Что сказать. Перешился на стокувую майскую прошивку с офсайта. Микрон ведет себя все также - с одной планкой стартует, с 2,3,4 - после многократного нажтия ресет. Камень поменял на тот, с которым не было проблем на T8. Мать в утиль?

Update. Одновременно пришли 2 TF. На второй то же самое поведение Но блин, почему на T8 все работает как часы?!

Update 2. Подоткнул заведомо рабочие 4*16Gb Hynix из разобранного сервера. Все работает. Ничего не понимаю.

Вообще, какую роль в работе ОЗУ выполняет материнка? Контроллер памяти в процессоре. Сама память - в слотах. На матери есть еще какой-то концентратор, куда сходятся все дорожки от памяти? По виду, они все идут под бэкплейт сокета и там прямиком к камню...

Ответ не дам, но привожу свой пример бракованой матери. Разные задержки в разных каналах TF на ДДР4, синие экраны при работе всех 4 планок, и нормальная работа при 2 , при том, что ДДР3 работает нормально. Сам в отчаянии, думаю заказать F8.
Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #17074205

Добрый день, имеется конфиг приведенный ниже, работающий в качестве сервера. Все было хорошо если бы не :
Зависание раз в два три дня намертво (даже пинг не работал до сервера, индикация лан на матери была в это время), помогало зажатие кнопки включения до потухания системы. (( последующее включение обнуляло счетчик зависания ) скорее всего проблема в железе, тк менялись ОС, системные диски)

Симптомы :
После последнего отключения ( ручного, не зависание ) , и включения мать ругается на проц "5 коротких : Неисправность процессора" ( из звуковые сигналы AMI BIOS ).

При нормальном включении до последних событий бегут пост коды и звучит 3 коротких 1 средний (?)( звук как от старта матери supermicro x9scl )

Когда включаю сейчас звучит 3 коротких 1 средний (?) и сразу же звучит 5 коротких.


Биос стоял с завода, информации что точно стояло сейчас нет, тк не стартует система.
Биос не редактировался с момента установки в корпус, и до тоже. ( только бут девайс сменил )


Что было сделано :
1. Отключение всего кроме кулера, и одной планки памяти.
2. Переставление планки памяти в разные слоты.
3. Использование другой планки памяти ( не ЕCC REG, тоже обычная DDR4 для десктопов ).
4. Достал проц из сокета, осмотрел проц и сокет на наличие странностей, коих не нашлось.
5. Отключение батарейки на 5-10 минут и последующая попытка включения ( безуспешная ).
6. Визуальный осмотр платы ( глазами, без микроскопа итд. ) на наличие странностей, их не нашлось.

UPD :
Что не сделано :
1. Не протирал контакты проца и памяти.
2. Не сбрасывал биос перемычкой ( не знаю где она, да и тыкать перемычки туда сюда нет желания, дабы не сделать хуже ).

axis , в первую очередь проверить видеокарту. Во вторую- перепрошить биос программатором. Не поможет -то или проц сдох, или материнка...

в догонку, Итого↓ по задержке для двуканала+DDR3
1. самое лучшее A1+B1 = 63.5(и постоянно)
2. A1+E1=64.7(сначала больше, потом уменьшается при прогонах) и асроком тайминги не распознаются
3. A1+F1=65.1 и B1+E1=65.1(сначала больше, потом уменьшается при прогонах)
4. B1+F1=65.5(сначала больше, потом уменьшается при прогонах) и асроком тайминги не распознаются https://yadi.sk/i/_SHCgQ1gf0ISBw

5.Cамое хреновое(+ определяется как DDR3, а не DDR3R) F1+E1=67.1 и асроком тайминги не распознаются
С возможной поправкой на такое Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #17082354 , тогда вроде как A1+E1 лучшим выходит.
картинки cкопом => https://yadi.sk/d/v0UH35Kbn9bS8w?w=1

BOBKOC Т.е. как по твоему: гонибельные или берущие низкие тайминги или высокую частоту без ошибок или просто разные партии, но парные, ставить на A1+B1 а которые похуже на F1+E1? В случае 4 канала естественно.

Добавлено спустя 12 минут 59 секунд:
BOBKOC Ты ещё латентность третичками подожми асроком, в тех случаях где он распознаёт тайминги. Будет меньше 62 или какой-то профит от расположения?

третички не влияют на задержку(по крайней мере в 4 канале) + яж сравнивал при прочих равных(картинки в посте↑ приведены) чисто 2планки по слотам гоняя. по идее да, если базироваться на двуканальных данных, но в 4канале поди пойми как оно взаимодействует

Возвращаясь к моей проблеме

Итого, после уймы тестов, перетыканий и проверок, имеем глючную память Micron. Она хорошо и стабильно работает на T8, но категорически глючит на TF. Проверено на 1 T8 и 3 TF. Также на всех платах стабильно работает вытащенный из сервера Hynix, что намекает на работоспособность самих плат и процессоров. Ну а Самсунг стабильно работает на 1600 и 1866, но начинает сыпать ошибками на 2133. Хотя на T8 и на 2133 работает. Мистика, но T8 показали себя лучше. Вот как-то так, ребята )))


Похоже, что с платой у меня все ок. А проблема крылась в памяти.

А если биос с T8 на TF перекинуть, даст чего(проверял)?

Я ранее всегда оставлял 0
После ручной установки Refresh 32767 стало лучше Latency без потери стабильности.

На десктопной ДДР4 при выставлении Refresh 32767 тоже задержки упали с 75 до 69нс. Внесу свои 5 копеек, на многих ютуб каналах говорят, что на X99z V102 не стоит ставить 2678, типа врм кипит, возможно если сутками гонять рендери или тесты так и есть, вчерв после часа игры в HORIZON Zero Down пощупал врм, сам радиатор почти холодный, дросели и кондёры еле тёплые. На проце башня IceHummer 4405. Правда комп находится в погребе, а там прохладно. Теперь не переживаю.

Держи для его проверки мини вариант TM5 https://yadi.sk/d/-KAUfvX3q6V41Q
ЕСЛИ будут ошибки при запуске , то уменьшаешь в MT.cfg => Testing Window Size (Mb)=1536 ; 1536(эт мах) но не во всех железных конфигах работает, тогда минусуешь по 64 и далее уже от полученного числа.
+ запускать от админа
+ не отключать ФАЙЛ ПОДКАЧКИ.
+ при первом запуске может понадобится выйти из виндовс и заново зайти
ну а у кого память ECCREG cоотв. все ошибки будут во WHEA(по HWIFO глядеть) а не в самой проге.
ECCREG DDR3 без обдува лучше не тестить(температуры по плашкам тож в HWIFO глядеть) таким.

BOBKOC как раз читаю тему по TestMem5
удобно было бы если бы в шапке по оперативке или там выложили конфиги к ней актуальные.Вот к примеру вариантов от anta777 много и по версиям и по типу лайт,экстрим, какой последний и рекомендуемый?
Проверил конфигом 1usmus_v2 вроде ок всё.
Есть ли рекомендации какие или формулы, таблицы по какому принципу Refresh 32767 увеличивать или уменьшать?

Статистика разгона памяти DDR-4 на платформах INTEL. Обсуждение результатов. Советы. #17046194 , а вообще все дела тут Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17018417 происходят.

Ну еще процы попробуйте поменять местами, чтобы исключить проблему в них. Вообще, разные платы могут разное напряжение на память давать, и результат будет разный. Одна плата под один тип памяти, другая под два, предполагаю, что системы питания памяти имеют различия.

Добавлено спустя 8 минут 57 секунд:

Ну вот обеспечивает питание. Ну и инициализация системы биосом платы, включая инициализацию памяти.

Только нужно учитывать что в наших процессорах
2-а контроллера по 2-а канала, которые привязаны к разным ядрам.


и наверное оптимальным будет при двухканальном режиме, планки разнести по двум контроллерам.
Предполагаю что контроллеры выведены на разные стороны процессора, во всяком случае на F8 так.

Имею в наличии проц 2678v3 мать HUANANZHI X99 T8, прошил BIOS от YNUS x99-TF c андервольтингом 70-50-50 на основе BIOS от v111 v2.
Проблема следующая, есть 8 одинаковых планок памяти DDR3 samsung. 4 планки работают отлично в 4-х канале, но как только добавляю еще 4, 2, или 1 согласно схемы в шапке. Вылетает ошибка в посткоде bf
Пробовал после установки сбрасывать биос перемычкой результат тот же. Еще менял местами плашки результат тот же.
Память у меня такая


Куда копать?

Попробуйте андервольтинг только на ЦП -70, или уменьшить -70-20-20, а лучше попробовать вообще без андервольтинга.

попробуйте снизить частоту памяти (детали здесь https://www.truesystem.ru/docs/x10_memory.pdf Количество модулей на канал)

точно одинаковых(а то ты чтот ток 4 сфотал )? каждые 4 по отдельности работают нормально в этой мамке?