serj
1. "Там" - это где?
2. Для каких целей принимаются допущения - учитывается?
3. Еще маленькое уточнение по термину "средний ток" - для случая преобразователя, который рассматривается в данном случае (Uвх=12 В, Uвых=1,8 В) LAV48 прав: средний ток за период ШИМ верхнего ключа меньше, чем средний ток за период ШИМ нижнего ключа.

Простите, я привёл исчерпывающую информауию в виде фоток в высоком разрешении

serj писал(а):

Прикольно.

Угу.. и это только начало..

2 ALL
Давйте не будем гадать работу преобразователя в областях голой теории (сам виноват, как serj поправил, не нужно от динамики нагрузки уходить), высказываем мысль и обосновываем максимально понятно, а то начинаем цеплятся за обрывки фраз друг друга, а не диалог строить.

P.S. Полез за осцилографом..

serj

2. Цель допущения - оценка распределения энергии, которую получают элементы, за время открытого состояния верхнего ключа. В данном случае я вполне могу полагать ток нагрузки приблизительно постоянным.

3. Мне лично мощность не нужна была в рассмотрении . Меня вполне устраивает ток.
Пример, 2 диаграммы каких-то токов , полученные в одном масштабе по амплитуде и времени:
Я могу спокойно вычислить средний ток за период T, если знаю закон изменения тока во времени:
I1cp=(1/T)*{[интеграл от 0 до T]i1(t)*dt}
I2cp=(1/T)*{[интеграл от 0 до T]i2(t)*dt}

Дык, ты сам себе противоречишь.
Из п3 невозможно сделать приложение для п2.
Ну вычислил ты средний ток верхнего ключа, который почему-то совпал с током потребления из источника, и что? ... практическая ценность 0.
Я заблуждаюсь?

serj
Переход к току был сделан из соображений работы защиты и зависимости времени выключения от его значения и прочих параметров.

serj
Пункты 2 и 3 вообще-то не имеют никакого отношения к друг другу. П.2 -допущение, п.3 - трактовка термина "средний ток".
При чем здесь практическая ценность? Меня интересует всего лишь оценка (причем не самая точная) некоторых параметров и ясность в трактовке терминов.

LAV48, ток через нижний ключ определяется мгновенным током через дроссель. Для статического режима он легко находится для заданного тока нагрузки, скважности и индуктивности дросселя. Для динамической нагрузки он может быть существенно больше, зависит от резвости цепи обратной связи. Кроме того, 'не факт', что дроссель не насыщается. Феррит?

Дроссель (что родной, что меняный с другого преобразователя) всё время очень горячий. В 2D порядка +65*С, и около 50 при обдуве. Писка нет (думаю на 300кГц я б его и не услышал). По осцилу, сейчас не помню

Возможные причины:
1.Рассеивание приличной мощности на активном сопротивлении дросселя, диаметр провода обмотки просто маловат и сравнительно велико его сопротивление либо использование для намотки лишь однослойного провода,на частотах в несколько сотен КГц начинает хорошо проявляться скин-эффект что ведет к увеличению активного сопротивления на переменном токе и соответственно нагреву.
2.Рассеивание реактивной мощности на сердечнике т.е. индуктивные потери на рассеивание либо его насыщение (возможно либо сечение сердечника магнитопровода маловато либо индуктивность слишком велика для такой нагрузки,точнее тока).
3.Потеря магнитной прицаемости из-за нагрева что провоцирует снижение индуктивности и увеличивает потери в магнитопроводе и провоцирует еще больший нагрев всего дросселя и увеличение его сопротивления
...весь этот порочный круг ведет не только к нагреву но и уменьшению кпд...

Попробуйте поменять на дроссель с материнки с преобразователя питания проца(обязательно с ферритовым сердечником, 300кгц для альсифера многовато,велики потери можно с 3фазного питаниятя питания процев) с параллельной намоткой в 3-5 проводов,можно и самому намотать на подходящем для этого сердечнике проводом в 1-1.2мм.

vital_xbc, дроссель уже заменен. А вот по поводу скин-эффекта, на частоте 200 кГц глубина скин-слоя около 0,5 мм, то есть 1 мм провод можно пользовать без проблем. Для 300 кГц - это уже 0,75-0,8 мм. Более 1 мм на матерях и тд я видел всего пару раз. А альсиферы в компьютерной технике вообще, по-моему, не используются...

Почти согласен...но на моей 9600GT соник толщина провода 4х дросселей в стабе памяти 1шт и ядра 3шт как раз 1.2мм (правда там врядли более 150кгц),я их выпаивать и пропаивать потом задолбался, пришлось 550С на паяльной станции воткнуть...дроссели с седечниками возможно из альсифера с матерей асус и гигабайт снимал, проверял под изоляцией кольца сплав жутко похож на него - такой же хрупкий блестящий и с кристаллической структурой.
Кстати для 300кгц тогда при толщине 0.75мм достаточно 3штук намотать на кольцевом магнитопроводе.

Эх, еслиб так, я был-бы просто счастлив.

AlexT.., почитай wiki. И еще не забывайте о том, что в спектре куча гармоник, особенно третья.

Мой фаршмак, признаю, где-то когда-то (как это обычно и бывает), видел цифру 50 см на 50 Гц и заявление о том, что зависимость практически линейная... Искренне заблуждался.

В принципе не сложно оценить. Для этого необходимо выявить основные элементы, которые характеризуют потери преобразователя и взять из datasheet (посчитать исходя из режимов) потребляемую мощность.
Основные пожиратели энергии преобразователя:
- ШИМ;
- ключи;
- активное сопротивление дросселя;
- потери на перемагничивание;
Рассмотрим на примере все того же NX2305, ранее упомянутых ключей с Rds=5.6мОм, токопотреблением нагрузки пусть 10А и дросселя с активным сопротивлением пусть 10мОм. Цифры беру примерные с одной лишь целью - показать суть оценки.
1) ШИМ. Питание 12В, токопотребление в динамическом режиме (в режиме работы) 8.5мА. P=102мВт
2) Ключи. Можно считать для каждого в отдельности, а можно с небольшой погрешностью сказать, что один из ключей открыт постоянно и считать для одного. В последнем случае P=Rds*Iн_^2=560мВт.
Либо: P=[Rds*(Iн+Iзар_конд)^2]/d+[Rds*(Iн-Iразр_конд)^2)]/(1-d)
3) Активное сопротивление дросселя. P=1Вт.
4) Потери на перемагничивание. Рассчет довольно сложен. Основная сложность в идентификации марки феррита и как следствие - определении его параметров и режима работы.
Итого, без учета последнего параметра имеем 1,662Вт паразитной рассеиваемой энергии. Реально, конечно, этот показатель будет выше, поскольку не учтены потери на переключение ключей, потери на нагрев дорожек, потери на перемагничивание дросселя (особенно когда он работает в режиме насыщения).


Не совсем. Через верхний ключ дополнительно течет ток зарядки конденсатора. Через нижний - ток нагрузки, за вычетом тока разряда конденсатора.

Если уж вы допускаете среднюю мощность, то автоматически допускаете существование среднего тока, как составной части мощности.

Принципиально не верно. Ток через дроссель не может быть разрывным, иначе возникла бы ЭДС самоиндукции гигантских величин, которая убила бы и нагрузку, и нижний ключ.
Режим, в котором один ключ закрылся, а другой не открылся, называется защитным интервалом, либо выходом из строя питальника!

Ну, тогда бы чипы горели, как свечки. Особенно при переходах из 3D в 2D режим. Положим наступил такой случай, что сопротивление нагрузки резко увеличилось и запасенной в дросселе энергии некуда деваться. Что будет дальше? Дроссель будет пытаться сохранить ток через себя, что приведет к росту напряжения на нагрузке. Однако рост этот обильно будут поглощать электролиты, которые препятствуют изменению напряжения нагрузки. Одновременно чуть возросшее напряжжение на нагрузке через цепь обратной связи приведет к увеличению скважности импульсов и при очередном "качке" вся нагрузка вместе с дросселем недополучит энергию. Так за несколько десятков периодов колебаний ШИМА запасенная энергия потихоньку израсходуется и преобразователь вернется к обычному режиму работы.

С чего бы вдруг? Больше чего? Насколько больше???

Что вы так цепляетесь к этому скин-эффекту? Речь же не о ВЧ-трансформаторе идет, а о импульсном преобразователе. Основной ток через дроссель - постоянный. Он скин-эффекту не подвержен. А переменные составляющие... Да фиг с ними - их наоборот давить надо! В данном случае скин-эффект наоборот только на пользу работает!

storm85
Вопрос не о стабилизаторе памяти, а о контроллере, который в ГПУ

Только направление электрического поля меняется каждую 1/600000 секунды! Направления тока в нагрузке - от плюса к минусу, а направление тока в источнике питания?
P.S. Чую пора менять название ветки на "Стабилизатор питания памяти 7900GS Gigabyte + все заблуждения о работе импульсных стабилизаторов."

storm85, изучите основы работы конвертера. Например google по термину "разрывный ток дросселя".

"Если уж вы допускаете среднюю мощность, то автоматически допускаете существование среднего тока, как составной части мощности." - мда.

"Ну, тогда бы чипы горели, как свечки." - и горят.

Цитируйте фразу целиком и попробуйте ее все-же подумать. Полностью фраза звучала " Для динамической нагрузки он может быть существенно больше, зависит от резвости цепи обратной связи."
Изучите материалы по теме 'нестационарные процессы в преобразователях питания'.
В синхронных StepDown, как и в трансформаторных преобразователях, ток ключей может быть в несколько раз больше тока нагрузки. Если будет совсем трудно с восприятием, то предельно простой вопрос - почему при продключении трансформатора к сети 220V возникает большой бросок тока ... даже если подключать просто трансформатор без какой-либо нагрузки?

"В данном случае скин-эффект наоборот только на пользу работает!" .... это называется 'ахинея'.
В технической конференции на подобные посты обычно следует реплика - кончайте давать вредные советы.(c)telesys.ru
Рекомендация - добавляйте в предложения слова 'наверно, возможно, как мне кажется' и аналогичные по смыслу.

2LAV48 - чудак человек, возьми OrCAD (9 и выше) и смоделируй в PSPICE. Если будут проблемы, можешь обращаться.

Вы - клон maco? Вообще-то он меня по данному вопросу спрашивал. Если даже речь о контроллере памяти в GPU, какое отношение это имеет к питальнику памяти? У ГПУ свой независимый питальник.

Какое это имеет отношение к скин-эффекту??? (в источнике направление тока обратное - от минуса к плюсу)
serj
Режим работы конвертера с разрывным током дросселя подразумевает падение тока через дроссель до нуля. Данный режим используется в основном в повышающих конвертерах. В нашем же случае ток через дроссель не падает до нуля. В большинстве даташитов к ШИМам в пункте Output Inductor Selection специально оговаривается, что максимальные пульсации тока через дроссель не должны превышать 30-40% от выходного тока.
Также зачастую приводится формула приближенного вычисления пульсирующего тока через дроссель:
Iriple=Vout*(Vin-Vout)/(F*L*Vin), где F-частота переключения конвертера.
Хочу заметить, что нагрузка здесь вообще не фигурирует! (Это к вопросу о динамической нагрузке).


Чувствую спорить с вами бесполезно. Давайте более конкретно определимся с вашей фразой "существенно больше". Существенно - это сколько? 2%, 5% или 300%??? Не надо ссылаться на резвость ОС и т.д. Конкретный пример - такой-то ШИМ, такие-то параметры элементов, такой-то скачок нагрузки за такое-то время и такое-то "существенно больше".

В данном типе (бестрансформаторныго понижающего) конвертера в обычном режиме работы это невозможно.

Ахинея - это утверждения, что ток мосфетов в несколько раз превышает ток нагрузки и что чипы горят, ка свечки! Горят они от кривых рук.

мммм .... потом скажу.
"В данном типе (бестрансформаторныго понижающего) конвертера в обычном режиме работы это невозможно."
Вначале о терминах в этом посте:
1. термин "ток нагрузки" относится к току нагрузки преобразователи.
2. термин "ток ключей" подразумевает стандартную диаграмму безразрывного тока с I0 на включении, I1 на выключении, импульсные всплески при включении и экстратоки коммутации/насыщении не учитываются.

Теперь суть - прошу пояснить наличие тока в ключах при включении конвертера и _не_подключенной_ нагрузке.
Этот режим полностью соответвует фразе "ток ключей может быть в несколько раз больше тока нагрузки", тем более, что ток нагрузки = 0 и любой ток будет много больше 0.

Нет.

Прямое. Меняется "направление работы" магнитного поля, т.е. скин-эффект будет влиять на проводимость.