Сообщения без ответов | Активные темы


Список форумов » Тематические форумы » Оперативная память

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Куратор(ы):   anta777   



Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 20783 • Страница 1 из 1040 • 1  2  3  4  5 ... 1040  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Прежде чем читать "многобукв" ниже, убедитесь что ваша плата поддерживает работу с DDR5 памятью на нужной вам частоте, проверив совместимость по QVL листу.

Перед настройкой таймингов памяти на всех платах выключить ECC, а на асусах еще дополнительно Error Correction!
После всех проверок и настроек можно будет включить обратно.

Из простых советов:
1) Матплаты на которых хорошо гонится память: ASUS, MSI.
Gigabyte исправился с поколения плат на z790, а MSI испортилась с z790.
Для наибольшего разгона памяти лучше двухслотовые платы (любых размеров, хоть ATX, хоть mini-ITX).
Для максимального разгона памяти из самых недорогих плат стоит взять
MSI MEG Z690 UNIFY-X
MEG Z690I UNIFY
MSI Z790i EDGE
2) Тяжело стартуют 2х16 выше 6000 на многих платах (см. советы по вендорам), не берите 4 плашки памяти (лучше уж 2х32 взять).
3) процессоры нон К не подходят для разгона памяти, так как тогда на платах включается ограничения повышения напряжения на SA (до 0,96 В), чего не хватит для нормального разгона.

Оптимально брать для разгона плату:
1) 2 DIMM
2) максимальное количество слоев -10,12,14
3) 2 фазы питания на AUX
4) побольше меди

На октябрь 2022 лучшая плата для разгона памяти - EVGA z690 Dark Kingpin.

На апрель 2023 лучшие платы на z790 для разгона памяти среди полноразмерных плат:
1.EVGA Kingpin.
2.ASUS Apex.
3.GIGABYTE Tachyon
(для тех, кто готов мирится с архинеудобным и запутанным биосом).

Лучшие платы на февраль 2024.
1. Asus Apex Encore.
2. Gigabyte Tachyon и Tachyon X (лучше)

Самые дешевые и удачные платы для разгона памяти на февраль 2024
1. Asrock z790 Nova.
2. Gigabyte z790 Aorus Elite X AX и вся серия Х.
3. Asrock z790 Riptide (самая дешевая, минимум).

Можно ожидать для z790 и Raptor Lake:
• 1DPC 1R Max speed up to 7600+ MHz
• 1DPC 2R Max speed up to 6600+ MHz
• 2DPC 1R Max speed up to 6400+ MHz
• 2DPC 2R Max speed up to 5600+ MHz
Для z690 и Alder Lake:
• 1DPC 1R Max speed up to 6800+ MHz
• 1DPC 2R Max speed up to 5600+ MHz
• 2DPC 1R Max speed up to 4800+ MHz
• 2DPC 2R Max speed up to 4000+ MHz

Приблизительные результаты, которые следует ожидать от разгона на март 2023:
Z690+ADL+M-DIE = 6800-7000. 7200 max (tachyon z690/12700kf = 7200-32)
Z790+RPL+M-DIE = 7200-7400 (kingpin Z790/13900k=7400-32); 7600-34 2T, 7200-32 1T был достигнут SerjKZN на Z790 Tachyon+13900KF
Z690+ADL+A-DIE =7400-7600 max (unify-x z690/12900ks = 7600-34; 7600-32)
Z690+RPL+A-DIE = 7800-8000 max (kingpin z690/13900k = 7800-32; unify-x z690/13900k = 8000-34) // 8000 на унифайке пока редкость, также делают 8000-34 на кингпине
Z790+RPL+A-DIE = 8000-8200++ (apex z790/13900k = 8200-34) и 7000-7200 на дуалах 2x32Gb. 7400-32 был достигнут SerjKZN на z690 kingpin



N.B. Важнейшая информация!
1. Качество чипов памяти определяется возможной рабочей дельтой между DRAM VDD и DRAM VDDQ. Чем она больше, тем лучше.
200 мВ - идеал, 100 мВ возможны почти для всех чипов.
Дельта равна 6% по джедеку, максимум возможно 300mV.
2. Всегда при настройке памяти нужно стремиться к максимальному снижению DRAM VDDQ, что увеличит стабильность памяти!
Это еще связано с тем, что VDDQ DRAM прямо связано с CPU TX и CPU VDD2, поэтому его снижение позволит уменьшить и эти напряжения.
Перед настройкой напряжений обязательно в биосе отключить VDDQ Training, так как иначе плата будет динамически менять наши напряжения при каждой перезагрузке!
ODT Training off
RTT_NOM = 80
VDD2<1.4V (можно ставить в авто)


Советы от Veii
Первым подбирать
SA в диапазоне 1.15-1,25 (оптимально <1.18),подбирать с максимальным рингом, зависит от качества процессора, токов утечки,
а потом
VDD2(MC-Link) в диапазоне 1.38-1.44 для 8400 частоты памяти, может быть больше и меньше, индивидуально

Затем подбираем CPU VDDQ(IVR TX), оно будет меньше MEM VDDQ
для 16 Гбит-чипов на 120-255 мВ (скорее 180-225 мВ)
для 24 Гбит-чипов на 90-180 мВ (скорее 105-150 мВ)



Рекомендуемые напряжения при разгоне памяти Hynix -
советы от Александра (odvolk10)
Напряжение CPU VDDQ TX - самое сложное напряжение в разгоне DDR5. Очень сильно влияет на стабильность в играх по типу Call of Duty: Warzone, Cyberpunk 2077, Marvel's Spider-Man Remastered, а также в тестах для памяти и синтетических. Повторюсь, оооочень сильно влияет, намного важнее CPU VDD2 (MC), SA. Первое, чтобы я искал, если память не стабильна - так это оно. По экспериментам с EVGA, для 6400 хватает даже 1.1В! + этой платы в том, что она для разных процов выставляет сама его при тренировке, почти всегда, если не всегда - правильно. Для начала разгона выставлять (речь пойдёт только о Hynix, если рассматривать самсунг, то лучше не следовать этому совету): DRAM VDD=1.55V, VDDQ=auto или на 10% ниже либо же равное DRAM VDD, CPU VDD2=auto либо же =DRAM VDDQ. SA auto или 0.95 (для Hynix CR2) этого хватает даже на 7000MHz.
Советы от Максима (pakhtunov) по напряжениям:
CPU VDD2 = DDR VDDQ
SA и VDDQ TX должны быть как можно ниже
6800-32-40-40-52 проходят мемтест86 и экстрим на 1.44/1.38В VDD/VDDQ и 0.9/1.08В SA/VDDQTX
обращаю внимание, что именно 32-40-40, ибо 39-39 нестабилен у Игоря и Александра даже на 1.48, у меня же на 1.47 проходил все тесты. Путем снижения до 40-40-52 можно выиграть до 0.08В
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17807131#p17807131
Выводы

1) DRAM VDD=выставляем то напряжение, что нас устраивает
1.40V(Jedec)/1.435V(MSI)/1.50V(Hynix)/1.55V/1.65V(на воде)
2) DRAM VDDQ=0.94*DRAM VDD(мой совет)/0.90*VDD(odvolk10)/0.95-0.97*VDD(pakhtunov)/auto
3) CPU VDD2(MC)=DRAM VDDQ или auto/не превышать 1.45V! или даже 1.40V!(совет Игоря) >=1.40 обычно хватает для стабильности VST
4) CPU VDDQ (TX)=min (1.1V-1.2V), можно и 1.25V
5) CPU SA=CPU VDDQ TX(совет Макса)/auto/0.95V(хватает для 7000 CR2)
Снижая SA, можно снизить VDD2. Между VDD2 и SA должна быть определенная дельта, если ее нарушить в меньшую сторону (повысить SA), то исчезнет стабильность.
Дельта >=166-216 мВ. Стабильность SA обязательно проверять праймом.
Еще для пуристов возможен такой вариант:
DRAM VDDQ=DRAM VDD-0.3V
CPU VDD2=DRAM VDDQ
CPU AUX=1.85V
DRAM VPP=1.85V/1.908V/2.10V/2.135V
Для стабилизации ринга поднимать напряжение RING PLL (до 1.05V)
Желательно придерживаться правила:
SA<=TX<VDD2

Оригинальная методика поиска напряжений от Gadfly
Плата EVGA Dark KP z690
Mine get touchy at 7600 and above.
Getting 7800 stable at 1.485v (underload) took a TON of tweaking. Basically, I build profiles of matching voltages that work. So my process so far is your memclk to a speed that you have been able to get stable previously, so you know that you have enough mem VDD and mem VDDQ; 7000, 7200 etc. Then move VDD up and build a profile for the higher VDD.

1.) Set Mem-VDD to desired voltage
2.) Set Mem-VDDQ to 100mv below Mem-VDD
3.) Set VDD2 just below mem-VDDQ
4.) Set VDDQ TX to known good value from lower speed; or start at 0.950v
5.) Set SA to stock (0.950v)

Start by alternate increasing VDDQ TX and SA voltage until it boots into the OS, then + 5mv. Start stability testing.

Then, I alternate increasing TX and SA until the number of errors stops reducing and starts increasing then back it off to whatever values produced least number of errors.
Next, I increase VDD2 until the number of errors stop reducing. If you have more than 1-3 errors in a 30min TM5 test, you might need to move the VDD and start over. If you have just a few you can normally stabilize it by moving VDD2 up/down a little bit. If that doesn't work, try adjusting TX up and down a little bit, then move SA up and down a little bit, if none of that eliminates the few remaining errors, move Mem-VDDQ up slightly and repeat.

Once I have a stable set of voltages, I save them as a profile. So I have one set that is 1.435v, one that is 1.455v, one that is 1.485v, one that is 1.53v, one that is 1.56v, etc. I load the profile, and set the memory to the desired speed, say 7800 or 8000, and then try slight tweaks to get it stable, if I can't, then I build a profile with higher voltages.

Подбор напряжений от CarSalesman с OCN
My method for tuning SA and TX:

First, save your most stable profile.

Then, boot to BIOS and reduce VDD in increments of 10mV (booting to windows each time) until the system won't post or at least won't boot into Windows, then raise VDD 20mV above that voltage.

Run y-cruncher VST. What you are trying to achieve is a profile that errors in VST at a consistent number of seconds in, ideally >5s but <15s. Run it 3-5 times and record # of seconds until failure.

Sometimes a certain VDD voltage will pass 1 cycle of VST or error very late into it (which isn't soon enough to use for tuning), but going 10mV lower won't post and/or boot to Windows (or it errors in <5s in VST, which is not ideal). In this case, use the higher VDD voltage and then begin lowering VDDQ in 10mV increments until you achieve the desired level of instability.

Once you have found the right combination of VDD/VDDQ that gives the desired level of instability, boot to BIOS and save this profile. You will go back to it to tune the other voltage (SA or TX, doesn't matter which you tune first and second) once you tune the first.

After you have saved this deliberately unstable profile, change SA or TX (whichever you desire to tune) in 10mV increments up and down and see if your VST runs improve/increase in duration. If system doesn't post or VST fails more quickly, go the other direction with your voltage change.

Eventually you will find a voltage that increases the duration that VST runs (until the errors are found) by a significant amount. You will either complete the first cycle of 120 seconds or get it to run for >60s. You will then know this SA or TX voltage is more ideal than when it was crashing between 5 and 15 seconds in.

Once you find this voltage, go back to your original "most stable" profile and enter it for SA/TX. Now do stability tests and compare to before.

Начнем.
Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 100, а не 133, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения. При этом доступны частоты с шагом 200- 6400,6600,6800,7000.
По джедек испольуется шаг 400 - 5600,6000,6400,6800,7200 и так далее.
Безопасные напряжения на память для 24/7 эксплуатации.
Jedec разрешает люфт в +6%.
VDD=1.166 (идет на процессор)
VDDQ=1.166 (идет на контроллер процессора)
VPP=1.908 (для доступа к строке)
VDD может быть меньше VDDQ на 66 мВ.
Максимальные напряжения (по Jedec):
VDD=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VDDQ=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VPP=2.10
VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 100 мВ по билдзоиду,
а по Jedec 66 мВ (6% для напряжения 1.1В). Для DDR4 VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 300 мВ.
MSI считает 1.435 относительно безопасным напряжением на память DDR5.
Напряжения для процессора:
1)Transmitter VDDQ=TX VDDQ =1.25+ (CPU VDDQ Voltage), выставляем =VDDQ на памяти, есть мнение, что нужно выставлять = большему из двух параметров (VDD и VDDQ на памяти).Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 1.1V. Dakar считает безопасным 1.28-1.32V.В принципе 1.35V должно хватать для разгона.
2)MC VDD (на контроллере=CPU VDD2 Voltage)= 1.25+
(зависит от частоты памяти, количества ранков и количества планок)
Buildzoid считает оптимальным 1.20-1.45V. Сток - 1.1V.
Максимум по даташиту интела 1.26 (для DDR4) и 1,166 для DDR5.
garison87-Игорь не рекомендует превышать 1.40V.
3)SA (CPU SA Voltage)=1.25+
Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 0.9V.
1.35V должно хватить для любого разгона.
Китайский оверклокер sulalin считает, что при разгоне нужно вручную задавать только напряжения VDD и VDDQ на память, оставляя все остальные в авто.
"When I use HYNIX-MDIE, the IMC voltage is always set to AUTO / SA:AUTO / IVR TX VDDQ:AUTO /DRAM VPP:AUTO. When I overclock the memory, I only set the two voltages of DRAM VDD/VDDQ, and the others are set to AUTO."

Обозначения напряжений в биосе у Асуса
https://m.youtube.com/watch?time_continue=2&v=WXhrQfXUYyw

Подбор напряжений от auf1r2
1. Примерно понять лимиты своего железа (одно только это даст огромную подсказку с чего начинать)
1.1. DDR XMP вольтаж / частота / таймиги - чудес не бывает, так что каждые +100Mhz будут требовать примерно ~ +0.015v относительно XMP, CL каждые -2 шага ~ тоже около 0.015v. Другие тайминги - как настроить - но могут и много попросить.
1.2. Проц - По частоте до 7600 - врятли будет ограничивающим фактором если это K-проц 13 поколения.
1.3. Мать - z790 на 4 плашки - до 7600, на 2 плашки - 8000+. z690 - любая мать кроме топовых КигПин ~7000Mhz +/-

2. Зная примерные пределы задать желаемый разгон и смотреть как именно крашатся стресс-тесты
2.1. yCruncher FFT - 99% недостаток VDD на памяти
2.2. Синий экран CLOCK_WATCHDOG - 99% проц не стабилен стал после разгоня памяти - увеличить vCore или уменьшить разгон проца
2.3. Что-либо со словами IRQ - подсистема памяти на стороне проца (не сами модули DDR) - чекать Ring, SA, CPU TX, L2 voltage
2.4. Программа просто закрывается тихо и без видимых ошибок: малые ядра, L2, Ring, SA
2.5. VST/VTT/VT3/N64 тест от кранчера показывает ошибку красным цветом без краша системы - DDR VDDQ скорее всего - пробовать крутить в обе стороны, слишком завышенное тоже может вызывать нестабильность. шаг не более 0.01 - т/к условные 1.45 и 1.43 могут не работать, а 1.44 - будет
2.6. Какой-либо тест кранчера - вырубает комп или ребутит его без синего экрана, особенно если перед этим комп жестко залочился и завис на несколько секунд - CPU TX / сильно неадекватный DDR VDDQ
2.7. Другие тесты кранчера выдают ошибку без краша системы: VDD, SA, DDR VDDQ
2.8. в hwInfo64 в разделе errors появляются ошибки без краша теста - если есть слова CPU - чуть-чуть увеличить напругу на проце, если другое - см. п.2.3 - только нестабильность видимо легкая не приводящая к полному крашу

3. Ничего не помогает! Случайные ошибки, все методы выше не работают: либо вы не соблюдаете п.1 выставляя разгон выше возможностей железа, либо память греется выше 45-50гр - тогда ничего не поможет пока нормально не охладить память до пределов 45-50гр.


Принцип подбора напряжений для DDR5 на январь 2024.
Первым делом отключаем в биосе VDDQ Training и ODT Training.
RTT NOM = 80.
1. Выставляем MEM VDD, кого какое устраивает.
Джедек дает максимум 1.4В, hynix для своих чипов 1.5В, платы дают возможность выставить 1.435В без лишних телодвижений. По стандарту 1.1-1,16В, вдруг кто-то и его использует.
2. Выставляем MEM VDDQ (на 6% ниже от MEM VDD, возможно до 300 мВ).
3. Ищем оптимальное CPU VDDQ, оно будет меньше MEM VDDQ:
для 16 Гбит-чипов на 120-255 мВ (скорее 180-225 мВ) приблизительно 200мВ
для 24 Гбит-чипов на 90-180 мВ (скорее 105-150 мВ) приблизительно 125мВ
4. Ищем оптимальные SA (1.15-1.25) и VDD2 (в районе 1.4)

Приблизительная аналогия напряжений для DDR5 и DDR4:
1.20 у DDR5 это как 1.30 у DDR4
1.25 это как 1.35
1.30 это как 1.40
1.35 это как 1.45
1.40 это как 1.50
Пресеты напряжений из биоса асус апекса
Вложение:
A46A5B40-C5C1-4F27-BB45-677739004192.jpeg
A46A5B40-C5C1-4F27-BB45-677739004192.jpeg [ 32.65 КБ | Просмотров: 686270 ]

Вложение:
266B6356-7A74-4036-B024-C6FCCA3250D5.png
266B6356-7A74-4036-B024-C6FCCA3250D5.png [ 371.71 КБ | Просмотров: 531696 ]
ПРОСТАЯ ТАБЛИЦА по разгону памяти DDR5 на интеле
http://bit.ly/3bITglw
Примечание к таблице:
tCL можно устанавливать любые четные из интервала 22-92
tCWL=tCL-2
tWR кратно 6 из интервала 48-132
tRTP выбирать из 12,14,15,17,18,20,21,23,24,26,27,29,30,32,33
CCDL=RDRDsg выбирать из интервала 8-22
CCDLWR2=WRWRsg всегда в 2 раза больше,чем CCDL,интервал 16-44
CCDLWR всегда в 4 раза больше, чем CCDL,интервал 32-88.
Советы по разгону
Разгонять лучше всего на частотах, что есть в Jedec.
3200,3600,4000,4400,4800,5200,5600,6000,6400,6800 и выше (по +400).
Разгон идет в режиме контроллеров памяти (теперь их у интела два) Gear2,
в нем скорость контроллера в два раза меньше скорости памяти.
При этом должны быть обязательно четными тайминги:
-tCL
-tCWL
-tWR
-tRTP
-CR
Шаги разгона.
1.Устанавливаем приемлемое для нас напряжения на память:
- VDD (DRAM Voltage)- в hwinfo SWA,
- VDDQ (DRAM VDDQ Voltage)- в hwinfo SWB,
- VPP (DRAM VPP) - в hwinfo SWC;
и напряжения на процессоре:
- TX VDDQ (transmitter VDDQ-напряжение на КП процессора), в hwinfo VDDQ TX
- MC VDD (напряжение на линии, связывающей процессор и модуль памяти) - (max по даташиту интела =1.2+5%=1.26 для ddr4 и 1.116+4,5%=1.166 для ddr5), родное напряжение обеспечивает работу памяти для 2DIMM плат - 4800 SR/DR, для 4DIMM плат - 4400 -2SR или 2DR, 4000- 4SR, 3600- 4DR, в hwinfo CPU VDD2
- VCCSA
2.Выставляем первичные тайминги, для tCL нужно использовать четные, для tRCD и tRP возможны и нечетные. Учитываем, что tRAS>=tRCD+tRTP(min=12). tRAS по Jedec для любой частоты памяти = 32 ns.
tCWL=tCL-2.
RRDS=8,RRDL>=8,FAW=32 (для DDR5 памяти с 1К страницами FAW=32 по Jedec (тут джедек большой молодец) на любых частотах!)
Оптимально иметь tCL=tRCD=tRP.
tCL и tCWL обязательно четные.
3.Тестируем.
4.Устанавливаем вторичные и третичные тайминги согласно моей простой таблице для разгона DDR5-памяти.
Можно смело сразу выставлять
tRTP=12 (min12)/иногда нужно 14
tWTRS=8-10 (min4)/ATC завышает значение на 4
tWTRL=20-24 (min16)/ATC завышает значение на 4
tWR=48 (min48)
tRDRDsg=12-16 (min8)
tWRWRsg=24-32 (min16)
tRDWRsg/dg=20 (min рабочее 17)
tXP=8
5.Тестируем.
6.Настраиваем tRFC и tREFI.
tRFC для 16-Гбитных чипов должно быть кратно 16, а для 8-Гбитных чипов - 8.
Удивительно, что биос выставляет tREFI в 2 раза меньше, чем он должен быть согласно Jedec (при этом tREFI для DDR5 и так уменьшен в 2 раза по сравнению с DDR4).
Найден ответ - https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17742370#p17742370:
Разобрался с tREFI и tRFC для DDR5.
Refresh mode setting у DDR5 выставлено в отличие от DDR4 в режим FGR, а не Normal.
Поэтому значение tREFI в биосе в 2 раза меньше