2678-3 аналогично 114 попугаев, если без анлока (после сна) 101 попугай.
2660-3 90 попугаев.

114 все правильно, проц исправен

Лет 15 назад я бы тоже так думал. Pentium 4 делались по техпроцессу 130 нм, а сейчас по 7 нм (мобильники уже по 5 нм). Итого размеры уменьшились в 130/7 =18,6 раз, а площадь и количество транзисторов пропорционально квадрату, т.е. 345 раз. Мой пентиум 4 выдавал 3 GFLOPS, а современный процессор типа i9 около 1,2-1,5 TFLOPS. Технологии силовой электроники тоже не стоят на месте.
Приложил два даташита на транзисторы для драйвера нижнего плеча. Один QM3098M6 (пр-во Китай, который в HUANANZHI X99-F8), другой современный BSC022N04LS6 (ф. Infineon, США-Германия, разработка 2020 года по технологии OptiMOS 6).
Сравниваем QM3098M6/BSC022N04LS6
- сопротивление в открытом состоянии Rds(on)=2,4/1,8 мОм;
- крутизна gfs = 57,7/170 А/В; (!)
емкости транзистора в закрытом состоянии:
входная 2780/1900 пФ;
выходная 439/630 пФ;
проходная 372/20 пФ. (!)
Времена переключения. Сразу хочу отметить, что китайцы измеряли при токе стока 15 А, а немцы при токе 50 А. Время спада tf на меньшем токе примерно на 30 % меньше (по моделированию), т.е. масштабный коэффициент раза 1,3 в пользу немцев. Здесь китайцы себе подыграли. Но время нарастания tr из-за разницы режимов измерения у немцев будет лучше раза в 2 (коэффициент 2).
Итак
время нарастания tr = 47,4 /2,1, с учётом масштабного коэффициента немцы лучше в 47,4 /2,1/2=11,3 раза
время спада tf = 17,4 / 4, с учётом масштабного коэффициента немцы лучше в 17,4 /4 * 1,3=5,7 раза
Если посчитать суммарное время переключений с учётом нормировки получаем: (47,4+17,4)/(2,1*2+4/1,3)=8,9 раза.
Да, соврал, не в 10 раз. Более точные расчёты говорят о том, что хорошие мосфеты будут греться в 8,9 раз меньше.

Посмотрите, моя самсунговская серверная ECC память настоящая или подделка ? Чипы блин разные, партномера тоже, т.е. покупались оба модуля вместе, а подсунили разношёрстные. В SPD партномер прописан M393A2G40DB0-CPB в обоих модулях. Выпусе 19 неделя и 30 неделя 2015 года.
В двух/четырёхканале вроде работает. MEMTEST проходит. Серийники есть и разные.

Вы свою личную физику застолбили?!
Если верить закону ома и постулатам что учат в школе
1) Первый параметр отвечает за ТЕПЛОВЫДЕЛЕНИЕ на элементе. И разница не в разы!
2) Второй бОльше влияет на разогрев управляющего драйвера, поскольку драйвер должен зарядить /разрядить данную ёмкость- "раскачать!

3) Это тоже имеет малое отношение к потерям как к таковым, при эксплуатации элемента в пределах его характеристик. Поскольку больше говорит о частотных характеристиках. Для одного частота к примеру будет рабочая 30КГц, для второго 100. Но на частоте 30 их параметры будут примерно равны. Если дать обоим 100 то один будет "не в режиме" он не будет открываться и закрываться, сопротивление заявленное тоже не будет! Обвязка для 30КГц это 15мкГн индуктивность и она здоровая. Для 100КГц хватит и 4.7мкГн и в габаритах она меньше, НО на более дорогом и качественном феррите( все цыфры даны для примера, и осознания масштаба и к реальности не имеют отношения )

4) сей чудный закон Ома мне не известен

5) Амперы приводимые в даташитах - нормальный"крейсерский " режим для элемента, если рядом не написано MAX!
Если привышать, то может происходить что угодно, от разогрева до деградации кристалла.
Главное не забывать, что токи могут приводиться для установившегося открытого режима, а работает он в импульсе. Импульсный ток может в 3 раза превышать постоянный, может и в 30раз, сильно зависит от времени (скважности импульса) чаще всего приводится в даташиты, с указанием времени этого импульса.
6) В итоге, сухом остатке: при замене "в лоб" Вы вряд-ли получите выйгрыш более 2х раз, поскольку сопротивление открытого ключа не даст озвученного Вами результата...
7) При замене задающего генератора на более высокочастотный и индуктивностей, предложенные мосфеты может дадут выйгрыш в миниатюризации...
8) не проверив частоты работы vrm ломать над этим копья безполезно...


Возможно правильнее: "настоящая подделка."
Что это знает только китаец, её породивший, и это НЕ продавец
Было много инфы, что это" ребуилдинг" мертвые плашки тестят, снимают умершие чипы и ставят новые, по фото - у Вас большая часть совпадает по датам, очень похоже на этот случай. Но при сёме / установке 1 чипа начинает желтить текстолит- у Вас этого не видно. Может снимали МАССОВО КОНВЕЕРОМ, и ставили по новой на новые плашки... Пайка на вскидку хорошая, пустых мест нет. Должна быть хорошей, лижбы по частотным характеристикам чипы не перепутали

Вопрос по MSI материнки - если она держит ES процы, то может и оправданно взять под 22 ядерник (он по-моему 1 на все линейки) по цене будет выйгрыш, но Макс турбо на ES не бывает. Можно получить в одном сокете много ядер. Все остальное не стоит переплаты в 1.5 раза от хуанана, и больше за но нейм.(Вроде Asroc самая непривередливая к ES и прочим процам) Кто ES в MSI ставил и какой?

А, окей, если SEC 516 и SEC 528 на чипак означает 15-й год и 16 и 28 неделя, тогда вообще всё сходится идеально, т.к. сами модули производства 15 года 19 и 30 недели соответственно. Я всё же думаю что память у меня настоящая, вытащенная из рабочего сервера.

Если речь про S04, то она тут у 2 человек - у меня и у еще одного комрада, и у нас обоих, насколько я знаю, 2620 в ней стоит. Я ставил 4627в4 ЕС, и он не поехал, но не потому что он ЕС, а потому что 46хх.
Наиболее всеядны Асрок и Гига, на них, вроде, почти все заводится. На МСИ и Асусе 46хх не едут.
ЕС как правило 2 ревизии заводятся также, как и серийники. 1 ревизии - там могут быть приключения, а 0 лучше вообще не брать.
А вообще, ее вроде и нет уже на алике. По тому лоту, где я брал, S01 теперь. Разница, думаю, минимальная между ними, но тем не менее...

eugene159, для начала я бы провели по партномеру M393A2G40DB0-CPB на сайте https://www.samsung.com/semiconductor/
Находим даташит - https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2017/11/DDR4_4Gb_D_die_Registered_DIMM_Rev1_8_Aug_16-0.pdf
Откуда находим, что марикровка чипов: K4A4G045WD-BC. По крайней мере названия чипов сопадают. Уже хорошо! Мне попадались с неправильной маркировкой несуществующие чипы.
Теперь желательно смотреть фото оригинальной памяти и сравнивать шрифты на маркировке. Часто очень легко заметить различия.

У кого не стартует macos (хакинтош) на последней версии биоса Инженера CX99DE27 смотрим включено ли Port 64/60 Emulation

Спасибо A-rchy

[quote="v111"][/quote]

Биос Ваш, майский. -70 -50. Разница в конфиге только память, у меня 64GB 2133 CL11

Запустил еще раз - 447. Странный результат...

немедленно результат в ветку тестов
Надо не ультра, а екстрим тестить
Radeon vs GeForce ("диванная" аналитика, мнения местных "экспертов" и т.д.) #17171670

Совершенно верно! Этот параметр отвечает за тепловыделение в (квази)статическом режиме, когда переходной процесс завершился. Можете посчитать какой вклад этой мощности в общий разогрев или смоделировать VRM (после регистрации на сайте infineon доступна нелинейная модель транзистора).

Отлично! Только это емкость в закрытом состоянии транзистора. Вы когда-нибудь слышали про эффект Миллера?

Всё правильно! На низкой частоте временем переключения можно пренебречь.))) Здесь главное Rds(on). На высокой частоте в сотни кГц уже большое значение имеют потери на переключение. Вот Вы посчитайте в реальном масштабе, а так то на 30 кГц всё хорошо, только какая граничная частота петлевого усиления PWM-регулятора в устойчивом режиме будет при значительном увеличении номинала индуктивности? Тут вся идея в том, чтобы снизить рассеиваемую мощность, не меняя частоту преобразования, соответственно, без замены номиналов дросселей и без настройки частотной коррекции обратной связи. В любом случае снижение частоты приведёт к увеличению времени восстановления, что не есть хорошо.

Промоделировал в симуляторе.

Знали бы Вы кому сейчас прописные истины рассказываете. Чем не угодил мой подобранный современный аналог? У него предельные параметры хуже в непрерывном и импульсном режиме? Может ещё и про энергию лавинного пробоя поговорим?

Из каких соображений такие цифры? Можете прикинуть сколько будет тепла на Rds(on) выделяться? Никто не мешает поставить быстрый транзистор с более низким Rds(on), но для 6-ти фазного преобразователя с нагрузкой 120 Вт при питании 1,8 В, как думаете, это очень нужно?

Там в PWM-контроллере можно задавать частоту генерации резистором в некоторых пределах. Я думаю на китайских платах с миниатюризацией индуктивностей они итак перестарались.

Согласен.
Китайцы перемаркировывают чипы на раз два! Я с этим знаком не понаслышке))) Могут поставить любой компонент по заказу с нужной маркировкой.

купил kllisre x99m-g
Воспользовался программой S3TurboTool. Дошел до вставки ffs патча в биос при помощи UEFITool.
и не смог найти необходимый ключ PchS3Peim. Как можно найти этот ключ или чем он заменяется?

вот ссылка на биос https://yadi.sk/d/A79D7Cc5d2ii8Q

Может кто подскажет?

Ух, урвал себе белую Машинистку...) еле успел.


Да нормально все с ними... Нормальные модули, вовсе не разношерстные... Разношертстные - это когда на разный вольтаж, и разноранговые.


Это модуль. Он у вас отсутствует. У вас вообще S3-сон есть? Если нет, то... В принципе вам вся эта возня не обязательна. Просто делаете обычный анлок тб с даунвольтингом. Ну либо попробуйте прям добавить новый ffs-модуль в 3-ю секцию. Поглядим, че будет. Ну либо ищите биос для этой платы с поддержкой S3-сна.

Пришла tda с ножками которые вообще не звонились от слова совсем. Все ноги с мегаомным сопротивлением, продаван долго слал лесом. после отсыла фоток рентгена живой и незвонящейся быстро вернул бабло. Рентген показал полное отсутствие разварки кристалла у левака, на фоне четко видимых сварок и проволоки оригинала. Маркировать то они могут но не всегда ровно и не тем шрифтом. Лазерную маркировку повторить могут единицы. Видел xilinx маркированный фломастером, но .... он РАБОТАЛ! Как оригинал, с ньюансами программирования....
Насмотрелся я...
Моделирование - это канеш хорошо, но после ряда экспериментов, мало верю в достоверность результатов, что при мех воздействии, что электрики, были приценденты.
Всегда погрешность начальных данных...
PS для читающих по диагонали, ишо раз: ВСЯ ПОГОЕШНОСТЬ В ИСХОДНЫХ ДАННЫХ!
Вот аще пофиг какая модель, но при расчете механики стержня сходимость с прикдкой по калькулятору по учебнику 1%. При расчетах корпуса - черти чё и сбоку бантик. Ибо - правильно задать сварной шов по характеристика -хрен кто умеет. Для модели плат (да для любой модели нужен коэф юнга и Пуансона) а у текстолита в разных направлениях эти коэффициенты РАЗНЫЕ и программа такой финт НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТ! И в электрике также беда с пайкой( характеристики припоя) характеристики текстолита (толщина меди и прочее)
Так что считайте...
"Верующие да абрясчут"
Удачи

Возвращаясь к теме отвала USB в играх.
Тестировалось на системе, где периферия подключена кабелем 5 метов к активному хабу. В хаб воткнут геймпад и мыша.
При играх после 2-3 часов активного использования начинает отваливаться USB (раз в 5-8 сек). Настройки биоса не влияют. Скорее всего после прогрева мамы плывут параметры в сетях питания USB, и это становится критичным для кабеля 5 метров. В USB кабеле, кстати, тоже какая-то схема (думаю, что DC-DC какое-то для компенсации просадки напруги, но держит без активного хаба только мышь или клаву).
Что сделано:
1. Радиатор на южный мост посажен на термопасту вместо прокладки.
2. На VRM поставлен эффективный 40мм вентилятор.
3. Термодатчик от контроллера вентиляторов заведен в зону VRM (44-50С во время игры).

По результатам тестирования получилось, что система стала стабильней, но отвалы на мамкиных USB все равно случаются.
Ставил плату расширения USB с доппитанием такую. Никаких отвалов при подключении к этой плате нет.
Сфотать тепловизором прогретую маму не дошли руки.
Датчик AIDA в стрессах показывает до 70C температуру системной платы (выше, чем у проца). Где этот датчик, никто не знает.

У меня USB-мышь один раз отваливалась.

Речь идёт об отдельном контроллере для вентиляторов?

У меня датчик южного моста всегда показывает одну и ту же температуру. Показания зависят от версии BIOS и от работы до и после спящего режима. Т.е. другими словами ничего не показывает))) Нормально только температура процессора отображается в Intel XTU.

Сейчас довольно неплохо научились делать модели.

китайцы сэкономили на питании USB портов по всей видимости. и на конденсаторах.
мои удлинители usb по 1,8м(без доп. пит.) моментально отваливаются при какой нибудь нагрузке выше флешки.
хотя на 775,1155 платформах они работают годами с любой нагрузкой.
если и доп питание не помогает,тут уже хз.
раньше еще советовали снять проц и спиртом до блеска протереть ножки цпу. попробуй.

Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #16974643

Да, засунул прямо туда к транзисторам VRM от контроллера вентиляторов.

Это уже делал разными растворителями. Похоже это не эта тема. Там по pcie из-за грязных контактов какие-то высокочастотные эффекты шли, причем без всяких прогревов, со старта. Здесь все стабильно работает, пока не прогреется. Еще имеет значение где блок системный стоит. Можно под форточку поставить, а можно за телек, где потеплее. Но все равно перегревов нет, судя по датчикам, а отвал есть.