Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
Для грамотного разгона памяти нужно перед этим немного разобраться с архитектурой Zen 3, чтобы потом не задавать глупые вопросы - почему у меня такая низкая скорость записи в аиде.
Рассмотрим топологию кристалла с 2 CCD (2 комплекса по 6-8 ядер в каждом) + IOD (чиплет ввода/вывода), которыми являются старшие модели 7900x и 7950x. 8 ядер 16 потоков, 32 Мб кэш L3 на каждый из CCX в CCD, аналогично прошлому поколению мы видим шину Infinity Fabric, при этом количество циклов на чтение и запись осталось аналогичным Zen 3. Теперь перейдём в cIOD. В данном блоке скорость обмена данными между Infinity Fabric и Unified Memory Controller, а также между Infinity Fabric и IO Hub Controller осталась на прежнем уровне.
Из нового - появился один интересный блок SyncFIFO.
На самом деле AMD уже заявляла патенты на данную технологию в 2019, 2021 годах, возможно ещё когда-то. Сама технология не сказать, что новая, что-то подобное уже проскальзывало в 2005 году. Сам блок оперирует буфером «первым поступил — первым обслужен» (FIFO) с первым тактовым импульсом и одним из указателей чтения или указателем записи буфера FIFO с первой частотой, одновременно оперируя другим указателем чтения или записи на втором тактовом импульсе. Один из сериализаторов, подаваемых с выхода буфера FIFO, или десериализатор, подающий данные на вход буфера FIFO, работает со вторым тактовым импульсом. Временные импульсы дают понять указателю работающему со вторым тактовым импульсом, что он достиг заданной точки в своем цикле. Фаза вторых тактовых импульсов регулируется на основе соотношения между синхронизирующими импульсами и периодом опережения указателя, работающего с первыми тактовыми импульсами. Указатель, работающий с первым тактовым импульсом сбрасывается для достижения желаемого значения отношения. Исправляется перекос, возникающий при настройке фазы вторых тактовых импульсов. Звучит достаточно сложно и это только общее описание. Зачем же нужен данный блок? Проще говоря, если в Zen 3 fclk = uclk, то теперь это не обязательно, блок сам синхронизирует частоту во время работы согласно своих алгоритмов. Это далеко не значит, что частота IF стала на втором плане, но теперь при частоте работы памяти 6000 МГц нет необходимости в fclk = 3000. Переходя к связи между Unified Memory Controller и памятью, тут тоже произошли изменения. Так как в каждом модуле оперативной памяти теперь есть по 2 канала, то теперь данные передаются также по двум каналам от памяти до Unified Memory Controller.
Новый 6-нм cIOD содержит двухканальный контроллер памяти DDR5 (реально обслуживает 4 канала по 40 бит, включая ECC и поддержку шифрования с аппаратным ускорением) со встроенной поддержкой DDR5-5200; PCI-Express 5.0 x28; контроллер USB 3.2 с поддержкой портов 2x2 20 Гбит/с, сквозного порта USB-C и DisplayPort от iGPU. Частоты FCLK Ryzen 7000 аналогичны доменам серии Ryzen 5000. FCLK определяет тактовую частоту Infinity Fabric, которая не связана с UCLK (тактовая частота контроллера памяти) и MCLK (тактовая частота DRAM). AMD заявляет, что DDR5-6000 является «свитспотом» в том смысле, что это самая высокая частота MCLK, с которой может работать процессор, сохраняя при этом определенные оптимизации для разгона памяти. Однако уже на данный момент можно встретить экземпляры, которые работают на частоте 6400. В Zen 3 мы бы старались запустить Infinity Fabric синхронно с памятью, но это больше невозможно, потому что FCLK не может достигать 3000 МГц (при условии использования памяти DDR5-6000). Теперь оптимальная конфигурация - запустить FCLK на 2000, делитель 3:2. Выбор «Авто» в BIOS будет автоматически направлен на эту настройку. Выше 6000 МГц стратегия изменится на соотношение 1:2. Но это соотношение можно изменить вручную.
Отсюда первый вывод - если FCLK держит максимум 2000, то следующая оптимальная частота памяти после 6000, это 8000 (с режимом контроллера памяти 1:2). FCLK связан с UCLK, а не частотой памяти (MEMCLK). Memclk:uclk может быть настроена 1:1 или 2:1. При настройке памяти 2:1 fclk можно настроить на настоящую синхронность с uclk (1:1). При настройке памяти 1:1 fclk можно настроить на псевдосинхронность с uclk (2:3). Частота памяти у нас реально в 2 раза меньше, чем пишут на ней, так как память у нас сейчас ddr, где 2 транзакции за такт происходит. fclk:uclk=2:3 Поэтому, если память настроена 1:1 с uclk, то для fclk 2000-6000 или 8000 (если 2:1 с uclk) 2033-6100 или 8133 2067-6200 или 8266 (если 2:1 с uclk) 2100-6300 или 8400 2133-6400 или 8533
Чтобы воспользоваться преимуществами синхронизации оптимально устанавливать следующие частоты фабрики и памяти:
Если 2:3 2000-6000 2033-6100 2067-6200 2100-6300 2133-6400 2167-6500 2200-6600 Если 1:2 2000-8000 Самое интересное, что по умолчанию в авто синхронизация у асрока в биосе выключена, ее нужно самому включать вручную!
Смысл перехода на 1:2 есть для процессоров с 1-м чиплетом приблизительно 6000 1:1 7800 1:2 6200 1:1 8000 1:2 6400 1:1 8200 1:2 с 2-мя чиплетами приблизительно 6000 1:1 7600 1:2 6200 1:1 7800 1:2 6400 1:1 8000 1:2
Можно увеличить FCLK на 2 шага (шаг 33,33), чтобы нивелировать разницу от потери синхронности. То есть выставить так: 6000->=2067 6100->=2100 6200->=2133 6300->=2167 6400->=2200
При этом помнить, что реальную рабочую частоту FCLK можно узнать только с помощью тестов, так как без проблем возможно установить большую FCLK, но она будет троттлить в работе.
Вместо intel xmp 3.0 профилей память для амд использует профиля expo, обещая с помощью них достичь большей производительности, применяя тонкие настройки памяти, которые доступны только на амд.
Технология AMD EXPO или разгон DDR5 одной кнопкой для Ryzen. Аналог XMP от Intel. EXPO отличается от XMP тем, что включает тонкие настройки, уникальные для архитектуры AMD, а также является открытым стандартом. До сих пор модули XMP, установленные в системах AMD зависели либо от кропотливого ручного разгона, либо от использования DOCP, функции, которая пытается преобразовать настройки в профиле XMP в «ближайшие соседи» настроек, совместимых с AMD. Это было неоптимально. EXPO не требует лицензионных отчислений по сравнению с XMP, поэтому любой производитель памяти может внедрить его бесплатно. Ryzen 7000 может работать с любой памятью DDR5 на рынке, включая XMP-сертифицированную, поэтому не волнуйтесь, если вы пока не можете найти комплекты EXPO.
Что в нем насторожило - нет никаких тонких настроек.
AMD подтвердила, что серия процессоров Ryzen 7000 официально поддерживает память DDR5-5200 для одноранговой и двухранговой конфигураций с одним модулем DIMM на канал. При использовании двух модулей DIMM на канал официально поддерживаемая скорость снижается до 3600 МТ/с.
Второй важный вывод - для разгона памяти используем две планки, одноранги или двуранги роли не играет. Формально материнские платы X670 поддерживают максимальную частоту FCLK (частоту Infinity Fabric) до 3000 МГц. Однако конфигурация по умолчанию составляет 1733 МГц. С учётом заявления Хэллока, пользователям можно оставлять FCLK в положении AUTO. Для серии Ryzen 7000 соотношение частот 1:1:1 для FCLK, UCLK и MCLK не так важно, как раньше. Главное, на что следует обратить внимание, это на соотношение частоты памяти и контроллера — лучше, если оно будет 1:1. Удачные образцы Ryzen при этом могут разгоняться до 2000 МГц по FCLK, но такие конфигурации не являются приоритетными для AMD. В изначально поддерживаемом режиме DDR5-5200 все три тактовых генератора будут работать с соотношением частот 2/3:1:1 и 1730:2600:2600 МГц. UCLK можно выставить независимо = MEMCLK или MEMCLK/2.
Общие правила для разгона памяти DDR5 (согласно Jedec)
tCL можно устанавливать любые четные из интервала 22-92 tCWL=tCL-2 tRC=tRAS+tRP tWR кратно 6 из интервала 48-132 tRTP выбирать из 12,14,15,17,18,20,21,23,24,26,27,29,30,32,33 CCDL выбирать из интервала 8-22 CCDLWR2 всегда в 2 раза больше,чем CCDL,интервал 16-44 CCDLWR всегда в 4 раза больше, чем CCDL,интервал 32-88 RRDS=8 RRDL>=8 FAW=32 WTRS>=4 WTRL>=16 RDWR>=14 tRFC=295ns(для 16Гбит-чипов) tRFC2=160ns(-"-") у АМД не применяется tRFCsb=130ns(-"-") у АМД не применяется
Правила для рагона памяти именно на AMD
RDRDscl=CCDL-7 WRWRscl=CCDLWR2-7 RDRDsc=CCDS-7=1 (минимальное значение) WRWRsc=CCDS-7=1 (минимальное значение) WRRD только для двурангов и 4-х планок, для двух однорангов выставлять =1 SD-для двурангов, для однорангов выставять =1 DD-для 4-х планок, для 2-х планок выставлять =1 WTRS,WTRL,WR особенностей нет FAW=32 (амд почему-то иногда выставляет 34) RRDS=8 (амд выставляет верно) RDWR=14-18 (стабильно на частотах до 6400, зависит от качества чипов) RTP=12 WTRS=4 WTRL=16 RAS=RCD+RTP RC=RAS+RP tRAS и tRC похоже на AMD платформах игнорируются, основными лимитирующими таймингами становятся tRTP и tRP tRFC - ориентироваться на таблицу Reous https://docs.google.com/spreadsheets/u/0/d/16jMBDVEvNFkjkJ-RBW5hllsVdHgxVyaGMvY-Fz_ONtE/htmlview# Оптимально настраивать память при GDM off, дает выигрыш около 2 нс
Программы для информации о таймингах и напряжениях
RP=RCD RAS=RCD+RTP RC=RAS+RP WTRS=4 WTRL=16 WR=48 RTP=12 tREFI=65535 tRFC=tRFC2=tRFCpb=min, если не начали снижаться показатели в фотовоксе RDRDscl=WRWRscl=2-8 (чем ниже, тем лучше) RDWR=14-16 (ниже - лучше) Для дуалранков и 4-х планок (зависит от значений RPRE и WPRE в биосе). По правилам WPREmin=2 RPRE=1, поэтому WRWRsd/dd должно быть на 1 выше RDRDsd/dd RDRDsd/dd>=9 WRWRsd/dd>=10 WRRD>=7 Предлагаю ставить в авто и сравнивать показатели чтения, записи , копирования при изменении этих таймингов, оставлять наилучшие. RDRDsd/dd=7? встречал и 6 WRWRsd/dd=7? встречал и 6 WRRD=2? (хотя бы на 2 ниже RDRDsd/dd
Значения таймингов из JEDEC
Первое значение - минимальное в тактах, такты для частоты 6400 WTRS=4/2,5ns -8 CCDL=8/5ns -16 RDRDscl у AMD=16-7=9 RRDL=8/5ns -16 RTP=12/7.5ns -24 CCDLWR2=16/10ns - 32, WRWRscl у AMD=32-7=25 WTRL=16/10ns -32 CCDLWR=32/20ns -64 WR=48/30ns -96 RDWR=CL-CWL+RBL/2+2tCK-(Read DQS offset)+(tRPST - 0.5tCK)+tWPRE -выше 14 WPRE=2/3/4 RBL=16 RPST=0.5/1.5 Read DQS offset=
Валидные тайминги в биосе у АМД
fwiw here are the "valid values" extracted from the AMD OC pages part of the bios: tCL: 22 - 64, stepping of 2 tRCD: 8 - 62, stepping of 2 tRP: 8 - 62, stepping of 2 tRAS: 30 - 126, stepping of 2 tRC: 32 - 255 tWR: 48 - 96, stepping of 6 tRFC1: 50 - 4095 tRFC2: 50 - 4095 tRFCSb: 32 - 2047 tRTP: 5 - 31 tRRDL: 4 - 32 tRRDS: 4 - 20 tFAW: 20 - 80 tWTRL: 8 - 48 tWTRS: 2 - 16
Покупать лучше всего для разгона память на чипах Hynix: M-die (1-е поколение) или A-die (2-е поколение). Сам выбор на данный момент непринципиален из-за ограничений разгона UCLK.
Оптимизация латентности в Aida64
Все в разделах Advanced/AMD CBS BankSwapMode=APU Adress Hash Bank=Disable Memory interleaving size=256 TSME off IOMMU off (on только если ипользуется встроенная видеокарта) Geardown mode off (для этого SCL-тайминги должны быть 5-6) PowerDown=Disable (менять вместе с Memory Context=Disable) - станет дольше загрузка Spread Spectrum обязательно отключать в биосе Nitro-режим 1-2-0 8х 8х Разогнать процессор Порезать по максимуму windows, цель - добиться той де латентности, что есть при тестировании в windows в safe-mode
Безопасные напряжения по мнению AMD (секретная информация)
VSOC<=1300 mV VDDIO<=1250 mV VDDP<=1150 mV
При разгоне платы выставляют в авто VSOC до 1.35 (недавно ограничили в биосе, так как горели 3d-процессоры) VDDIO до 1.40 (обычно хватает 1.30) VDDIO+0.100>=VSOC VDDIO>VDDP+0.100 обычно VDDIO=VDDP+0.100/0.150 VDDIO=MEM VDDQ - 0.100 или VDDIO=MEM VDDQ MEM VDDQ=MEM VDD-0.100 (или 0,94*MEM VDD) Хорошая отправная точка для старта, если авто не походит MEM VDD=1.40 MEM VDDQ=1.40 VDDIO=1.40 VSOC=1.25 VDDP=1.05(1.10)
Напряжения на память
Поднятие родного напряжения на 30-50 мВ позволяет снизить tCL на 2 на этой частоте или поднять частоту памяти с ее родным tCL на 200. JEDEC рекомендует VDD mem (max) =1.40 VDDQ mem= VDD mem*0.94
Hynix для своих чипов разрешает VDD mem (max) =1.50
Без разблокировки напряжения можно давать 1.435. Для разблокировки напряжения на планках должен быть PMIC Richtek или Renesas Анпек (Anpec) , худший контроллер, не дает разблокировать.
Чтобы добиться GDM(Geardown mode) OFF нужно выставить в биосе RDRDscl и WRWRscl минимум 5, а не 4. Asrock Nitro
Технология от Асрок, повышающая стабильность работы памяти. Есть смысл использовать, начиная с частоты 6000, так как при отключении нитро плата на частоте до 6000 использует значения 1-2-0, а выше 2-3-1. Посмотреть можно в зентайминге - системная инфа в опциях. Добавляет дополнительные задержки. Оптимальный вариант с наименьшими задержками: 1-2-0-8х-8х (может потребовать подъема напряжений VDDIO и VSOC) Следующий вариант, чуть хуже: 1-2-1 Еще можно: 1-3-1 или 2-2-1 В авто 2-3-1
У кого не показывает напряжения в зентайминге, то проблема в установленном античите.
Качество тренировки у амд определяется таймингами tPHYRDL, идеально они на разных планках должны быть одинаковыми и как можно ниже. Обычно 35 для частоты 6400.
подскажите пожалуйста по ддр5. на многих комплектах пишут совместимость либо с интел, либо с амд. раньше такого не было вроде бы, и любая память подходила для любой платформы. что то изменилось с новым поколением, что стали такое писать? то есть если я купил память от корсар, на которой написано совместимость с интел, на процессоре амд 7700х она у меня не заведется?
Есть еще какая-то тема на OCnet (где также отписывается товарищ anta777): https://www.overclock.net/threads/amd-h ... e.1801842/ Но тема какая-то жидкая. Более того сложилось впечатление, что ТС (KedarWolf) сам мало разбирается в разгоне памяти.
Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
xyligano писал(а):
вопрос скорее к андрею лично мне без проблем удаётся FCLK = 2200 RRDS = 6 tFAW = 24
экстрим проходит без проблем температура планок предельная 49
прям точно точно надо RRDS = 8?
RRDS может быть равен и 0, так как он служит ограничителем предельной токовой нагрузки чипов памяти. Но снижать его смысл есть только до тех пор, пока еще есть выигрыш при передаче данных. BL для DDR5 =16, их передача идет за BL/2=8 тактов, поэтому снижение RRDS меньше 8 нецелесообразно, так как передать данные память все равно не успеет, будет занята шина передачей предыдущих данных. Если используется режим BC, то передается в 2 раза меньше данных, тогда есть смысл в RRDS=4 и FAW=16.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2004 Откуда: Kaliningrad
Парни подскажите, купил под новую систему на 7700х + Asrock B650E Taichi 2 комплекта памяти G.skill, оба AMD Expo - 5600 36-36-36-89 1.2v и 6000 36-36-36-96 1.35V. Я правильно понимаю что это в принципе одно и тоже - те же чипы только слегка разогнанные?
Какой то убогий контроллер попался или память. Даже 6000 без ошибок не может. Trefi выше 11к тоже не может. VDD 1.37 и VDDQ 1.35, VDDIO 1.361. Может есть смысл CLDO VDDP пониже поставить сейчас в авто 1.15
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.02.2016 Откуда: Default City
artemuss1990 писал(а):
Какой то убогий контроллер попался или память. Даже 6000 без ошибок не может. Trefi выше 11к тоже не может. VDD 1.37 и VDDQ 1.35, VDDIO 1.361. Может есть смысл CLDO VDDP пониже поставить сейчас в авто 1.15
Вложение:
Вложение ZenTimings_Screenshot.png больше недоступно
А что за чипы в памяти? микрон, самсунг, хуникс? У моей оперативы чипы хуникс и 6000 из коробки заявленные держит.
Добрый день ребята, помогите разгоном памяти, всю жизнь сидел на Intel+Ddr4, а тут, что платформа другая так еще и ddr5, все новое для меня. Шапку темы прочёл, но для меня тяжеловато пока вникнуть в эти Uclk, Fclk, Mclk, какие напруги можно ставить? Можно ли идти выше по частоте 6000 которую рекомендует АМD при этом же делитель переходит 1:2. Имею на борту Hуnix M-die 5600 36-38-38, 1.25V Expo. Буду рад пообщаться, потому что-то приуныла тема тут, неужели никто не гонит память на новых Ряженках?
А если снять разгон? Монитор ко встройке подключен? По профилю не понятно на чем вы сидите.
По конфигу: 7600X, Msi b650 Tomagawk и 2 плашки по 16, 5600Mhz 36-38-38 1.25V EXPO M-Die. Да, сижу пока на встройке и после сбрасывания разгона перестает мигать, проц не гнал еще.
Сейчас этот форум просматривают: Free4Hunter и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения