Если вода не планируется, тогда купите любую мать MSI на Z490.
Вода вполне себе планируется, но пока буду использовать воздух DRP от профильной системы (инфа в профиле) Любую мать не хочется, есть деньги на более-менее нормальную плату в пределах 16-18к, так что смотрю в сторону z490 EDGE WIFI.
iskandar писал(а):
Какую именно память и до какой именно частоты Вы собираетесь разгонять? У меня профильная память на профильной матери вполне себе успешно работает на 4200MHz. Чтобы получить что-то радикально лучше по частоте, нужна память и мать раза в два дороже.
У меня сейчас стоит почти аналогичная память - BL16G32C16U4B х2. На моей нынешней доске она дальше 3800 не едет, и то с ошибками. Радикального разгона не преследую) Если мои планки погонятся до 4000-4200, да еще и с профитом в производительности это будет просто шикарно.
Michailovsky писал(а):
Хулигано тестировал, долго искать посты...Очень всё у Эджа хорошо, как по памяти, так и по врм...Я бы из этих 2х выбрал Эдж...Есть тут Миша некий, он всем советует Томагавк...
Ок, спасибо. Изначально в строну Эдж и смотрел.
Sirise писал(а):
Как вам написали - вы с DRP4 будете упираться в лимиты ~ 250Вт Но с условиями 10850К под водой уже может играть роль vrm. На эдже vrm выглядит предпочтительнее = 720A. (согласно: https://www.hardwareluxx.ru/index.php/a ... en2x2.html)
Ну хоть по всем ядрам 4800-4900Mhz на моем воздухе реально выставить или только сток?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
europhase Я сам задавал себе те же самые вопросы. Пока меня устраивает вообще абсолютно всё. У меня на профильной системе 4800MHz на все ядра и при этом в линксе при 400 гигафлопсах самое горячее ядро 92°С. На процессоре при этом 180W. ring 4500MHz память 4200MHz 18-22-22-42-2-632-64000
Настройки памяти уже не то что отшлифованы, а отполированы. Кому мои тайминги не нравятся, я быстро заткну рот тестами памяти.
Для этого мне вполне хватило относительно недорогих комплектующих. Более того, я уже вполне убедился в правильности сделанного выбора. Меня тоже посещали мысли о покупке более дорогого процессора, матери, кулера и памяти. Они и сейчас меня посещают Но я их отгоняю. Если мне потребуется радикально большая производительность, то это однозначно вода, вообще без вариантов. На воздухе 250W это потолок, я думаю.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Последний раз редактировалось iskandar 14.06.2021 19:40, всего редактировалось 2 раз(а).
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 23.12.2020
europhase писал(а):
Ну хоть по всем ядрам 4800-4900Mhz на моем воздухе реально выставить или только сток?
Зависит от удачности камня. На 10850 можно @4.9-5.0 AVX0 по всем ядрам, с лимитами в 250Вт. Но по большому счету зачем?) Если нет задач где максимальная производительность будет сильно решать (это не игры) достаточно стока или офсета +1. Дури там и так хватает.
Sirise, автор статьи плохо представляет как работает VRM.
Цитата:
PWM-контроллер Renesas RAA220001 отвечает за управление подсистемой питания, но он поддерживает, максимум, восемь фаз. В результате 12 фаз VCore подключены через удвоители, поэтому на практике мы получаем дизайн 6+1+1
Удвоители на то и придуманы, чтобы удваивать количество фаз. А он пишет глупости про то, что на практике получается 6 фаз.
Цитата:
Следует отметить, что 12 фаз VCore и фаза GT работают с MOSFET Intersil ISL99360 с нагрузкой до 60 А. В целом, по напряжению VCore расчетная нагрузка может достигать 720 А.
Запросил даташит на Intersil ISL99360 с оф. сайта. Но там скорее всего 60 А - это максимальный ток при температуре корпуса 25 °С. При этом КПД VRM вряд ли будет выше 92 %. Итого считаем мощность: пусть на ядрах 1,5 В, умножаем на 720 А и получаем 1080 Вт. Теперь считаем мощность, рассеиваемую на VRM 1080*(1/0,92-1)=94 Вт. И это в идеальных условиях, когда на корпусе 25 °С, а с ростом температуры КПД падает. Типичная система охлаждения VRM никаким образом не сможет обеспечить приемлемые температуры силовых сборок Intersil ISL99360 при такой мощности. Допустимая рассеиваемая мощность на VRM не должна превышать 20-30 Вт и это при хорошем обдуве. Так что автор статьи пусть закатает губы про 720 А, поделив всё это на 3-4.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
mepavel писал(а):
Удвоители на то и придуманы, чтобы удваивать количество фаз. А он пишет глупости про то, что на практике получается 6 фаз.
Задолбали уже фазами. Для нормальной работы прямоходового понижающего преобразователя DC/DC, шести фаз - более, чем достаточно. Это с точки зрения минимизации пульсаций. Если кто не знает, то промышленные сети переменного тока - трёхфазные, а после выпрямления - условно шестифазные (с точки зрения частоты пульсаций).
Всё остальное - это способ получить больший ток, параллельно соединяя каналы (ключи/дроссели) . Это дешевле и это проще конструктивно, только и всего. Потому тупое меряние количеством "фаз" без указания ну хотя бы номинального тока ключей/дросселей в каждой "фазе" - дичь полная. "Удвоитель фаз" никакое не жульничество, это и есть способ поделить нагрузку на несколько ключей/дросселей.
Важен максимальный ток, который способна выдать система питания. Ну и её КПД (нагрев) при этом токе. Сколько при этом силовых ключей и дросселей в системе - глубоко наплевать. В принципе даже всего одна "фаза" - тоже нормально, если элементная база позволяет.
mepavel Средний ток через ключи вовсе не равен выходному. Это же понижающий преобразователь. VRM процессора запитан от +12V. Грубо говоря, если на входе DC/DC преобразователя +12V, а на выходе +3V, то ток через ключи в 4 раза меньше выходного тока преобразователя. Т.е. при 240W на процессоре, на ключах VRM ток 240/12 = 20А. Это не такой уж огромный ток, к тому же средний ток через каждый ключ поделится на число "фаз". "Грубо" потому, что есть омические потери на сопротивлении каналов ключей, есть динамические потери на перезарядку затвора и т.п. Т.е. нужно ещё добавить потери мощности на самом VRM. Так что не такие уж там и огромные токи текут через ключи. Вопрос только в том как бы всё это сделать поэффективнее, подешевле и покомпактнее.
Насколько я помню Data Sheet на мосфеты, то 70°С на кристалле ключей VRM - вполне для них рабочий режим. Они в таком режиме годами могут работать без проблем.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 23.12.2020
2500K_2 писал(а):
400wt
Вложение:
400wt.jpg
На скрине видно что температура переваливала за 100С. О чем речь? Плюс не забывайте что с 2066 сокета легче снимать тепло чем с 1200-го, в виду большей площади первого.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
2500K_2 Что за чудо-кулер, с которого можно снять 400W на воздухе? Если в R15 температура ядер доходит до 105°С, то что с ними будет в LinX или Prime ? Речь о нормальном рабочем режиме, в котором можно работать(играть) хоть 24/7, а не о дешёвых трюках за гранью стабильности.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
Ханыга писал(а):
Может там промышленные вентили у него стоят на 5-7к оборотов...
У теплотрубок способность теплопереноса ограничена. Т.е. хоть усрись, а снять с кулера на тепловых трубках больше определённой мощности невозможно в принципе. И лучше бы эти лимиты никогда не превышать.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.01.2015 Откуда: Белгород Фото: 70
здравствуйте, кто поможет разобраться, на компьютере отключен режим СОН но через какое то время моник уходит в СОН и пробуждается от движения мышки, не знаю с чем связано но на ASUS Gene XI проблем не было,может настройка какая в биос? мать в подписи
Здравствуйте! Материнка Z490 Tomahawk bios 1.70 , возможно кто-то сталкивался с такой проблемой, как неожиданная потеря питания с последующей загрузкой в Windows? В логах винды ошибки нет, кроме события по неожиданной потери питания. Ситуация может наблюдаться и в стоке и в разгоне, причем никакой особой нагрузки нет, просто серфинг в браузере. БП поставлен новый BQ Ion+ 860p.
_________________ MSI Z490 Tomahawk | Intel Core I9 10850K 5.0 AVX 1.335v | 2x16GB G.Skill Trident Z RGB 4200CL17 1.45v | MSI GTX1080 Gaming X PLUS | FD Ion+ 860p
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.10.2011 Фото: 26
Vision Да, сталкивался с таким явлением. Если отключить энергосберегалки и оставить проц на фикс частоте, периодически просто тухнет комп и перезагружается. В стоке все норм. Ну у меня проц залоченный, так что не особо заморачивался, пользуюсь дефолтными параметрами. Возможно с новым биосом пофиксят.
Для нормальной работы прямоходового понижающего преобразователя DC/DC
Прямоходовые и обратноходовые преобразователи работают по однотактной схеме инвертора. В VRM используется полумостовая (двухтактная) схема, причём мосфеты верхнего плеча значительно слабее мосфетов нижнего плеча (обычно в 2,5 и более раз по току и RDSon).
iskandar писал(а):
шести фаз - более, чем достаточно. Это с точки зрения минимизации пульсаций.
Не всё так просто. Маленькие пульсации можно получить тупо повысив частоту следования импульсов, но тут начнутся проблемы с КПД.
iskandar писал(а):
"Удвоитель фаз" никакое не жульничество, это и есть способ поделить нагрузку на несколько ключей/дросселей.
Удвоители фаз достаточно сложные микросхемы. Мало того, что они честно количество фаз увеличивают, так ещё и выполняют мониторинг тока, сообщая ШИМ-контроллеру средний ток по двум фазам. Кроме того, выполняют балансировку тока по этим фазам.
iskandar писал(а):
Средний ток через ключи вовсе не равен выходному. Это же понижающий преобразователь. VRM процессора запитан от +12V.
А дело в том, что Intersil ISL99360 - это микросхема, состоящая из двух ключей и драйвера. Для таких микросхем обычно приводят характеристики в составе DC-преобразователя, т.е. зависимость КПД от выходного тока при разных частотах следования импульсов. Режим измерения обычно 12 В на входе, 1 и 1,8 В на выходе. И ток, что они привели, скорее всего ток на выходе DC-преобразователя при каких-то типовых режимах работы.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
mepavel писал(а):
Прямоходовые и обратноходовые преобразователи работают по однотактной схеме инвертора. В VRM используется полумостовая (двухтактная) схема, причём мосфеты верхнего плеча значительно слабее мосфетов нижнего плеча (обычно в 2,5 и более раз по току и RDSon).
Вы заблуждаетесь, причём в основах. Это классический понижающий прямоходовой преобразователь. Однотактный, разумеется. Второй транзистор выполняет функцию обратного диода шоттки, таким образом повышается КПД. По классике вместо этого транзистора должен был стоять диод в обратной полярности. Использование мосфета вместо диода повышает КПД. Ток через диод меньше, чем через основной ключ, потому транзистор в роли диода нужен не такой мощный, как основной. Если честно, мне уже надоело читать всю эту чушь, которую пишут люди, ничего в импульсных источниках питания не смыслящие. Расчёты мощности и токов, в которых ошибка в несколько раз. Весь этот бред голимый про великую пользу от нескольких десятков фаз и т.д. и т.п.
mepavel писал(а):
А дело в том, что Intersil ISL99360 - это микросхема, состоящая из двух ключей и драйвера. Для таких микросхем обычно приводят характеристики в составе DC-преобразователя, т.е. зависимость КПД от выходного тока при разных частотах следования импульсов. Режим измерения обычно 12 В на входе, 1 и 1,8 В на выходе. И ток, что они привели, скорее всего ток на выходе DC-преобразователя при каких-то типовых режимах работы.
Для таких микросхем приводят максимальное входное напряжение и максимальный ток через ключ. Какое напряжение на выходе особо роли при этом не играет. Ещё я тут вспомнил один ньюанс. При прямоходовом преобразовании из +12V в +2V мы имеем снижение напряжения в 6 раз. Это означает, что скважность сигнала после ключа равна 1/6. Если сделать на таких ключах 6-фазную систему, то их пульсации на выходе будут очень маленькими. Это и есть минимально разумное количество фаз, чтобы не пришлось сильно увеличивать индуктивность дросселей и ёмкость выходных конденсаторов для снижения пульсаций. Все вместе они обеспечат мощность 12*60 = 720W. Каждый ключ будет находиться в открытом виде 1/6 от рабочего цикла и во время нахождения в открытом состоянии через него будет течь ток 60А. Я не учитывал статические и динамические потери на ключах, на дросселе и т.п. Но для грубых прикидов сойдёт.
mepavel писал(а):
Не всё так просто. Маленькие пульсации можно получить тупо повысив частоту следования импульсов, но тут начнутся проблемы с КПД.
Даже на одной единственной фазе легко можно получить сколь угодно малые пульсациии. Это обыкновенный LC фильтр низкой частоты. Вопрос только в величине индуктивности и ёмкости. Частоту можно не повышать.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Вы заблуждаетесь, причём в основах. Это классический понижающий прямоходовой преобразователь. Однотактный, разумеется. Второй транзистор выполняет функцию обратного диода шоттки, таким образом повышается КПД.
Да а что мне заблуждаться. Если бы был один транзистор и диод Шоттки, то вопросов нет. А это полумостовой инвертор, которой можно как угодно гипотетически представлять, но от этого реальная схема полумоста не изменится. Возьмём микросхему для VRM от производителя TI с даташитом в открытом доступе - CSD87350Q5D. И в самом начале даташита видим: Half-Bridge Power Block. Можно, конечно, обвинить в заблуждениях TI.
iskandar писал(а):
Использование мосфета вместо диода повышает КПД. Ток через диод меньше, чем через основной ключ, потому транзистор в роли диода нужен нужен не такой мощный, как основной.
Так всё как раз наоборот, средний ток через транзистор нижнего плеча (Sync FET) (на месте которого должен быть диод Шоттки) самый большой. Соответственно транзистор нижнего ключа самый мощный в отличие от транзистора верхнего плеча (Control FET). Это можно увидеть из рисунков 10 и 11.
iskandar писал(а):
Для таких микросхем приводят максимальное входное напряжение и максимальный ток через ключ. Какое напряжение на выходе особо роли при этом не играет.
Напряжение на выходе играет довольно большую роль, т.к. влияет на перераспределение токов между верхним и нижним плечом. На рисунках 1-9 показаны характеристики микросхемы именно в составе тестового DC-преобразователя. Т.е. когда на входе 12 В, на выходе 1,3 В, частота 500 кГц и т.д. На рисунках 3 и 4 показана область безопасной работы всего преобразователя. Как можно видеть, маркетинговые 40 А обеспечиваются до температуры окружающей среды 50 °С для тестовой платы производителя. При этом температура платы согласно рисунку 5 без снижения тока может достигать 90 с небольшим градусов. В даташите на данную микросхему NCP302155 приводят характеристики при напряжении 1 и 1,8 В на выходе (рисунки 3-6).
iskandar писал(а):
При прямоходовом преобразовании из +12V в +2V мы имеем снижение напряжения в 6 раз.
Но для LGA1200 более актуален случай преобразования 12 В в 1...1,3 В. Вот и получается наилучшим случаем 8-12 фаз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
mepavel Меня всё это начинает утомлять. Вы эти самые импульсные источники питания собирали своими руками? Может ремонтировали или разрабатывали? Я всем этим занимался лет 20 примерно. Сами преобразователи пользовал в основном - ST, мосфеты и драйверы - IR. Каждый чайник, бегло нахватавшись в интернете какой-то голимой херни от других таких же чайников, считает, что он что-то знает и умеет. От того, что какой-то интернетный балабол назвал однотактный преобразователь двухтактным...... Это не полумост, как кажется некоторым недоучкам. Это прямоходовой ключ в паре с обратным "диодом", функции которого выполняет второй ключ. Нижний мосфет (это который типа диод) на схемах обычно рисуют по идиотски, но у него в открытом виде канал в обе стороны проводит. А функция простая - не дать ЭДС самоиндукции привести к высоченному скачку напряжения на ключе в момент размыкания тока через дроссель. У диодов большое сопротивление перехода (даже у Шоттки). Это лишние потери. Потому часто параллельно с этим диодом или вообще вместо диода ставят второй ключ на мосфете и отпирают его в нужные моменты времени. А именно тогда когда закрывается основной ключ.
Будете спорить - скачаю Data Sheet и Application Notes и загоню Вас под плинтус вместе с Вашими обширными знаниями.
mepavel Buck converter это и есть понижающий прямоходовой преобразователь. Его базовая схема уже лет 150 как известна. Он самый простой и достаточно лёгкий в расчёте. https://en.wikipedia.org/wiki/Buck_converter Кому-то пришла в голову умная мысль заменить защитный диод на правильным образом синхронизированный ключ. После этого классическая схема синхронизируемый транзистор + диод превратилась в схему два синхронизированных мосфета в противофазе. Два мосфета действительно соединены между собой так, как их обычно соединяют для двухфазного полумоста. Эти мосфеты действительно работают в противофазе (когда один открыт, второй закрыт). Но сама схема Buck converter от этого двухтактной не становится. Но это как была однотактная схема, так и осталась однотактной Однотактность заключается в том, что от источника питания мощность отбирается только в моменты, когда верхний мосфет открыт. У нижнего мосфета функции - чисто защитные. Без него эта схема тоже будет работать, но вот только напряжение на ключе будет расти до неприличных значений по причине ЭДС самоиндукции в моменты замыкания. Нижний мосфет это по сути дела защитный диод. А потому эта схема как была однотактной так и осталась. Просто в 19-ом веке это были лампы, в двадцатом - биполярный транзистор + диод шоттки, а сейчас - два мосфета. Кстати, информация для чайников. У мосфетов обычно сразу на кристалле формируют эти самые обратные диоды. Так что фактически параллельно каждому из силовых ключей присоединён обратный диод. Верхний транзистор от перенапряжения этот диод нижнего транзистора способен защитить (даже если нижний мосфет вообще не открывать). Но этот диод сам по себе будет сильно греться, если ток через основной ключ большой. Вот тут и работает эта гениальная идея со вторым ключом. Но схема всё равно однотактная.
mepavel писал(а):
Но для LGA1200 более актуален случай преобразования 12 В в 1...1,3 В. Вот и получается наилучшим случаем 8-12 фаз.
А вот это не факт. Преобразователь рассчитывается на самое высокое выходное напряжение, а не на среднее. Я не знаю, сколько по стандарту для LGA1200 можно максимальное напряжение на процессор подавать. Вот на это максимальное напряжение всё и рассчитано.
С фазами вот какая тонкость. Фильтрация производится LC фильтром низкой частоты Но дроссель тем лучше фильтрует, чем больше через него ток. Если ток маленький, то пульсации растут. А этот фокус с несколькими фазами позволяет обойти эту проблему. И пульсациии выходного напряжения получаются достаточно низкими даже при малых токах именно за счёт многофазности. Идея, несомненно хорошая, но увеличивать количество фаз можно только до какой-то разумной границы. Я уже примерно написал, как именно это посчитать. Ну пусть с запасиком ещё взять. А все эти удвоители и т.п. - просто распараллеливание нагрузки по ключам. Скорее всего ради удешевления. А может и КПД так выше получается на актуальной на сегодняшний день доступной элементной базе. Это ширпотреб всё-таки и вопрос цены имеет значение.
mepavel писал(а):
И в самом начале даташита видим: Half-Bridge Power Block. Можно, конечно, обвинить в заблуждениях TI.
Мосфеты соединены полумостом. Но он не двухтактный. Двухтактный полумост выглядит принципиально иначе. Одна сторона нагрузки присоединена к общей точке двух ключей, но на второй стороне нагрузки должна быть половина напряжения источника питания ключей (обычно это делитель напряжения на конденсаторах). тут этого нет и в помине и схема принципиально иная и работает иначе. И рассчитывается иначе. Но что мне нравится в этой затее. Можно использовать для Buck converter комплектующие, изначально предназначенные для классического двухтактного полумоста, а именно мосфеты и ейные драйверы ( со встроенной опторазвязкой между управлением и выходом на затворы мосфетов).
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Вы эти самые импульсные источники питания собирали своими руками? Может ремонтировали или разрабатывали? Я всем этим занимался лет 20 примерно.
iskandar, и разрабатывал (расчёт, моделирование, проектирование ПП, сборка) и ремонтировал тысячу раз, в т.ч. VRM на мат. платах. Но импульсные преобразователи и ремонт вообще не основной профиль, хотя транзисторов и драйверов применял куда большего количества фирм, чем ST и IR (Infineon). Так что не считаю себя гуру в плане правильной терминологии. Когда написали про прямоходовый (не уточнив традиционный или синхронный) преобразователь, то ассоциация сразу про однотакт с быстро восстанавливающимися или Шоттки диодами. Ну а физику работы устройства я понимаю, не хуже, чем Вы написали. Могу даже дополнить.
iskandar писал(а):
Нижний мосфет (это который типа диод) на схемах обычно рисуют по идиотски, но у него в открытом виде канал в обе стороны проводит.
Ну это как бы свойство полевого транзистора в открытом состоянии вести себя как линейный резистор при положительной и отрицательной полярности в некотором диапазоне напряжений сток-исток. С учётом того, что у силовых транзисторов ток насыщения стока гигантский, а сопротивление открытого канала очень мало, то в реальных схемах открытый мосфет можно считать обычным линейным резистором, правда с ярко выраженной температурной зависимостью.
iskandar писал(а):
А функция простая - не дать ЭДС самоиндукции привести к высоченному скачку напряжения на ключе в момент размыкания тока через дроссель.
Ну высоченного скача напряжения не будет на низковольтных мосфетах, т.к. возникнет обычный лавинный пробой сток-исток при напряжениях 25-35 В. А функция нижнего ключа минимизировать потери энергии, накопленной в катушке индуктивности, в период времени, когда верхний ключ закрыт. В период времени, когда открыт нижний ключ, через него накопленная энергия в катушке уходит в нагрузку. Если бы вместо ключа был диод, то протекающий через него ток создал бы большое падение напряжения, что привело бы к бОльшим потерям мощности.
iskandar писал(а):
У диодов большое сопротивление перехода (даже у Шоттки)
Правильнее говорить падение напряжения, т.к. сопротивление диодов сильно нелинейно от протекающего через него тока (вообще есть дифференциальное и сопротивление по постоянному току).
iskandar писал(а):
Кому-то пришла в голову умная мысль заменить защитный диод
Ещё раз отмечу, что у данного диода защитная функция не основная. И для низковольтных мосфетов бесполезная, т.к. они способны выдерживать большую энергию лавинного пробоя. А основная функция снизить потери.
iskandar писал(а):
Но сама схема Buck converter от этого двухтактной не становится.
iskandar писал(а):
Однотактность заключается в том, что от источника питания мощность отбирается только в моменты, когда верхний мосфет открыт.
iskandar писал(а):
Эти мосфеты действительно работают в противофазе (когда один открыт, второй закрыт)
А вот это уже вопрос религии, что считать тактами)
iskandar писал(а):
У нижнего мосфета функции - чисто защитные. Без него эта схема тоже будет работать, но вот только напряжение на ключе будет расти до неприличных значений по причине ЭДС самоиндукции в моменты замыкания.
Нет, и ещё раз нет. Без диода или мосфета схема нормально не будет работать. Начиная с момента закрытия верхнего ключа, большая часть энергии в дросселе рассеется в виде тепла на мосфете, который будет в состоянии лавинного пробоя с существенно бОльшим падением напряжения, чем даже на обычном диоде с p-n-переходом в прямом смещении.
iskandar писал(а):
Кстати, информация для чайников. У мосфетов обычно сразу на кристалле формируют эти самые обратные диоды.
Кремниевые VDMOS транзисторы просто невозможно изготовить без этого диода. В случае n-канального транзистора этот диод "подложка (p-тип) | стоковая область (n-тип)" возникает неизбежно, т.к. подложка формируется ионной имплантацией в исходном эпитаксиальном слое стока. А поскольку "подложка" металлически соединяется с истоком, то автоматически между стоком и истоком электрически возникает диод.
iskandar писал(а):
А вот это не факт. Преобразователь рассчитывается на самое высокое выходное напряжение, а не на среднее. Я не знаю, сколько по стандарту для LGA1200 можно максимальное напряжение на процессор подавать. Вот на это максимальное напряжение всё и рассчитано.
На максимальное напряжение рассчитываются только необходимые предельно допустимые напряжения компонентов (конденсаторы, например). А так всё считается на типовую нагрузку для обеспечения оптимума КПД. Большинство неоверклокерских процессоров на LGA1200 работают при напряжении ядер 1 В под нагрузкой. Процессоры с разблокированным множителем в стоке 1,2-1,3 В. А всё остальное - это уже дикий разгон. 1,55 вольт - это верхнее значение на холостом ходу + 200 мВ, под нагрузкой. Мало вероятно, что какие-то процессоры выдержат 2 В. Поэтому и количество фаз на платах в идеале должно быть больше 6-ти. А 12 - нормальный вариант.
iskandar писал(а):
А все эти удвоители и т.п. - просто распараллеливание нагрузки по ключам.
Нет, они не просто распараллеливают, а честно создают "бегущие огни". Если обходить на плате фазы подряд, например, по часовой стрелке, то сначала последовательно работают только нечётные фазы, а затем только чётные. В результате единовременно работает всегда только один мосфет верхнего ключа. При параллельном включении работали бы две "фазы" синхронно, что по сути не имеет смысла называть двумя разными фазами.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
mepavel А я как раз занимался в основном прямоходовыми однотактными и двухтактными (как полумостовыми, так и полномостовыми). Квазирезонансными в том числе. От разработки до серийного выпуска. Так что я всю выходную силовую часть этой многофазной системы сам могу разрисовать покомпонентно даже не подглядывая в Application Notes. Начиная с драйверов. Многофазные не делал, но двухфазные доводилось делать. В основном ради увеличения мощности (тока), чтобы компонентную базу при этом не менять. Двухтактный полумост означает, что вторая сторона нагрузки подключена к делителю напряжения. Вариантов реализациии двухтактных полумостов с точки зрения разделения питания есть несколько, но в любом случае однотактный Buck converter не может быть двухтактным полумостом, даже если очень на него похож и собран точно на тех же элементах. Для чайников может и похож, а для меня разница принципиальная с точки зрения направления перехода энергии.
Многофазность при малейшей рассинхронизациии нагрузки по фазам может породить относительно низкочастотную составляющую пульсации (на частоте преобразования) и вся эта многофазность пойдёт псу под хвост с точки зрения борьбы с пульсациями. А рассинхронизация неизбежна хотя бы из-за разного нагрева ключей. Я всё-таки думаю, что так просто тупо нагрузку по ключам раскидывают, чтобы КПД поднять (и себестоимость уменьшить). Так что фаз слишком много в принципе не нужно вообще ни для чего. А уж меряние количеством фаз на VRM это просто дичь голимая.
Добавлено спустя 41 минуту 28 секунд:
mepavel писал(а):
Нет, они не просто распараллеливают, а честно создают "бегущие огни". Если обходить на плате фазы подряд, например, по часовой стрелке, то сначала последовательно работают только нечётные фазы, а затем только чётные. В результате единовременно работает всегда только один мосфет верхнего ключа.
Это вообще никакого смысла не имеет. Количество фаз при этом останется таким же, как и было, даже по пульсациям выигрыша не будет. Господи, ну какие вообще проблемы с ЛЮБЫМ количеством фаз. Тактовый генератор, счётчики и регистры сдвиговые. Так можно без проблем получить вообще любое количество фаз. Хоть 666. Я так делал на 2 тактные системы ещё тогда, когда к продвинутым драйверам доступа не было и всё лепили на отечественной рассыпухе. Но зато я знаю, как это всё работает и вряд ли когда-нибудь это забуду.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.01.2015 Откуда: Белгород Фото: 70
europhase писал(а):
Добрый день. Подскажите, элементная база у z490 Edge Wifi vs Z490 Tomahawk чем отличается? Какую из этих плат предпочтительней взять под 10700k
10700кф 5ггц 1,20v нет проблем,до памяти только добрался уж 4400 17 17(синглы) точно томагавк смог,планки озу сами по себе гонятся 4600 только вот руки дошли на этой попробовать, даже не знаю какой КП на проце,за память на тамогавке вообще не стоит переживать, даже за дуалранки люди ставят 4400
Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot], likvidator1989 и гости: 48
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения