maco
Я вот так и не нашёл чем заменить 2SK3919, да и в паралель что-то ничего собрать для снижения Rds-on не придумал.., так и стоит моя видяха с памятью в номинале
Тему отделил, т.к. вопрос касается не только конкретного случая.
Проблема в следующем:
Память видеокарты запитана импульсным стабилизатором NX2305:
#77
В схеме предусмотрена токовая защита (обращаем внимание на R1).
Принцип её действия - измерение падения напряжения на нижнем ключе - M2.
Таким образом, Rds-on и R1 задают порог срабатывания этой самой защиты.
На используемой мной видеокарте в качестве ключевых транзисторов установленны 2SK3918 и 2SK3919 (верхний и нижний соответственно).
Главное, что стабилизатор питания памяти не выдерживает даже номинальной частоты памяти (никаких вольтмодов!), т.е. под 3D нагрузкой питание памяти в какой-то момент времени может просто взять и пропасть.. Увеличение сопротивления R1 до 4,7кОм с использукмых изначально 3,3кОм позволяет более менее спокойно юзать карту на дефолтной частоте памяти при качественном охлаждении PCB.
Вопрос исправления ситуации сводится к нахождению транзисторов с лучшим Rds-on, и не_большей ёмкостью затвора (ну и токи напряжения само собой).

LAV48
Чего-то не ясно, а по подробнее если? Чего случилось-то 2SK3919 подох, что ли на ВК? Какая ВК... ну и так, общая суть проблемы?

LAV48
Зачем Rds-on понадобилось-то снижать? Сильный нагрев? Чем управляется? По разводке штатно предусмотрен параллельный транзистор?

Нет, и в этом ещё одна проблема Приходится искать в более мелких корпусах для спараллеливания..

LAV48
А что мешает увеличить R1?

maco
Больше 5к не хочу - это не гуманно по отношению к преобразователю
P.S. Ася есть?

MOSFET
Может сгодится.. "пухленький", но сердитый вроде .
Добавлено спустя 11 минут, 23 секунды
Output Capacitance правда здоровая... Ciss вроде терпимая... главное не 6000-7000 пф и ладно
Ничего лучше в запасниках не нарыл...
З.Ы: Мне токовая защита на х1600про помню кровь пила... вышел из положения похожим способом, заменил ключи на 90N02, только тогда ВК перестала кровь пить, резистор не трогал помню. Нужды такой не возникло.

Крупные фото видяхи http://ifolder.ru/7551800 порядка 5Мб!
Начало темы тут..
Добавлено спустя 4 минуты, 30 секунд

Не, это не кошерный мосфит, когда есть такие.
Добавлено спустя 9 минут, 14 секунд
Характеристики (краткие, естественно) родного:
FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 5.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A)
• Low Ciss: Ciss = 2050 pF TYP.
• 5 V drive available

Да на тот я сразу даташник стянул, поглядел .

Да я бы не сказал, что эти тоже кошерные . Только что миниатюрные и сопротивление канала маленькое.... но и минусы есть.

irlr7843cpbf

IR search 1
IR search 2
fairchild
Добавлено спустя 2 минуты, 50 секунд
Нужно шариться вообщем по сайтам производителей, это муторное занятие .
Добавлено спустя 20 минут, 3 секунды

Минуточку, а как этот момент улавливается (мультиком\осцилом\просто предположение)? Можно полюбопытствовать и как отражается на работе ВК с какими симптомами? .

Предлагаю K3919 заменить на 06N03LA и 70NH02L у них Rds 6mOhm. Единственное у них динистор встроеный.Характеристики все остальные получше чем у K3919 будут.

Вывод - совсем думать лень .

Я может издеваюсь, но, почитав документацию на 2SK3919, можно найти упоминание о встроенном диоде (как и практически во всех мощных mosfet'ах, используемых в компьютерной технике) .

Ха! Это много . Подобного шлака я сейчас могу с матерей повыдергивать . А диод там имеет паразитный характер. Давай нам Rds ~= 2-4 mOhm и Сiss ~= 2200пф и Id(dc)~=70A, Id(pulse) ~=260A. Вот тогда будет здорово :0.
***
Кстати, а чем Вам IRLR7843CPBF не понравился? Ну подумаешь С = 4380 пф..
желаемый результат-то всёравно будет достигнут и причём "малой кровью"
Добавлено спустя 16 минут, 17 секунд
Я по сайтам производителей так "вскользь" посерфил. Если малые ёмкости и низкое сопротивление канала, то и на небольшие (сравнительно) токи расчитаны.... Если на большие токи, то наоборот . По мне дак IRLR7843CPBF - "золотая середина"... ну по крайней меня я ничего лучше не нашарил (хотя и искал не долго правда). И думается мне опять же, что даже если LAV48 найдёт мосфеты с "волшебными характеристиками", то он их просто достать не сможет в конечном итоге .

vital_xbc писал(а):

у них динистор встроеный

Уже и динистор вместо диода образовался . Хорошие компоненты - подстраиваются под желания пользователя .

Скорее всего под ногами не валяется .

LAV48
Судя по характеристикам 2SK3919 и даташиту NX2305, при исходных 3.3кОм R1 у тебя защита по току была настроена с завода примерно на: 40*10^-6 А*3300 Ом/5.6*10^-3 Ом=23.6А
В связи с этим возникает ряд закономерных вопросов:
- сколько у тебя микросхем памяти на плате?
- какое у них пиковое токопотребление по Datshhet на память?
- какое у тебя на памяти напряжение?
- ты уверен, что это защита по току, а не банальный перегрев ШИМа?
В случае с 4.7кОм вообще ток защиты должен был вырасти до 33.6А (при 8 микрухах это по 4 с лишним ампера на микруху - не слишком ли??? )
В нормальном режиме без вольтмода каждая микра DDR-III должна кушать в самом худшем режиме (Burst Read) порядка 600-1000мА в зависимости от производителя и частотного диапазона памяти.

Я поправил,т.к. в даташитах на них обоих именно ДИНИСТОР!Они в закрытом состоянии не пропускают ток ни туда ни сюда...описался и поправил...в 06N03 стоит диод...в 06N03LA динистор.
Ну если для вас Rds 5.6-6mOhm шлак...то извините...2шт в параллель не судьба?
4мс памяти жрут при 1.8В не более 5А...соотв. имп. ток при скважности 1:5 даже как раз будет в 5 раза выше,т.е. падение 6мОм*25А=150мв, Pi=150мВ*((1.8В*5А)/12В)*1.1=124мВт всего!Вам что много такого падения и смешной мощности?
Добавлено спустя 6 минут, 52 секунды
Про Rds 6-9mOhm скажу что во всех матерях именно они и стоят...в землю с динистором или без мосфет а на + с диодом,если подобный воткнуть и в землю то усе будет жестоко греться или ваще пробьет...так что аккуратней при замене K3919 и 06N03LA.Смотрите даташиты внимательней,ох не зря ставят впару к ним 70N02 и K3918 имеющий обратный диод,иначе бы их одинаковые пендюрили...на памяти кстати прокатывает в землю любой,а вот на ядре обычно горят через некоторое время в 3Д...сам на такое не раз уже напарывался,будьте осторожны п-та.

Полную маркировку и ссылку на документацию.
Иначе это можно считать полным бредом .

Не путайте верхний транзистор в полумосте и нижний.
Речь пока идет не о падении напряжения или выделяемой мощности, а о срабатывании защиты.

Вообще-то вам бы самому подумать и почитать документацию.
Добавлено спустя 4 минуты, 19 секунд
storm85
Ток срабатывания защиты немного больше, чем потребляемый нагрузкой. Но точную цифру корректировочного коэффициента не скажу. По документации на NX2305 I_RIPPLE=k*I_OUTPUT, где k=0,2-0,4.
Хотя даже с поправкой цифры достаточно большие.

Не верится смотрим: http://forums.overclockers.ru/viewtopic ... start=2700

Нижний мосфет замыкает противо-эдс индукции выходного дросселя на землю и заряжает выходной конденсатор стабилизатора,поэтому ему приходится рассеивать несколько большую мощность чем верхнему(он лишь занимается накачкой дросселя и немного зарядкой конденсатора и не более) и имп. токи также могут существенно превышать,хотя период импульса конечно же меньше.За счет падения напряжения в это время на Rds и мерится ток,соотв. если поменять дроссель на 2 раза меньшей индуктивности(или тупо параллельно 2 одинаковых забацать, смотрите маркировку) То ток сраб. защиты уйдет вверх в теже 2 раза.
Даташиты сами поищите на них,я лично для припайки в 9600GT их смотрел и проверял.Все работает .Время включения нижнего плеча а соотв. и емкость тоже очень важны,иначе если он не успеет открыться на дросселе напряг за это время возрастет так что пронесет этот мосфет и кинет в 12В помеху под -30-50В через обратный диод верхнего мосфета на несколько мкс что тоже чревато выходом чего-нибудь из строя.При неполном открытии он либо будет жутко греться либо сгорит с дыркой в корпусе от превышения макс имп. мощности на кристалле.Поэтому в нижнем плече при частотах шим порядка 100-250кгц никогда не используют мосфеты с диодами,они там во-первых не нужны а во-вторых даже вредны.