Все советуют Gear mode 1 с максимальной частотой 3600, якобы на Gear mode 2 сильно урезается пропускная способность.
Я такого не увидел. Либо бенчмарк аиды врет, либо я на 4266MHz добился стабильной работы памяти с пропускной способностью 67266 МБ/сек, при теоретическом максимуме в 68256 МБ/сек.
Пока что только этот момент непонятен, в предыдущих поколениях пропускная способность была не выше 90% от максимума.


Вложения:
3.png
3.png [ 200.79 КБ | Просмотров: 21243 ]
2.png
2.png [ 42.5 КБ | Просмотров: 21243 ]
1.png
1.png [ 148.42 КБ | Просмотров: 21243 ]
 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 30.06.2005
Откуда: Лефортово
Фото: 1
DanielL писал(а):
Все советуют Gear mode 1 с максимальной частотой 3600, якобы на Gear mode 2 сильно урезается пропускная способность.

Зарезается не псп, а латенси


 

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 20.03.2021
@F2000 да, все верно, нашел информацию, ошибся немного.
Протестировал так же память на 3600MHz с настроенными таймингами и Gear 1 - ниже 45ns латенси не смог опустить, а пропускная способность была не выше 52к.

Еще раз перепроверил тайминги на 4266MHz 17-21-21-40 и протестировал на aida64, memtest5, occt - ошибок не обнаружил.
Единственное, заметил, что в HWiNFO мне показывает CR2, хотя в биосе стоит CR1, и в других программах показывает правильно CR1 - это странно.

Так же опустил напряжение на SA и IO, тут тоже выяснилось, что на мат. платах z590 у асуса с 11 поколением ввелось отдельное значение IO Mem OC Voltage - его то я и поднимал.
Но значение CPU VCCIO Voltage ставил в 1.05 - из-за этого возникали ошибки в тестах.
Поднял и там, и там напряжение до 1.25.
Как только разрулил напряжение, то tRFC сразу встал на минималке - 544.

А еще на TUF Gaming z590 отсутствуют датчики напряжения на IO Mem OC Voltage и CPU SA Voltage, обидно не иметь такого в плате за 23к.

В итоге, собрал все данные в один скрин (от первоначального от немного отличается).
Это окончательный стабильный вариант, больше не знаю что поменять, латенси не опустится ниже из-за Gear 2.
Думаю, результат хороший, если есть что добавить - пишите.

DRAM Voltage: 1.44
CPU IO Volgate: 1.25
IO Mem OC Voltage: 1.25
CPU SA Voltage: 1.25

Вложение:
image_2021_05_21T03_51_02_499Z.png
image_2021_05_21T03_51_02_499Z.png [ 635.59 КБ | Просмотров: 21013 ]


 

Moderator
Статус: Не в сети
Регистрация: 02.12.2009
Откуда: Russia
Фото: 17
DanielL писал(а):
Продолжаю держать в курсе событий разгона памяти на z590 + 11 поколении.

Держите в курсе здесь >>> DDR-4 на платформах Intel. Статистика разгона, советы, обсуждение результатов.

_________________
🚫


Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Эта тема закрыта, вы не можете редактировать и оставлять сообщения в ней. Закрыто  Сообщений: 5 
-

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: dmitrij31 и гости: 17


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  

Лаборатория














Новости

Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan