А вот и зря Теоретически те же самые чипы, правда обычно с меньшей плотностью записи.
Кроме того нужно смотреть тайминги на конкретные чипы и править их в видеобиосе, еще модули как правило в 8и микросхемах, итого ширина 64 бит. На видеокартах тоже как правило 8 чипов.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.02.2005 Откуда: :адуктО
тогда наверно нету различии принципиальных
плотность, таиминги
да и зачем тужится и изобретать 2 типа памяти, если можно обойтись одним и сэкономить
вроде же слерон-не отдельный проц, а обрезки П4, да ито это выясняют только после тестов, и потом маркируют
_________________ а что будет если UPS включить самого в себя?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2005 Откуда: Челябинск
Fishbrain
Цитата:
вроде же слерон-не отдельный проц, а обрезки П4, да ито это выясняют только после тестов, и потом маркируют
Селики производят с заведомо меньшим объемом кэша, а тестируют уже гарантированно рабочую частоту всей партии Ты хочешь сказать, что DDR - это обрезки GDDR? Сильно сомневаюсь. sobatchnick**
Цитата:
Не знаю наверняка, но по моему техпроцессом
Абревиатура GDDR расшифровывается как Grafix DDR, имхо техпроцесс тут не причем. Drake@
Цитата:
Можно ли взять DDR 400 и заменить ей памать на видяхе серии GF FX, Radeon 9xxx?
Вчера сравнил чипы памяти на планке Hynix DDR400 и чипы на Аlbatron FX5700EP (Hynix) - маркировка абсолютно идентичная. Проблема может возникнуть, как заметил sobatchnick** , в установке корректных таймингов в биосе видеокарты
Вопрос остается открытым - чем отличается DDR от GDDR (GDDR3)
_________________ Смиренно, становлюсь на колени,
Перед тобой, Ваше величество, госпожа Вселенная...
Пропускная способность (читай частота) у графической памяти по мере их "эволюции" выше, чем у обычной DDR. Скорее всего это достигнуто "игрой с таймингами". В основе GDDR3 положена DDRII. Так что Fishbrain оказался прав
Samsung Electronics объявила о разработке первой в мире микросхемы оперативной памяти DDR3... обеспечивает возможность передачи информации со скоростью 1066 Мбит/с, что вдвое превышает аналогичный показатель для микросхем DDR2... использовалась 80-нанометровая технология... рабочее напряжения чипа DDR3 DRAM составляет всего 1,5 В...Ожидается, что в продажу микросхемы памяти DDR3 DRAM поступят в начале 2006 года
Это новость от 21 февраля 2005 года. пошёл оффтоп уже
Интересно, раз нет никакой разницы, то почему не делают планок памяти DDR2 с 1.6 или 2нс чипами?
Пара выдержек из статьи, что я давал ссылку.
Цитата:
DDR-2 were primarily the frequency limitations, partially caused by the lack of termination on address and command lines as well as issues with heat and power.
DDR2 ограничена по частоте отсутствием терминации адресного пространства и коммандных линий а так же из за высокого тепловыделения.
Цитата:
This is where one of the main improvements of GDDR3 over previous DDR generations comes in, namely, the termination goes with a single resistor to VDDQ (the output voltage “high” level)
Одно из основных преимуществ GDDR3 над DDR предыдущих покалений заключается в том, что терминация идет через единичный резистор на VDDQ (выходное "высокоуровневое" напряжение).
Цитата:
DDR3 will abandon the sequential output mode and only support the “interleaved” mode (not to be confused with bank interleaving), which allows simplifying the memory controller.
DDR3 не использует последовательный режим вывода, а поддерживает лишь режим чередования (не путать с чередованием банков) который упращает контроллеру памяти жизнь Это для тех, кто не понимает по английски, можете не благодарить
z-force
Цитата:
Идём дальше почему не делают DDRIII планок памяти =)
Потому, что пока нет такого проца, который использовал бы такуюПСП памяти
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 19
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения