дык у нас шапку 500 лет никто не трогал, иногда Андрей заглядывает(времени видимо сейчас совсем нет)
Можем конечно попросить fedx помочь в актуализации шапки или дождемся когда у меня окончательно пригорит от одних и тех же вопросов и граблей в теме и я напишу статью

Самое смешное, то собирал на пару лет, но вот спустя почти 5 лет только поменял. Да и 2080ti скорее всего на 5ый год только под замену пойдет. Так то уже больше 4 лет... странные времена так сказать )


А по планкам, если надо больше 32гб, но надо просто 2 плашки по 32 брать. Если и этого мало, то скорость наверное не сильно важна уже ) В остальном ИМХО надо посмотреть на платы под 13ое поколение и на что они будут похожи, на пару с самим 13ым. Думаю будут так сказать учтены некоторые уроки 12ого.

Сейчас у плат проблемы не "12-го", а "власти экономистов и менеджеров" над инженерами. Интелу повезло - вовремя одумались.У подавляющего большинства остальных итоги гораздо печальнее.

Всем Привет!

https://youtu.be/GfTwcNbJ4AM

Можно видео в шапку?

Не можно,а нужно.
Очень даже дельное руководство. Удивительно,я думал,что в дискорде все такие как алзов))).
В целом я согласен с мыслями автора, расхождение только в нюансах.

что за нюансы, можно конкретнее ?

Scandaal, https://youtu.be/GfTwcNbJ4AM?t=432 вот здесь например, SA и VDD, а разве SA идет на память?

Хочу сказать мнение от себя.
Посмотрел видео.
Очень даже не плохо, даже хорошо, я бы сказал, но есть свои нюансы, а также не знания возможные (или неполная высказанность), поэтому дополняю.

Упомяну допом:
1) MC (VDD2)/SA также зависят друг от друга. Например, 1.3/0.95 и 1.25/1.1 стабильно, а 1.3/1.1 и 1.25/0.95 может быть нет;
2) Есть зависимость (не знаю, поддержат или нет), что tCL зависит не только от VDD/VDDQ, но и прямиком от MC (VDD2) и SA;
3) Напряжение VDDQTx лучше не ставить выше 1.4V. Даже если на памяти 1.5-1.6V (на тех же Hynix на Renesas/Richtek), то лучше не превышать это значение (толку нет, а жора больше и стабильность меньше);
4) MRC Fast Boot на ASUS можно держать Enabled, ибо если менять тайминги, то она его автоматом поменяет на Disabled и оттренит память, а как пройдёт POST, восстановит на Enabled. На MSI держать в AUTO. Других материнок не рассматриваю из-за косяков биоса со времён давних (P.S. в гиге тоже авто лучше или всегда Disabled);
5) Перед любой настройкой памяти делать PPD0 или PDM=Disabled; при этом tXP auto или 8 (min по JEDEC) для красоты (для DDR4=4). Также tCKE=0 при PDM off/0 или 8 (4 для DDR4) для красоты (=tXP);
6) Для самсы tWR/tRTP можно ставить 60/15 (оптимал);
7) Ставить RRD/FAW 4/6/16 вместо 8/8/32 кто как горазд. Ошибки нигде не будет, если производительность лучше в первом случае, но надо быть аккуратнее. С tRRD_L я бы не бадался, ибо при правильно настроенной памяти даже на DDR4 знач. 8 не будет ошибкой, здесь тем более. Так что можно играть 4/8/16 или 8/8/32 и смотреть - что лучше. Но сильно я бы не запаривался из-за tBL, который у нас увеличился в 2 раза по сравнению с DDR4 (16 вместо 8 (tBL=tRRD_S*2), поэтому tRRD_S в DDR4 2 или 3 с tFAW 8 или 12 было хуже, чем стандарт 4 и 16 соответственно;
8) Та же схема и с tRDRD_sg/dg и WRWR_sg/dg (и связанные с tRDRD tCCD_L/tCCD(S)). В DDR4 было tRDRD_sg=tWRWR_sg=tCCD_L (sg=sg=s), но в DDR5 tWRWR_sg>tRDRD_sg в 2 раза, поэтому для начала проще простого выставить 16/8 и 32/8 для tRDRD_sg/dg и tWRWR_sg/dg, соответственно (tRDRD_sg=tCCD_L). Дальше можно поиграть со значениями 12/8 и 24/8, а также с 12/7+24/7 и 8/7+16/7, но лучше 12/8 и 24/8 результата не будет (ИМХО)...;
9) Полезным будет поиграться с tRPRE и tWPRE. В DDR4 здорово сыграли в производительности после значений 6/3, например. Здесь пробовать 1/2 или 2/4 или 2/3 соответственно. Для DDR4 было отличным результатом 1/1, но там tRDRD_sg=tWRWR_sg, здесь же уже не так. И да, они напрямую к ним относятся, а также к _dr и _dd таймингам;
10) Почему tRFC лучше использовать кратным 16? Всё просто - потому что чипы по 2Гб и 128бит шина (или около того, точно по формулировкам не подскажу, тут к технику Андрею). Для 1Гб чипов ставить кратным 8. Оставлять для начала в авто, а потом занижать по 32-64 сразу, чтоб время не терять. В конце - потому что зависит от напряжения;
11) tREFI=262143 или 130560 считаю оптимальным. Особенно, если есть обдув памяти. Также на Ali рекомендую попутно купить радиаторы для памяти (поиск радиатор памяти DDR5).
12) tWRRD зависит от биоса платы и от производителя платы. Рекомендую ориентироваться на tWTR всё же. Мои рекомендации - tWTR_S>=4 (8-10 оптимал и почти всегда и везде едет), tWTR_L>=16 (18 не помню видел ли, но 20 точно нормально). Можно начать с 12/24, как говорилось в видео;
13) tRFCpb какой-то странный тайминг, не знаю, как его считать, но проще оставить в авто, ибо профита я не увидел;
14) tWR/tRTP вообще отдельная тема. Стандарт 48/12 (60/15 для самсы), можно пробовать 24/12 поиграть, но 16/8 и тем более 12/6 я бы не советовал, ибо время потрачено, а прирост не увидел.

И да, дорогие оверы. Всё в DDR5 упирается не в тайминги и т.п., а в ЧАСТОТУ! Даже тот же 6400CL30 на лучших вторичках и третичках будет хуже того же 6600CL32 на обычных (около нормальных) вторичках и третичках. Так что, друзья, стремитесь к частоте сначала, а дальше всё подтянете, затянете и будет хорошо.

Всех отборных зелёнок без переплат

Рекомендую аргументировать и оставаться бодрыми и воспитанными. Всем добра

tRFCpb на практике не используется, он задействуется только при включении определенного режима.

В корне неверно. 6400CL28 1T быстрее 6800C30 2T

а что там по фотоворксу у 6400CL28(1T) Vs 6800C30(2T) при прочих равных желательно?

По поводу напряжений: в видео было сказано "напряжения процессора идут на память" и еще, в шапке в начале "VDD/VDDQ (идут на процессор)", в отличии от ддр4, где были пины на слотах Vdd, которые шли на сокет (пины VDDQ), здесь их уже нет https://media-www.micron.com/-/media/cl ... e402827caa Table 3: Pin Assignments (только 5В на пине VIN_BULK). Т. е. пинов VDDQ уже нет и на сокете 1700, точнее есть, но просто не задействованы для ддр5 (только для ддр4) ?

Ты хочешь сказать, что сколько VDDQ TX ни крути на ддр5 - толку от него будет ровно ноль?

Добавлено спустя 3 минуты 5 секунд:

Первое - перегрев, а второе - недостаточно "суммарного" напряжения?

Добавлено спустя 6 минут 4 секунды:

Внимание, вопрос! А команду READ (на чтение столбца) посылает контроллер памяти? Или сам КП ЦП ( )? /от этого прямо зависит правильный ответ на твоё предположение.

Добавлено спустя 5 минут 22 секунды:

А вот эту "защиту от дурака" давно уже пора было сделать в любом биос.

Добавлено спустя 13 минут 7 секунд:

Зачем опять тут "пальцем в небо"? Писали же уже выше, что вполне чётко привязываются делители макс. значения к величине рабочей температуры чипов. Поэтому, сначала можно значение занизить до не выше 65000, а крутить его вверх стоит уже в конце разгона, глядя на установившуюся раб. температуру (в стрессе для бенчей или в играх - кому как).

А есть возможность затестить? Просто вокруг этих 1T и 2T уже столько мифов накопилось, что имхо пора бы уже как-то систематизировать инфу. Не знаю насчет DDR5, но на хорошо настроенной DDR4 оно давало буст только в Aida, в играх у меня не было такого чтобы на 1Т было (условно): 100фпс, а на 2Т уже 90. Даже 100 и 95 разницы не было, как правило в рамках погрешности измерений (на одной частоте с одинаковыми таймингами, а не 40001Т против 34002Т).

1T и 2Т это же как в автоспорте - короткие передачи у коробки или длинные. А ты их по "максимальной скорости" (по фпс, ещё и среднему) сравниваешь.

я бы на него вообще не ориентировался, тот же рдвр на ддр4 там давал прирост - а в играх минус фпс, те просто кукурузный тайминг, особенно на высоком фреке (4200+)

RDWR дает значительный прирост в линксе, а не только в фотоворксе.
В играх было снижение из-за того, что реально система применяла другой тайминг, про это уже давно писалось.

эт к повествованию о "CR1 РАЗРЫВАЕТ CR2" DDR-5 на платформе Intel. Статистика разгона, советы, обсуждение результатов. #17700609 и
прикидке-предположению DDR-5 на платформе Intel. Статистика разгона, советы, обсуждение результатов. #17700882

Я не знаю, где ты там нужные напруги потерял, но вот схема из pdf по моим hynix:

Alex TOPMAN, да это скрин просто микросхемы памяти на планке ддр, где понятно, что есть 3 напряжения VPP, VDD и VDDQ, которые формируются из преобразователя напряжения PMIC, на входе которого 5 В (пины на слотах VIN_BULK). Я за другое, то, что нет пинов VDD как на ддр4, которые идут на сокет (пины VDDQ). Вот пример, здесь на бордвью VCCM это VDD на памяти, остальная обвязка это шунтирующие конденсаторы, пины VDD на памяти идут напрямую на сокет (VDDQ).

А на счет VDDQ TX я без понятия как оно формируется, не искал, хотя даже нет распиновки 1700 и ддр5 (в даташитах нашел только распиновку ддр5 по ссылке выше). Бордвью плат на ддр5 я так понимаю тоже проблематично найти.