Часовой пояс: UTC + 3 часа




Куратор(ы):   anta777   



Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 12948 • Страница 1 из 6481  2  3  4  5 ... 648  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Прежде чем читать "многобукв" ниже, убедитесь что ваша плата поддерживает работу с DDR5 памятью на нужной вам частоте, проверив совместимость по QVL листу.

Перед настройкой таймингов памяти на всех платах выключить ECC, а на асусах еще дополнительно Error Correction!
После всех проверок и настроек можно будет включить обратно.

Из простых советов:
1) Матплаты на которых хорошо гонится память: ASUS, MSI.
Gigabyte исправился с поколения плат на z790, а MSI испортилась с z790.
Для наибольшего разгона памяти лучше двухслотовые платы (любых размеров, хоть ATX, хоть mini-ITX).
Для максимального разгона памяти из самых недорогих плат стоит взять
MSI MEG Z690 UNIFY-X
MEG Z690I UNIFY
MSI Z790i EDGE
2) Тяжело стартуют 2х16 выше 6000 на многих платах (см. советы по вендорам), не берите 4 плашки памяти (лучше уж 2х32 взять).
3) процессоры нон К не подходят для разгона памяти, так как тогда на платах включается ограничения повышения напряжения на SA (до 0,96 В), чего не хватит для нормального разгона.

Оптимально брать для разгона плату:
1) 2 DIMM
2) максимальное количество слоев -10,12,14
3) 2 фазы питания на AUX
4) побольше меди

На октябрь 2022 лучшая плата для разгона памяти - EVGA z690 Dark Kingpin.

На апрель 2023 лучшие платы на z790 для разгона памяти среди полноразмерных плат:
1.EVGA Kingpin.
2.ASUS Apex.
3.GIGABYTE Tachyon

(для тех, кто готов мирится с архинеудобным и запутанным биосом).

Лучшие платы на февраль 2024.
1. Asus Apex Encore.
2. Gigabyte Tachyon и Tachyon X (лучше)

Самые дешевые и удачные платы для разгона памяти на февраль 2024
1. Asrock z790 Nova.
2. Gigabyte z790 Aorus Elite X AX и вся серия Х.
3. Asrock z790 Riptide (самая дешевая, минимум).

Можно ожидать для z790 и Raptor Lake:
• 1DPC 1R Max speed up to 7600+ MHz
• 1DPC 2R Max speed up to 6600+ MHz
• 2DPC 1R Max speed up to 6400+ MHz
• 2DPC 2R Max speed up to 5600+ MHz

Для z690 и Alder Lake:
• 1DPC 1R Max speed up to 6800+ MHz
• 1DPC 2R Max speed up to 5600+ MHz
• 2DPC 1R Max speed up to 4800+ MHz
• 2DPC 2R Max speed up to 4000+ MHz


Приблизительные результаты, которые следует ожидать от разгона на март 2023:
Z690+ADL+M-DIE = 6800-7000. 7200 max (tachyon z690/12700kf = 7200-32)
Z790+RPL+M-DIE = 7200-7400 (kingpin Z790/13900k=7400-32); 7600-34 2T, 7200-32 1T был достигнут SerjKZN на Z790 Tachyon+13900KF
Z690+ADL+A-DIE =7400-7600 max (unify-x z690/12900ks = 7600-34; 7600-32)
Z690+RPL+A-DIE = 7800-8000 max (kingpin z690/13900k = 7800-32; unify-x z690/13900k = 8000-34) // 8000 на унифайке пока редкость, также делают 8000-34 на кингпине
Z790+RPL+A-DIE = 8000-8200++ (apex z790/13900k = 8200-34) и 7000-7200 на дуалах 2x32Gb. 7400-32 был достигнут SerjKZN на z690 kingpin



N.B. Важнейшая информация!
1. Качество чипов памяти определяется возможной рабочей дельтой между DRAM VDD и DRAM VDDQ. Чем она больше, тем лучше.
200 мВ - идеал, 100 мВ возможны почти для всех чипов.
Дельта равна 6% по джедеку, максимум возможно 300mV.
2. Всегда при настройке памяти нужно стремиться к максимальному снижению DRAM VDDQ, что увеличит стабильность памяти!
Это еще связано с тем, что VDDQ DRAM прямо связано с CPU TX и CPU VDD2, поэтому его снижение позволит уменьшить и эти напряжения.
Перед настройкой напряжений обязательно в биосе отключить VDDQ Training, так как иначе плата будет динамически менять наши напряжения при каждой перезагрузке!
ODT Training off
RTT_NOM = 80
VDD2<1.4V (можно ставить в авто)


Советы от Veii
Первым подбирать
SA в диапазоне 1.15-1,25 (оптимально <1.18),подбирать с максимальным рингом, зависит от качества процессора, токов утечки,
а потом
VDD2(MC-Link) в диапазоне 1.38-1.44 для 8400 частоты памяти, может быть больше и меньше, индивидуально

Затем подбираем CPU VDDQ(IVR TX), оно будет меньше MEM VDDQ
для 16 Гбит-чипов на 120-255 мВ (скорее 180-225 мВ)
для 24 Гбит-чипов на 90-180 мВ (скорее 105-150 мВ)



Рекомендуемые напряжения при разгоне памяти Hynix -
советы от Александра (odvolk10)

Напряжение CPU VDDQ TX - самое сложное напряжение в разгоне DDR5. Очень сильно влияет на стабильность в играх по типу Call of Duty: Warzone, Cyberpunk 2077, Marvel's Spider-Man Remastered, а также в тестах для памяти и синтетических. Повторюсь, оооочень сильно влияет, намного важнее CPU VDD2 (MC), SA. Первое, чтобы я искал, если память не стабильна - так это оно. По экспериментам с EVGA, для 6400 хватает даже 1.1В! + этой платы в том, что она для разных процов выставляет сама его при тренировке, почти всегда, если не всегда - правильно. Для начала разгона выставлять (речь пойдёт только о Hynix, если рассматривать самсунг, то лучше не следовать этому совету): DRAM VDD=1.55V, VDDQ=auto или на 10% ниже либо же равное DRAM VDD, CPU VDD2=auto либо же =DRAM VDDQ. SA auto или 0.95 (для Hynix CR2) этого хватает даже на 7000MHz.
Советы от Максима (pakhtunov) по напряжениям:
CPU VDD2 = DDR VDDQ
SA и VDDQ TX должны быть как можно ниже
6800-32-40-40-52 проходят мемтест86 и экстрим на 1.44/1.38В VDD/VDDQ и 0.9/1.08В SA/VDDQTX
обращаю внимание, что именно 32-40-40, ибо 39-39 нестабилен у Игоря и Александра даже на 1.48, у меня же на 1.47 проходил все тесты. Путем снижения до 40-40-52 можно выиграть до 0.08В
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17807131#p17807131
Выводы

1) DRAM VDD=выставляем то напряжение, что нас устраивает
1.40V(Jedec)/1.435V(MSI)/1.50V(Hynix)/1.55V/1.65V(на воде)
2) DRAM VDDQ=0.94*DRAM VDD(мой совет)/0.90*VDD(odvolk10)/0.95-0.97*VDD(pakhtunov)/auto
3) CPU VDD2(MC)=DRAM VDDQ или auto/не превышать 1.45V! или даже 1.40V!(совет Игоря) >=1.40 обычно хватает для стабильности VST
4) CPU VDDQ (TX)=min (1.1V-1.2V), можно и 1.25V
5) CPU SA=CPU VDDQ TX(совет Макса)/auto/0.95V(хватает для 7000 CR2)
Снижая SA, можно снизить VDD2. Между VDD2 и SA должна быть определенная дельта, если ее нарушить в меньшую сторону (повысить SA), то исчезнет стабильность.
Дельта >=166-216 мВ. Стабильность SA обязательно проверять праймом.
Еще для пуристов возможен такой вариант:
DRAM VDDQ=DRAM VDD-0.3V
CPU VDD2=DRAM VDDQ
CPU AUX=1.85V
DRAM VPP=1.85V/1.908V/2.10V/2.135V
Для стабилизации ринга поднимать напряжение RING PLL (до 1.05V)
Желательно придерживаться правила:
SA<=TX<VDD2

Оригинальная методика поиска напряжений от Gadfly
Плата EVGA Dark KP z690
Mine get touchy at 7600 and above.
Getting 7800 stable at 1.485v (underload) took a TON of tweaking. Basically, I build profiles of matching voltages that work. So my process so far is your memclk to a speed that you have been able to get stable previously, so you know that you have enough mem VDD and mem VDDQ; 7000, 7200 etc. Then move VDD up and build a profile for the higher VDD.

1.) Set Mem-VDD to desired voltage
2.) Set Mem-VDDQ to 100mv below Mem-VDD
3.) Set VDD2 just below mem-VDDQ
4.) Set VDDQ TX to known good value from lower speed; or start at 0.950v
5.) Set SA to stock (0.950v)

Start by alternate increasing VDDQ TX and SA voltage until it boots into the OS, then + 5mv. Start stability testing.

Then, I alternate increasing TX and SA until the number of errors stops reducing and starts increasing then back it off to whatever values produced least number of errors.
Next, I increase VDD2 until the number of errors stop reducing. If you have more than 1-3 errors in a 30min TM5 test, you might need to move the VDD and start over. If you have just a few you can normally stabilize it by moving VDD2 up/down a little bit. If that doesn't work, try adjusting TX up and down a little bit, then move SA up and down a little bit, if none of that eliminates the few remaining errors, move Mem-VDDQ up slightly and repeat.

Once I have a stable set of voltages, I save them as a profile. So I have one set that is 1.435v, one that is 1.455v, one that is 1.485v, one that is 1.53v, one that is 1.56v, etc. I load the profile, and set the memory to the desired speed, say 7800 or 8000, and then try slight tweaks to get it stable, if I can't, then I build a profile with higher voltages.

Подбор напряжений от CarSalesman с OCN
My method for tuning SA and TX:

First, save your most stable profile.

Then, boot to BIOS and reduce VDD in increments of 10mV (booting to windows each time) until the system won't post or at least won't boot into Windows, then raise VDD 20mV above that voltage.

Run y-cruncher VST. What you are trying to achieve is a profile that errors in VST at a consistent number of seconds in, ideally >5s but <15s. Run it 3-5 times and record # of seconds until failure.

Sometimes a certain VDD voltage will pass 1 cycle of VST or error very late into it (which isn't soon enough to use for tuning), but going 10mV lower won't post and/or boot to Windows (or it errors in <5s in VST, which is not ideal). In this case, use the higher VDD voltage and then begin lowering VDDQ in 10mV increments until you achieve the desired level of instability.

Once you have found the right combination of VDD/VDDQ that gives the desired level of instability, boot to BIOS and save this profile. You will go back to it to tune the other voltage (SA or TX, doesn't matter which you tune first and second) once you tune the first.

After you have saved this deliberately unstable profile, change SA or TX (whichever you desire to tune) in 10mV increments up and down and see if your VST runs improve/increase in duration. If system doesn't post or VST fails more quickly, go the other direction with your voltage change.

Eventually you will find a voltage that increases the duration that VST runs (until the errors are found) by a significant amount. You will either complete the first cycle of 120 seconds or get it to run for >60s. You will then know this SA or TX voltage is more ideal than when it was crashing between 5 and 15 seconds in.

Once you find this voltage, go back to your original "most stable" profile and enter it for SA/TX. Now do stability tests and compare to before.

Начнем.
Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 100, а не 133, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения. При этом доступны частоты с шагом 200- 6400,6600,6800,7000.
По джедек испольуется шаг 400 - 5600,6000,6400,6800,7200 и так далее.
Безопасные напряжения на память для 24/7 эксплуатации.
Jedec разрешает люфт в +6%.
VDD=1.166 (идет на процессор)
VDDQ=1.166 (идет на контроллер процессора)
VPP=1.908 (для доступа к строке)
VDD может быть меньше VDDQ на 66 мВ.
Максимальные напряжения (по Jedec):
VDD=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VDDQ=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VPP=2.10
VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 100 мВ по билдзоиду,
а по Jedec 66 мВ (6% для напряжения 1.1В). Для DDR4 VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 300 мВ.
MSI считает 1.435 относительно безопасным напряжением на память DDR5.
Напряжения для процессора:
1)Transmitter VDDQ=TX VDDQ =1.25+ (CPU VDDQ Voltage), выставляем =VDDQ на памяти, есть мнение, что нужно выставлять = большему из двух параметров (VDD и VDDQ на памяти).Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 1.1V. Dakar считает безопасным 1.28-1.32V.В принципе 1.35V должно хватать для разгона.
2)MC VDD (на контроллере=CPU VDD2 Voltage)= 1.25+
(зависит от частоты памяти, количества ранков и количества планок)
Buildzoid считает оптимальным 1.20-1.45V. Сток - 1.1V.
Максимум по даташиту интела 1.26 (для DDR4) и 1,166 для DDR5.
garison87-Игорь не рекомендует превышать 1.40V.
3)SA (CPU SA Voltage)=1.25+
Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 0.9V.
1.35V должно хватить для любого разгона.
Китайский оверклокер sulalin считает, что при разгоне нужно вручную задавать только напряжения VDD и VDDQ на память, оставляя все остальные в авто.
"When I use HYNIX-MDIE, the IMC voltage is always set to AUTO / SA:AUTO / IVR TX VDDQ:AUTO /DRAM VPP:AUTO. When I overclock the memory, I only set the two voltages of DRAM VDD/VDDQ, and the others are set to AUTO."

Обозначения напряжений в биосе у Асуса

Подбор напряжений от auf1r2
1. Примерно понять лимиты своего железа (одно только это даст огромную подсказку с чего начинать)
1.1. DDR XMP вольтаж / частота / таймиги - чудес не бывает, так что каждые +100Mhz будут требовать примерно ~ +0.015v относительно XMP, CL каждые -2 шага ~ тоже около 0.015v. Другие тайминги - как настроить - но могут и много попросить.
1.2. Проц - По частоте до 7600 - врятли будет ограничивающим фактором если это K-проц 13 поколения.
1.3. Мать - z790 на 4 плашки - до 7600, на 2 плашки - 8000+. z690 - любая мать кроме топовых КигПин ~7000Mhz +/-

2. Зная примерные пределы задать желаемый разгон и смотреть как именно крашатся стресс-тесты
2.1. yCruncher FFT - 99% недостаток VDD на памяти
2.2. Синий экран CLOCK_WATCHDOG - 99% проц не стабилен стал после разгоня памяти - увеличить vCore или уменьшить разгон проца
2.3. Что-либо со словами IRQ - подсистема памяти на стороне проца (не сами модули DDR) - чекать Ring, SA, CPU TX, L2 voltage
2.4. Программа просто закрывается тихо и без видимых ошибок: малые ядра, L2, Ring, SA
2.5. VST/VTT/VT3/N64 тест от кранчера показывает ошибку красным цветом без краша системы - DDR VDDQ скорее всего - пробовать крутить в обе стороны, слишком завышенное тоже может вызывать нестабильность. шаг не более 0.01 - т/к условные 1.45 и 1.43 могут не работать, а 1.44 - будет
2.6. Какой-либо тест кранчера - вырубает комп или ребутит его без синего экрана, особенно если перед этим комп жестко залочился и завис на несколько секунд - CPU TX / сильно неадекватный DDR VDDQ
2.7. Другие тесты кранчера выдают ошибку без краша системы: VDD, SA, DDR VDDQ
2.8. в hwInfo64 в разделе errors появляются ошибки без краша теста - если есть слова CPU - чуть-чуть увеличить напругу на проце, если другое - см. п.2.3 - только нестабильность видимо легкая не приводящая к полному крашу

3. Ничего не помогает! Случайные ошибки, все методы выше не работают: либо вы не соблюдаете п.1 выставляя разгон выше возможностей железа, либо память греется выше 45-50гр - тогда ничего не поможет пока нормально не охладить память до пределов 45-50гр.


Принцип подбора напряжений для DDR5 на январь 2024.
Первым делом отключаем в биосе VDDQ Training и ODT Training.
RTT NOM = 80.
1. Выставляем MEM VDD, кого какое устраивает.
Джедек дает максимум 1.4В, hynix для своих чипов 1.5В, платы дают возможность выставить 1.435В без лишних телодвижений. По стандарту 1.1-1,16В, вдруг кто-то и его использует.
2. Выставляем MEM VDDQ (на 6% ниже от MEM VDD, возможно до 300 мВ).
3. Ищем оптимальное CPU VDDQ, оно будет меньше MEM VDDQ:
для 16 Гбит-чипов на 120-255 мВ (скорее 180-225 мВ) приблизительно 200мВ
для 24 Гбит-чипов на 90-180 мВ (скорее 105-150 мВ) приблизительно 125мВ
4. Ищем оптимальные SA (1.15-1.25) и VDD2 (в районе 1.4)

Приблизительная аналогия напряжений для DDR5 и DDR4:
1.20 у DDR5 это как 1.30 у DDR4
1.25 это как 1.35
1.30 это как 1.40
1.35 это как 1.45
1.40 это как 1.50
Пресеты напряжений из биоса асус апекса
Вложение:
A46A5B40-C5C1-4F27-BB45-677739004192.jpeg
A46A5B40-C5C1-4F27-BB45-677739004192.jpeg [ 32.65 КБ | Просмотров: 448439 ]

Вложение:
266B6356-7A74-4036-B024-C6FCCA3250D5.png
266B6356-7A74-4036-B024-C6FCCA3250D5.png [ 371.71 КБ | Просмотров: 293865 ]
ПРОСТАЯ ТАБЛИЦА по разгону памяти DDR5 на интеле
http://bit.ly/3bITglw
Примечание к таблице:
tCL можно устанавливать любые четные из интервала 22-92
tCWL=tCL-2
tWR кратно 6 из интервала 48-132
tRTP выбирать из 12,14,15,17,18,20,21,23,24,26,27,29,30,32,33
CCDL=RDRDsg выбирать из интервала 8-22
CCDLWR2=WRWRsg всегда в 2 раза больше,чем CCDL,интервал 16-44
CCDLWR всегда в 4 раза больше, чем CCDL,интервал 32-88.
Советы по разгону
Разгонять лучше всего на частотах, что есть в Jedec.
3200,3600,4000,4400,4800,5200,5600,6000,6400,6800 и выше (по +400).
Разгон идет в режиме контроллеров памяти (теперь их у интела два) Gear2,
в нем скорость контроллера в два раза меньше скорости памяти.
При этом должны быть обязательно четными тайминги:
-tCL
-tCWL
-tWR
-tRTP
-CR
Шаги разгона.
1.Устанавливаем приемлемое для нас напряжения на память:
- VDD (DRAM Voltage)- в hwinfo SWA,
- VDDQ (DRAM VDDQ Voltage)- в hwinfo SWB,
- VPP (DRAM VPP) - в hwinfo SWC;
и напряжения на процессоре:
- TX VDDQ (transmitter VDDQ-напряжение на КП процессора), в hwinfo VDDQ TX
- MC VDD (напряжение на линии, связывающей процессор и модуль памяти) - (max по даташиту интела =1.2+5%=1.26 для ddr4 и 1.116+4,5%=1.166 для ddr5), родное напряжение обеспечивает работу памяти для 2DIMM плат - 4800 SR/DR, для 4DIMM плат - 4400 -2SR или 2DR, 4000- 4SR, 3600- 4DR, в hwinfo CPU VDD2
- VCCSA
2.Выставляем первичные тайминги, для tCL нужно использовать четные, для tRCD и tRP возможны и нечетные. Учитываем, что tRAS>=tRCD+tRTP(min=12). tRAS по Jedec для любой частоты памяти = 32 ns.
tCWL=tCL-2.
RRDS=8,RRDL>=8,FAW=32 (для DDR5 памяти с 1К страницами FAW=32 по Jedec (тут джедек большой молодец) на любых частотах!)
Оптимально иметь tCL=tRCD=tRP.
tCL и tCWL обязательно четные.
3.Тестируем.
4.Устанавливаем вторичные и третичные тайминги согласно моей простой таблице для разгона DDR5-памяти.
Можно смело сразу выставлять
tRTP=12 (min12)/иногда нужно 14
tWTRS=8-10 (min4)/ATC завышает значение на 4
tWTRL=20-24 (min16)/ATC завышает значение на 4
tWR=48 (min48)
tRDRDsg=12-16 (min8)
tWRWRsg=24-32 (min16)
tRDWRsg/dg=20 (min рабочее 17)
tXP=8
5.Тестируем.
6.Настраиваем tRFC и tREFI.
tRFC для 16-Гбитных чипов должно быть кратно 16, а для 8-Гбитных чипов - 8.
Удивительно, что биос выставляет tREFI в 2 раза меньше, чем он должен быть согласно Jedec (при этом tREFI для DDR5 и так уменьшен в 2 раза по сравнению с DDR4).
Найден ответ - https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17742370#p17742370:
Разобрался с tREFI и tRFC для DDR5.
Refresh mode setting у DDR5 выставлено в отличие от DDR4 в режим FGR, а не Normal.
Поэтому значение tREFI в биосе в 2 раза меньше, чем мной ожидалось (1.95 us, а не 3.9 us).
И из-за этого в асрок тайминг конфигураторе приводится значение tRFC2, а не tRFC.
Значения по Jedec
tRFC2 для
16 Gb-чипов - 160 нс
8 Gb-чипов - 130 нс
tRFCsb для
16 Gb-чипов - 130 нс
8 Gb-чипов - 115 нс

Вывод:
относительно безопасно повышать дефолтное значение tREFI в 4 раза для обычного разгона (25000 для 6400), для бенчей допустимо повышение в 8-16 раз.

tREFI лучше выбирать из этих значений:
262143 максимум, нет сдвига
130560 (сдвиг в пределах 2-х)
87040 (сдвиг в пределах 3-х)
65280 (возможен сдвиг в пределах только 4-х tREFI)
52224 (при tREFIx9 в биосе = max =255 еще будет возможность сдвигать обновление как задумано в пределах 5хtREFI)
7.Финальное тестирование.
Замеченные противоречия с Jedec в биосах материнских плат
1.Платы позволяют выставить tRAS меньше теоретически возможного, даже меньше tRCD.
2.tCWL можно выставить =tCL, при этом авторы биоса обещают увеличение производительности.
Можно выставить и tCWL=4.
Но верное tCWL=tCL-2, смотреть по минимальному tRDWR (при tCWL=tCL tRDWR не удается снизить, поэтому нужно выставлять tCWL по Jedec).
3.tWR можно выставить значительно меньше 48. Видел даже 0.
4.tWRWRsg может быть меньше, чем 2*tRDRDsg, 14 спокойно работает при tRDRDsg=12. Даже видел WRWRsg<RDRDsg, WRWRsg=9 RDRDsg=11. Вот только реально в регистрах эти тайминги напрямую связаны как tWR и tRTP для DDR4, поэтому реально работают другие тайминги, думаю , что занижение WRWRsg биос игнорирует и считает по RDRDsg.
5.RRDS=4 RRDL=4 FAW=16 можно выставить и получить профит.
6.tRTP можно выставить меньше 12. Видел 2.
7.RDRDdg и WRWRdg можно выставить равными 7.
Попытка объяснения найденных противоречий (мои мысли на 20/11/2021)
У DDR5 современные платы видят каждую планку не как одну целую, а как две раздельных с шириной шины 32 бит, а не 64 бита. Этим можно объяснить FAW=16 (строка в 2 раза меньше). Это же объясняет? и другие формулы в асусмемтвике и драгонболле для WRRDsg/dg и WRPRE: +6 вместо +10 и +4 вместо +8 соответственно. Правило WRWRsg=2*RDRDsg биосы обходят точно так, как правило для ddr4 по WR=2*RTP. Про заниженные значения tWR,tRTP - или плата реально применяет другие значения, или мы не находим ошибки из-за большого кэша, так как для их выявления тестировать нужно программами, которые пишут, минуя кэш.
Про повышение производительности при tCWL=tCL : вероятно, это происходит при чрезмерном снижении tCL, так как в идеале tCL=tRCD=tRP, а у DDR5 tCL занижают на 10 тактов и больше.
Совет : повышать tCL, оставляя tCWL=tCL-2, наблюдая за производительностью. Когда производительность станет выше при tCWL=tCL-2, то мы нашли наш минимальный tCL и истинный tCWL.

Тайминги для двурангов/4-х планок
RDRDdr/dd=BL/2+RPRE+4 (min13) вроде min стаб 16
WRWRdr/dd=BL/2+WPRE+4 (min14)
WRRDdr/dd=CWL-CL+BL/2+RPRE+4 (min11) вроде min стаб 14
Минимальные значения возможны при минимальных RPRE=1 и WPRE=2

Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR5 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (при считывании 32 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+24(при считывании 64 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+56 (при считывании 128 байт с одного банка)
Для DDR5 оптимальным выбором являются 2-й или 3-й вариант.
Но из-за предохранителя в виде tRTP (задумано джедек) можно всегда выставлять tRAS минимально возможным =tRCD+tRTP и ничего при этом не терять.
Вот когда на интеле станет возможным реально выставить tRC, тогда нужно будет искать минимальный tRC, выставляя при этом tRAS=tRC-tRP.
Если занизить tRAS, то ничего страшного не произойдет, так как лимитирующим фактором будет выступать tRTP, после последней команды READ должно будет пройти время tRTP, пока не поступит команда PRE.

tREFI
tREFI = 32767 fine for fanless - поднять в 6 раз от номинала
tREFI = 65535 start harder в 12 раз
tREFI = 131071 need fan cooling and temp < 50 ~ 55 в 24 раза
tREFI = 262143 need temp < 45 ~ 50 в 48 раз
performance 32767 vs 262143 very few improve
Мое мнение - безопасные уровни:
1. В 4 раза.
2. В 8 раз.
3. В 16 раз.
4. В 32 раза
5. Максимум - для бенчей.


Новое (август 2023) про tREFI
Оптимально в биосе выставлять максимальный tREFI.
tREFI=262143 и находить стабильность с помощью tREFIx9.
Ориентироваться можно следующим образом:
tREFIx9=64 это как бы по-старому tREFI=65535.
Шаг изменений =1, поэтому если нестабильно значение 127, то может быть вполне стабильным значение 100 или любое другое, что ниже.

Настройка tREFI
Есть две методики настройки трефи.
1. Лучшая на данный момент.
Выставляем трефи в максимум и ищем максимальный стабильный tREFIx9.
2. Старая методика.
Ищем максимальный трефи, оставляя tREFIx9 в авто.
При этом лучше, чтобы (трефи+1) был кратен 1024(мое мнение) или 8192(Veii).

оптимальные значения tCL
Учитывая, что tCL может быть только четным, следует при переходе на большую частоту принимать во внимание наш tCL.
Например, 6000с30, на частоте 6200 это с31, а его нет, поэтому надо переходить на частоту 6400с32 или повышать напряжение, чтобы добиться 6200с32

Программы для разгона
Просмотр таймингов в windows:
ASROCK Timing Configurator
ASUS MemTweakIt
MSI Dragon Ball
MSI Dragon Power
Intel MLC GUI
Тестирование памяти:
Testmem5 with custom config
HCI memtest (400% на поток)
RunMemTestPro 5.0 (оболочка для запуска HCI memtest)
RunMemTestPro 7.0 (оболочка для запуска HCI memtest)
https://drive.google.com/file/d/1rSuXIB ... f1g4R/view
Karhu (10000%)
y-cruncher N32 лучше всего тестирует tREFI и tRFC
Memtest86+ v6.00 - https://www.memtest.org/
Примечание:
ATC неверно показывают значения WTRS и WTRL (на 4 выше, чем в биосе).
Связано с неверными формулами подсчета.
Биос считает по формулам:
WRRDsg/dg=CWL+10+WTRL/S
А ATC считает по старым формулам (как у DDR4):
WRRDsg/dg=CWL+6+WTRL/S

Для разгона производители повышают напряжение с 1,1В до 1,35В.
С 5200 уже есть модули с напряжением 1,25В с таймингами 38-38-38-84,
с напряжением 1,1В и частотой 5200 тайминги 40-40-40-76.
Для 4800 с напряжением 1.1В тайминги 34-35-35-69, 38-38-38-70.
С 6600 и 6666 напряжение 1,35В с таймингами 40-40-40-76.
GSkill
#77

Официально поддерживаемой скоростью памяти на платформе Alder Lake является DDR5-4800, поэтому все остальное считается разгоном. Хотя более быстрые комплекты памяти DDR5 тестируются, IMC процессора (встроенный контроллер памяти) по-прежнему является решающим при выборе скоростей DDR5-6000+. Несмотря на это, есть информация, что в будущем платформа Intel Alder Lake и её последователи смогут поддерживать модули памяти со скоростями вплоть до DDR5-10000.
Стандарт Jedec (JESD79-5B, август 2022) по DDR5:
платный - 369 US

Micron DDR5 datasheet

Hynix M-Die datasheet

Доступная информация
Информация от Интел
У всей памяти DDR5 есть такие достоинства и особенности:
-встроенная схема управления питанием
-коррекция ошибок ECC
-опционально поддержка профилей Intel XMP 3.0.
Общие сведения
Одним из улучшений DDR5 является более низкое рабочее напряжение 1,1 В в сравнении с 1,2 у DDR4. Однако только память DDR5-4800 и некоторые комплекты памяти DDR5-5200 работают при 1,1 В. Но не все комплекты памяти DDR5-4800 одинаково полезны. Судя по всему, у Corsair лучшие комплекты памяти DDR5-4800 из всех производителей. Dominator Platinum имеет тайминги 34-35-35-69, тогда как Kingston Fury Beast имеет - 38-38-38-70. Учитывая болеенизкие тайминги и яркий внешний вид, комплект памяти Corsair, вероятно, будет иметь преимущество.
Однако самыми быстрыми комплектами памяти DDR5 являются модули от G.Skill. Производитель предлагает комплекты памяти DDR5-6000 и DDR5-6666 из линейки Trident Z5. Независимо от скорости они имеют тайминги 40-40-40-76 при напряжении 1,35 В. Кроме того, в планах у компании G.Skill уже есть модули DDR5-6800.
Оперативная памятя DDR5 совместима со спецификацией Intel Extreme Memory Profile (XMP) 3.0. Новая спецификация делает разгон памяти еще проще, позволяя хранить на модуле больше профилей и легко настраивать их.Спецификация Intel XMP 3.0 для DDR5 позволяет хранить 5 профилей и легко перезаписывать два из них.Пять профилей для пятого поколения оперативной памяти DDR5! Два профиля пользователь волен настраивать как угодно через программное обеспечение.
#77
#77
Источник: Intel Corporation, презентация Blueprint Series
В новой спецификации Intel XMP 3.0 количество профилей увеличили с двух до пяти, три профиля предоставляет производитель, а два оставшиеся перезаписываемые и могут легко настраиваться пользователем через фирменное программное обеспечение. Профилям можно давать понятные имена длиной до 16 символов. Поддерживается проверка контрольной суммы CRC. Также стоит снова упомянуть «переезд» схемы управления питанием на модуль, схема управляет напряжениями VDD, VDDQ, VPP.
В профиле XMP 3.0 можно выставить tRC.
#77
Одной из особенностей 12-го поколения процессоров интел относится технология динамического управления профилями оперативной памяти Intel Dynamic Memory Boost. Главный инженер лаборатории разгона Intel Дэн Рэгланд объяснил, что эта технология является своеобразным аналогом Turbo Boost для оперативной памяти и работает автоматически.
#77
Источник: Intel Corporation, презентация Blueprint Series
В зависимости от нагрузки Intel Dynamic Memory Boost динамически выбирает подходящий профиль оперативной памяти: стандартный JEDEC или XMP. Технология работает с DDR4 и DDR5 сертифицированными модулями Intel XMP и переключает профили автоматически, опираясь на интеллектуальный алгоритм. Задействовать функцию можно простым включением соответствующей настройки в BIOS материнской платы.

Информация от MSI
В отличие от памяти DDR4, система питания чипов которой располагалась на материнской плате, у DDR5 VRM теперь находится непосредственно на самих модулях ОЗУ. С точки зрения эффективности управления питанием это можно назвать преимуществом, однако оно имеет и свой недостаток в виде изменения степени нагрева модулей памяти в целом.
#77
Сделанный специалистами MSI тепловой снимок модуля DDR5, оснащенного контроллером RENESAS P8911-Y0, с установленным напряжением в 1,35 В (VDDQ / VDD), наглядно демонстрирует нагрев свыше 56 градусов по Цельсию именно в зоне VRM. По мнению MSI, это означает, что все высокочастотные модули DDR5 будут требовать наличия массивных радиаторов охлаждения.
Возможно лучшие контроллеры питания памяти PMIC на данный момент: anpec и richtek.
Их всего есть 5 . + Renesas, GMT, MPS.
Можно узнать из биоса вендора PMIC.
Другим нюансом, который обозначили инженеры MSI, является наличие у материнских плат MSI Z690 трёх режимов питания памяти DDR5:
- стандартный режим безопасности с заблокированными значения 1,1 / 1,1 / 1,8 В (VDD / VDDQ / VPP);
- программный режим, который будет являться штатным и работать в диапазоне значений 1,1- 1.435 / 1.1-1.435 / 1.8-2.135 В;
- режим разгона, для которого на материнских платах высокого класса будет распаяна специальная микросхема, необходимая для разблокировки диапазонов программного режима.
#77
#77
Далее специалисты компании прошлись по вопросу выбора оптимального блока питания для материнских плат на чипсете Z690. Они вновь обратили внимание, что ранее на модули DDR4 питание подавалось от материнской платы и стандартное напряжение составляло 1,2 В, тогда как питание на VRM DDR5 идёт напрямую от блока питания и имеет напряжение 5 В. Это означает новые повышенные требования к стабильности напряжения по линии 5 В в блоке питания. Нестабильное питание по данной линии может привести к сбоям системы, либо ограничить разгон.

Рекордный разгон DDR5 на сегодня:

Как узнать производителя чипов памяти:
Corsair
#77
Ver3.43.01 = Micron 16Gbit A-Die (Q1 | Q2 | Q3)
Ver4.40.01 = Hynix 16Gbit A-Die
Ver4.49.01 = Hynix 16Gbit M-Die
Ver5.43.13 = Samsung 16Gbit B-Die
gungstar написал, что
ver4 - samsung
ver5 - hynix
G.SKILL
#77
Lot Code
-S830A = Micron 16Gbit A-Die
-S82*A = Hynix 16Gbit A-Die
-S82*M = Hynix 16Gbit M-Die
-S810B = Samsung 16Gbit B-Die
Kingston
#77
Production Code: ETM[M][08]A2104
H - Hynix
K - ICs have been relabeled by Kingston
M - Micron (Spectek)
N - Nanya
S - Samsung

Руководство для разгона DDR5 - идея, материал и видео Scandaal, озвучка с коррекцией и дополнениями alaMut

Важные дополнения от odvolk10

tRFC по Jedec
#77

Про CR в биосе MSI
The description in BIOS is pretty good in my opinion, you just need to process what it says.
Real 1N allows for commands to be sent every single cycle, non-stop. Very hard to get stable.
N:1 mode allows for N commands to be sent in a row, before waiting 1 cycle. As you increase N, the performance gets steadily closer to real 1N in performance. At higher values for N this can be quite tricky to get stable.
1N is N:1 with N set to 3. This is relatively achievable to stabilize, and gets you most of real 1N's performance.
N:1 with N set to 1 is very similar to 2T, but will train RTLs 1 tick lower resulting in slightly higher performance.
I used N:1 for competitive overclocking recently, but found that the BIOS didn't set the N value correctly upon boot, so I had to manually change it in OS to get proper performance out of it.

От лучшего к худшему:
1.Real 1N - настоящий CR1, в режиме Gear2 невозможен
2.N:1=1:1 - псевдо CR1 для Gear2, реально CR2
3.1N=3:1 - псевдо CR1.5 для Gear2, реально CR3
4.2N=4:1 - псевдо CR2 для Gear2, реально CR4

Как уменьшить латентность
1) Низкие тайминги
2) Низкий RTL
3) CR1
4) Высокий ринг ( А значит надо офать Е ядра)
5) Чистая винда
6) Ну и последнее но не по важности - Отключайте виртуализацию в биосе . Иногда она жрет псп и латентность нехило так.

В ветке есть опасные для железа советы и просто вредные от Alzov, Alterus, Alex Topman.
Применять их только на свой страх и риск.

Верная тренировка - определяем по RTL
Для 6800
При tCL=30 RTL=57/58
При tCL=32 RTL=59/60
RTL=частота памяти/800 + tCL + 19
затем округляем вниз (RTLA) и вверх (RTLB)
Не забываем на MSI отключать режим Lucky mode

Формулы асрок тайминг конфигуратора
WTRL=WRRDsg-CWL-6
WTRS=WRRDdg-CWL-6
WR=WRPRE-CWL-4 (так считает и асусмемтвик)

А реально для DDR5 актуальны другие формулы (по ним считает биос msi и драгонболл):
WTRL=WRRDsg-CWL-10
WTRS=WRRDdg-CWL-10
WR=WRPRE-CWL-8

Итог- асрок тайминг завышает истинное значение WR,WTRL и WTRS на 4.

Частота памяти на разных платах, протестированная Интел

Как исключить КП из лимитирующих факторов при разгоне памяти
При разгоне памяти мы достигаем предельной частоты.
Она может быть обусловлена платой, памятью, контроллером памяти процессора.
Чтобы исключить контроллер памяти, предлагаю переключиться в режим Gear4, тогда КП будет работать с пониженной вдвое частотой. Для исключения платы можно воспользоваться листом поддержки памяти на сайте производителя материнской платы. Если плата должна держать эту частоту, а у нас не держит, то проблема, скорее всего, с нашей памятью.


Как узнать производителя чипов памяти у своего модуля памяти


Руководство по разгону памяти от Максима
bit.ly/ddr-5


Полная стабильность от Максима - это tm5 extreme / karhu 10000%+ / стоковый цикл тестов y-cruncher не менее 10-15 проходов со временем каждого теста 40-60сек (можно ограничиться VST 20-30 проходов). Ну и в играх напоследок.

Полная стабильность от odvolka10 - это когда VST 30-50 кругов или больше (приветствуется также N32 и N64 тесты в совокупности), Karhu RAMTest, MemTestPro 7.0, MemTestDeluxe 10.0, TM5 Extreme (ABSOLUT также приветствуется дополнительно) и отзыв в играх Warzone I, II, Dota 2, Battlefield 2042. Также хотелось бы видеть AIDA64 CacheMem + Photoworks.

Мое мнение - Memtest 10 Pro, tm5 extreme, y-cruncher, prime95, tarkov, diablo 4, warzone.

Список пользователей, дающих опасные советы
Alterus - не хочет отвечать за свои слова, советует ненормальные напряжения

Восстановление умершей планки на асус-платах
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=18007666#p18007666

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


Последний раз редактировалось anta777 03.05.2024 15:06, всего редактировалось 263 раз(а).
Добавлены советы по подбору напряжений от Veii



Партнер
 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Немного не в тему но Даташит интела 12 поколения

или так

Касающаяся темы информация - от 70 страницы
Из интересного
Вложение:
тайм.png
тайм.png [ 34.81 КБ | Просмотров: 222218 ]

Также на скрине из биоса мси засветился еще один тайминг
Открыли доступ к tRFCpb - Per Bank Refresh Cycle time
биос мси
Вложение:
memory-Boost-D5.jpg
memory-Boost-D5.jpg [ 130.09 КБ | Просмотров: 222218 ]


Добавлено спустя 2 часа 1 минуту 7 секунд:
Вложение:
FDMJU1UWEAItqSu.jpg
FDMJU1UWEAItqSu.jpg [ 198.15 КБ | Просмотров: 222173 ]


Добавлено спустя 50 минут 51 секунду:
ВОзможно лучшие контроллеры питания памяти PMIC на данный момент
anpec и richtek
надо проверить
Их всего есть 5 . + Renesas, GMT, MPS
Можно узнать из биоса вендора PMIC


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Для любителей покурить даташиты DDR5
Micron 8*2gb SR ( полный)

или так

Самое от 471 страницы

SK Hynix 8*2 SR ( урезанный пока - отсутствуют разделы из 4 по 10 )

или так


Из интересного что сразу в глаза кинулось

Максимальные вольтажи Hynix
Вложение:
хайникс.png
хайникс.png [ 98.99 КБ | Просмотров: 222071 ]

Максимальные вольтажи Micron
#77#77


CCD_L_min
Вложение:
ccd_l.jpg
ccd_l.jpg [ 156.54 КБ | Просмотров: 222071 ]


В даташите интела заявлено (страница 79)
Вложение:
data79str.png
data79str.png [ 10.11 КБ | Просмотров: 222059 ]


для 4 дим плат ( 2 димма на канал)
4400 1DPC SR/DR
4000 2DPC SR
3600 2DPC DR

для 2 дим плат ( 1 димм на канал)
4800 1DPC SR/DR

А тут из даташита MSI Z690 ACE
Вложение:
ace.jpg
ace.jpg [ 97.85 КБ | Просмотров: 222059 ]

хоть в их же QVL есть 4800 *4 SR
Вложение:
ace2.png
ace2.png [ 120.38 КБ | Просмотров: 222059 ]


Предположу что про разгон 4 планок надо забыть , ( по крайней мере на старте платформы) . Если вам нужен большой объём например 64 гб то лучше взять 2 двуранговых модуля 32гб *2 для большей частоты.
Пока в дадашитах видел только 5600 DR максимальный спидбин
Поддержка на 2 дим плате например


Добавлено спустя 1 час 44 минуты 44 секунды:
Поддерживаются только четные tCL
например спидбин 6000
Вложение:
пар.jpg
пар.jpg [ 225.97 КБ | Просмотров: 222040 ]

Формула tCWL = tCL -2 во всех даташитах преследует :crazy:
Вложение:
цвл.jpg
цвл.jpg [ 288.91 КБ | Просмотров: 222040 ]


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
G.SKILL продолжает заниматься разгоном оперативной памяти нового поколения DDR5 и на этот раз демонстрирует стабильный разгон комплекта Trident Z5 до 7000 MT/s с задержками CL40-40-40-76. Компания напоминает, что ранее аналогичную скорость работы удавалось достичь на DDR4 только при помощи жидкого азота, теперь для этого достаточно иметь радиаторы.

#77

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.08.2008
Откуда: Град стольный
Китайсы вообще отжигают https://dtf.ru/hard/705045-kitayskaya-n ... ysyach-mgc
И ведь родят черти :-)
Может фейк? На дату посмотрел :oops:

_________________
Тот кто не понял с 3-х раз, поймёт с трёх букв!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Svenson
в Gear 4
Вложение:
14075826641166.jpg
14075826641166.jpg [ 28.96 КБ | Просмотров: 221931 ]

Хотя кто знает. Может на такой частоте и будет компенсация от "DDR PHY bus clock is quad of QCLK"
Ну ето все в будующем (микрон зарезервировал в шитах 8800 бин ) , а пока гигабайт отжигает :crazy:
8300 cl52
Вложение:
FDQ1MX-WEAANiUr.png
FDQ1MX-WEAANiUr.png [ 165.11 КБ | Просмотров: 221931 ]


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.08.2008
Откуда: Град стольный
Посмотреть бы игровые тесты (я думаю большинство юзверей они интересуют) скажем хотя бы 4500 Cl17 DDR4 vs 4800 Cl** DDR5 и экстраполировать их приблизительно на более высокие частоты DDR5 с примерными ожидаемыми таймингами. А то инфы с гулькину гузку :-)

_________________
Тот кто не понял с 3-х раз, поймёт с трёх букв!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Svenson писал(а):
Посмотреть бы игровые тесты (я думаю большинство юзверей они интересуют) скажем хотя бы 4500 Cl17 DDR4 vs 4800 Cl** DDR5 и экстраполировать их приблизительно на более высокие частоты DDR5 с примерными ожидаемыми таймингами. А то инфы с гулькину гузку :-)

4500с17 только в Геар 2. и Gear 1 попроизводительней будет.
Есть инфа что легко 4000 взять в геар 1 + бидаи не оч любит контроллер алдеров. но это все слухи проверить бы.

4533 если точнее ( в геар 2 шаг мин 66*2*2 ) остальное шина. ( для контроллера ддр4 в рокелейках я имею виду. Как будет в алдерах посмотрим)
та вроде не поменялось .
или я не догоняю :crazy:
Вложение:
множ.jpg
множ.jpg [ 75.93 КБ | Просмотров: 221885 ]


Последний раз редактировалось 2500K_2 03.11.2021 18:54, всего редактировалось 2 раз(а).

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.11.2007
Откуда: Вавилон-5
Фото: 0
Пока первое что отпугивает это высокие тайминги, нужны тесты которые покажут, что они не режут производительность по сравнению с быстрой DDR4.

_________________
Вот котелок, кипит на огне, места в нем хватит Лондо и мне.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
G'Kar писал(а):
Пока первое что отпугивает это высокие тайминги, нужны тесты которые покажут, что они не режут производительность по сравнению с быстрой DDR4.

Тайминги как тайминги. В нс надо считать все / Возможно просто ддр4 из своими бидаями и слишком агрессивными таймингами нас разбаловала. :crazy:
4733_16_dr
Вложение:
4733_16.jpg
4733_16.jpg [ 498.36 КБ | Просмотров: 221877 ]

5000_16_sr
Вложение:
5000_c16_sr.jpg
5000_c16_sr.jpg [ 1.2 МБ | Просмотров: 221773 ]

4010_c13_dr
Вложение:
4010_c13_dr.png
4010_c13_dr.png [ 2.24 МБ | Просмотров: 221773 ]


И что такое быстрая ддр4 для алдера ? ну в рамках одной платформы процессоров надо сравнивать как по мне.
Бидаи в геар1 ? или в геар2 ? контроллер ддр4 ,если верить слухам, может выше латентность показать ( единственный аргумент ддр4).
А может DJR DDR4 5600 - 5866 - быстрее теперь на новой платформе?

Каждые 7 лет один и тот же аргумент - тайминги :-)
Предлагаю окунуться в историю


Последний раз редактировалось 2500K_2 04.11.2021 9:59, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.08.2008
Откуда: Град стольный
2500K_2 Да конечно все будет. И перелезем на ддр5 как миленькие. Кто-то пророчет через тройку лет. Ну мы здесь все неугомонные. Сдается раньше.
Вот показательный тред из той темы из 14-го:

Цитата:
Crash

теперь подумай какой от них толк, если ддр3 на частоте 2133 может работать цл9\10 против 15 у ддр4. Прирост производительности сомнителен. На какой либо прирост можно рассчитывать при частотах больше 3000мгц. и то не все процессоры поддерживают память овэр 3000мгц. Да и по тестам видно, что нынешние системы имеют максимальную производительность при частотах памяти 2133-2400, а далее высокие тайминги сжирают профит от высокой частоты, если конечно это не память 2800 цл 12. Про ддр4 можно забыть года ещё года на 3. моё имхо и логический вывод.

Реально прям дежавю :-)

_________________
Тот кто не понял с 3-х раз, поймёт с трёх букв!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
DQS_RTT_PARK
RTT_WR,
RTT_NOM_RD,
RTT_NOM_WR
RTT_PARK

Ухх Веселье то будет :crazy:


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
На этот раз Jedec хорошо потрудилась, создала стандарт с огромным запасом, на десятилетия, не ограничила, как с DDR4.
Память есть смысл разгонять до частоты,где tRC<=256 (32 банка при RRDS=8 и FAW=32).
Учитывая tCL=tRCD=tRP=15 ns, до частоты 11400 проблем не будет!

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
anta777
Мне один владелец сказал что rrd_s 4 выставил из tFaW -16 на ддр5
И показатели были выше в фотоворксе. :haha:
А если выставить 8 8 32 то хухе стало
Чет я ему теперь не буду верить на слово :crazy:


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Весь смысл DDR5 - это BL=16 , а не BL=8 , как у DDR4.
Поэтому RRDS=8, про что и написано в даташитах.
А лучший FAW=32.
BL=32 только для чипов х4, мы их видеть в продаже не будем.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
anta777 писал(а):
Весь смысл DDR5 - это BL=16 , а не BL=8 , как у DDR4.

Вот именно . надо в табличку и на шапку темы в 1 строчку.


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Так у меня уже почти готова таблица для разгона DDR5, чтобы ее закончить не хватает только данных по тем таймингам, что можно крутить в биосе. Только их получу, так сразу же выложу.

И для DDR5 аиде64 нужно будет менять бенчи, я так считаю.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
anta777 писал(а):
Так у меня уже почти готова таблица для разгона DDR5, чтобы ее закончить не хватает только данных по тем таймингам, что можно крутить в биосе. Только их получу, так сразу же выложу.

И для DDR5 аиде64 нужно будет менять бенчи, я так считаю.

Из-за чего ? неправильного определения латентности ?
вроде разные есть в аиде
aida
Вложение:
латентность.jpg
латентность.jpg [ 49.11 КБ | Просмотров: 221664 ]

Или таки эти 32 битные каналы полноценны и 4 канал должен рисовать 200 GB/s на 6400 ?


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Да, каналы полноценны.
И еще вместо фотоворкса.

Добавлено спустя 22 минуты 35 секунд:
Но у меня получается для 6400 теоретическая скорость одного канала (реально 2 канала по 32 бита).
DDR5-6400, PC5-51200 400 МГц 3200 МГц 6400 МТ / с 51,2 ГБ.
У нас реально будет 4 канала, но 32-битных, поэтому и скорость = 102,4Гб.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 09.01.2014
Откуда: Кузбасс
Фото: 0
anta777 писал(а):
Так у меня уже почти готова таблица для разгона DDR5, чтобы ее закончить не хватает только данных по тем таймингам, что можно крутить в биосе. Только их получу, так сразу же выложу.

Это будут уже готовые настройки, которые можно будет сразу выставлять не парясь со стресс-тестами?


Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 12948 • Страница 1 из 6481  2  3  4  5 ... 648  >
-

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: Cyber, Shturbanfurer, St@s1987, TTXT и гости: 11


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  

Лаборатория














Новости

Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan