Ватты те же, но температура в каждом отдельном чипе в 2 раза меньше. У меня на Galaxy S3 от высокой температуры выгорел экран в нижней части смартфона, там образовалось черное пятно. Именно из-за того, что на кристалле объедены CPU и GPU, процессор грелся свыше 70 градусов и произошел частичный пробой процессора. В играх он стал работать с низкой частотой кадров, греться без нагрузок, и стал потреблять много энергии даже с отключенным экраном. Замер потребляемого тока в режиме покоя составил 150 mA, хотя должно быть 8-12 mA при активном радиомодуле, а с отключенным модулем - должно вообще быть ноль..



Модем работает все время, в фоне работают много программ мессенджеры и т.д. Если не перевести в режим полет, модем на кристалле греется прилично..



Я то трезвый, чего и вам желаю!
Раньше электронные блоки аппаратуры собирались на специализированных микросхемах. Одни отвечали за звук, другие за изображение и т.д.. Усилители и другие более мощные блоки имели - (предоконечные) и (оконечные) каскады, которые имели высокое энергопотребление и тепловыделение. Именно по это причине их проектировали за пределами других блоков. Так вот, то, что вы думаете о высокой надежности одночипового решения - это заблуждение! Сокращение большого количества микросхем конечно привело к более высокой надежности, но только на уровне предоконечных каскадов различных блоков. Но когда стали объединять на одном кристалле предоконечные и оконечные каскады, естественно, это привело к сильному нагреву чипов и к частому выходу их из строя. Эти случаи случаются довольно часто, но многие и не подозревают, и не замечают, что в их устройствах есть подобные дефекты. Так как при обычном использовании устройства их трудно заметить, а при использовании устройств в тяжелых приложениях - дефекты дают о себе знать.



И это заблуждение. При продолжительных 70-80 градусах и деградируют чипы! На моей практике, и по памяти отзывов на форуме владельцев, такие случаи не редкость. Я не буду расписывать о тех процессах, которые протекают в таком режиме в современных SoC, но будьте уверены - это недопустимо! То, что кремний может работать стабильно при высоких температурах 80-100-120 градусов в составе на отдельно взятом мощном транзисторе, это одно, а в составе целого процессора с сотнями миллионов, и даже миллиардами транзисторами - это совсем другое! Это приведет к нестабильной работе, различным артефактам на экране и быстрому выходу процессора из строя. Для современных мобильных процессоров - высокая температура в 70 градусов губительна при продолжительных нагрузках! Я привел выше пример на устройстве Galaxy S3. Кстати говоря, чипы MediaTek тоже часто выходят из строя из-за превышения рабочих температур на кристалле в первые недели своей жизни при усиленных нагрузках. То есть процессоры умирают и без всяких модемов и других дополнительных блоков на кристалле. А производители все лепят и лепят процессоры с еще большим энергопотреблением и большим количеством ядер..

У меня то опыт есть, можете не сомневаться. Я другого не могу понять, вы хотите сказать, что в этом разбираетесь лучше меня? Я занимался ремонтом и конструированием различных электронных устройств и приборов еще тогда, когда вы еще и не держали ничего в своих руках из техники, даже простой советский ленточный магнитофон.. Я видел как совершенствуются блоки различной аппаратуры из поколения в поколение. Там где раньше стояло 10-15 транзисторов, температура была холодной, как будто устройство и не работает. После того, как вместо этих 10-15 транзисторов воткнули микросхему, она стала греться до 70 градусов с прикрученным к ней радиатором. То есть, внешне микросхема экономит место, но теперь в этом месте все сильно греется, а для завода пришлось еще потратиться на систему охлаждения.. Это говорит о том, что упаковка транзисторов в один кристалл приводит к большим потерям по коэффициенту усиления для каждого отдельного транзистора внутри процессора. В многомиллиардном процессоре это приводит к огромным потерям в виде отработанного тепла. Каждый транзистор на кристалле процессора имеет низкий коэффициент усиления по току, как правило всего несколько десятков единиц. А вот если взять отдельный транзистор, он имеет обычно высокий коэффициент усиления по току 300, 600, 1000, и даже больше. То есть транзисторы внутри процессоров, они имеют в несколько раз более низкий КПД, чем обыкновенные транзисторы. При создании сложных процессоров, этот процесс контролировать очень сложно. Именно поэтому это и приводится в жертву. Можно было бы собрать процессор для мощного компа из миллиарда отдельных транзисторов, каждый из которых на ощупь был бы совершенно холодный. Ну то есть вы руками не почувствуете никакого нагрева без всяких вентиляторов и радиаторов. А эти же миллиард транзисторов на кристалле цельного процессора, они могут греться до 100 градусов с мощной системой охлаждения! Большая часть этой энергии сгорает в виде тепла, это тепло и есть низкий КПД транзисторов.



Нет, энергопотребление это не увеличит. Наоборот, сосредоточение в одной точке высокой температуры - приводит к низкой производительности, выходу дорогих компонентов из строя, очень сложной системе охлаждения (активной), выгоранию текстолита, нагреву соседних чипов и т.д.. Когда одно другому не мешает - все работает лучше!



Послушайте, ShadowTM, вы бы лучше перестали рассуждать на темы, в которых ничего не смыслите..
О каких еще накладных на передачу сигналов вы там говорите? Вы что, вы хотите передавать сигнал по дну океана на другой континент?
1) Никаких потерь сигналов при передачи в современных устройствах нет! Не путайте аналоговую электронику с цифровой!
2) Никакое потребление не падает ни в разы, ни даже в доли ватт! Разделенный на две части цифровой процессор соединяется с другим без всяких связующих конденсаторов и других элементов, которые могут повлиять на потери.
Еще раз повторяю, интеграция всех блоков в один кристалл обусловлена в первую очередь меньшей ценой в производстве, в последующей закупке процессора, в схема-проектировании для конечных производителей и т.д.. Да, здесь есть большой плюс в экономичности с точки зрения миниатюризации универсальных процессоров, но надежность с каждым новым техпроцессом снижается. Дополнительные блоки на основном кристалле процессора только увеличивают температуру и без того горячих ядер.



Я вам тут ничего и не собираюсь доказывать! Хотите верьте, хотите проверьте. На Sony Xperia Z в режиме интернет серфинга через простой EDGE, смартфон нагревается до 42 градусов по данным системы. А на ощупь, верхнее и нижнее стекло греются очень сильно, сопоставимо с температурой в режиме игры!



Вот вы и читайте выше. Я вам уже описал основные причины перевода всех блоков на один кристалл, но это сделано не с целью снижения энергопотребления, а целью снижения расходов на производство и снижения цены конечного продукта.



Да все проклинают ваш любимый Snapdragon 800! На все телах он лагает в тяжелых приложениях при продолжительных нагрузках.. При первых минутах частота кадров в тяжелых играх может быть нормальной 25 FPS, а после прогрева начинаются лаги и частота снижается до 12-15 FPS.. Я вам уже и видео троттлинга скидывал, и целую страницу отзывов от владельцев, которые реально нагружают свои устройства тяжелыми играми продолжительное время..



Самый слабый процессор - это и есть ваш Snapdragon 800. Кстати, 801 тоже не тянет тяжелые игры, у него частота снижается до 15 FPS Я вам уже тысячу раз доказывал, что процессоры Qualcomm - самые слабые, а все тесты подделка! Ни на одном процессоре не работают так плохо игры, как на Снапах. Даже старинные двухъядерный Exynos 4210 работает лучше. Ну а MediaTek 6592 - рвет ваш Snapdragon 800 в тяжелых играх вообще с запасом, и это факт! Вашим Снапам нужно еще несколько раз переродиться, чтобы достичь уровень ультрамощных Tegra..

Отводит тепло, но только короткое время. После нагрева внутренностей смартфона - процессор уходит в троттлинг, а все остальное время работает на 50% своей производительности. Устройство прогревается неравномерно, именно это и приводит к быстрому скоплению тепла в одной части устройства. Если бы CPU и GPU разнесли по разным сторонам, температура каждого отдельного чипа снизилась в 2 раза, а отдельные чипы уже не нагревались до температур 80+. В этом случае максимальный нагрев отдельных чипов составил бы - 50, макс - 60 градусов.. Ну а если у современных мобильных SoC отключить стабилити, они прогреются свыше 120 градусов..



К сожалению, нет. На многих устройствах при интенсивной нагрузке процессоры выходят из строя.



Если бы вы были технически-грамотны, вам бы не пришлось ничего искать. Вы ничего не поняли и все напутали! При чем тут Снап? Я говорил о Galaxy S3! Естественно, включенный смарт всегда потребляет энергию, но я говорил о смартфоне S3 с пробитым процессором, который потреблял энергии с отключенным экраном столько, сколько он раньше потреблял с включенным экраном.. Вы читаете между строк!



Все, что творится на кристалле процессора, обладает куда большими паразитными наводками и т.д! Наводки есть и между близко расположенными контактами самого процессора. Когда в старых советских видеомагнитофонах использовалось 100 микросхем, там были сильные наводки и приличные сопротивления токонесущих проводников. Но какие могут быть сопротивления, когда два процессора установлены на расстоянии, в которое вы не сможете просунуть даже палец? Да и сами современные устройства делаются на таких крохотных кусочках платы, что о сопротивлении между их чипами и говорить не приходится. Что касается наводок высокочастотных генераторов, эти микросхемные модули всегда изолировали под отдельным экраном от других процессоров. Но прогресс заставил перенести все эти модули с паразитными наводками на один кристалл, а инженерам пришлось столкнуться с дополнительными проблемами. Кстати говоря, эти высокочастотные паразитные наводки различных генераторов, делителей частоты, встроенных высокочастотный импульсных преобразователей напряжения, они и вызывают нагрев на кристалле из-за инертности различных цепей питания.

Я вам по русски объяснил, что упакованные транзисторы на одном кристалле - имеют низкий КПД, в них протекают большие потери энергии, они сильно греются, а самое главное - энергопотребление у них всегда выше.. На более старых моделях, где сборка была выполнена на отдельных транзисторах - температуры в разы ниже, чем на более поздних сборках с использованием микросхем! Можете разобрать любое старое устройство, магнитофон, старый телевизор или еще что-нибудь. Например, в магнитофонах всех марок вечно сгорали усилители звуковой частоты, после их перевода на микросхемы. В телевизорах тоже самое: при переводе на отдельную микросхему раскалялась как утюг микросхема блока питания, а на отдельном транзисторе - она грелась слабо и работала стабильно. Возьмите пример с блоком кадровой развертки на микросхеме, она тоже греется как утюг, а на отдельных транзисторах - она практически не нагревается и т.д. У меня было несколько импортных телевизоров. Все эти телевизоры имели средний размер 54 см по диагонали, но при этом имели энергопотребление - 120 Вт, на другом 96, 90 Вт.. А до этого был старый советский ALFA с большим 61 см по диагонали экраном, так у него энергопотребление было всего что-то около 80 Вт. При равной диагонали, старые телевизоры потребляли до 20 Вт меньше энергии, чем их более поздние приемники на микросхемах. Все, что я написал, вам подтвердит любой грамотный радиотехник..
Так что не нужно тут умничать со мной! Для начала выучитесь чему-нибудь, а потом уже и дискуссию ведите, на равных! Но у вас же в одном месте не держится, чтобы мне не возразить? Только и можете балаболить языком в темах, где ничего не смыслите.



Почему производители к этому стремятся - я уже несколько раз объяснил! И повторю еще раз, сосредоточение в одной точке высокой температуры - приводит к низкой производительности и другим проблемам!



Наоборот, это делает отвод тепла в несколько раз более проблематично. Отвод тепла при таком способе более сложный, это увеличивает стоимость активной системы охлаждения, более высокому энергопотреблению из-за использования дополнительных моторов, большому уровню шума.





Отвечаю! Ни экран, ни процессор не нагревается при простом использовании смартфона в режиме простой прокрутки его меню! Даже если крутить смартфон 15-20 минут, он практически не греется.. Хотя при касании пальцем его экрана - процессор всегда работает на максимальной частоте! Сильный нагрев начинается сразу, как только начинают передаваться пакетные данные и загружаются интернет страницы! Еще раз вам повторяю, не умничайте здесь со мной!



Совсем нет. Вы просто не понимаете моего мнения. Чем меньше будет на кристалле дополнительных модулей, тем стабильней и лучше будет работать устройство. В будущем производители будут делать еще более сложные SoC, и NVIDIA не будет исключением.. Но я все-равно не поддерживаю такой подход, хоть он и сильно снижает стоимость процессоров и дальнейшую сборку.




Этот вопрос нужно задать вам! Это вы здесь без всяких на то причин опускаете NVIDIA, и все что с ней связано..




Моська - это я так понимаю что-то маленькое, и ни на что не способное? Так вот, продукция NVIDIA работает в 1000 раз лучше и продается в большом ассортименте от разных производителей. А на недопродукции вшивой Qualcomm с ее поддельными бенчами - вообще ничего не работает! И вот именно это - признали все владельцы, которых обманули и подсунули лагающие слабенькие Snapdragon 600/800/801.. Несчастный вы человек, вы хоть иногда на воздух выходите, посмотрите как работают устройства на Tegra.. Квалкам до них никогда не дотянутся с их поддельными бенчами, производительность в которых они достигают под 100 градусами на кристалле, а в реальной жизни довольствуются позорной работой на сильно заниженных частотах.

P.S. О чем можно говорить с человеком, который не имеет никакого технического образования, совершенно ничего не знает о электронной промышленности, который при этом утверждает о своей правоте во всех технически сложных для его ума вопросах любых тем? Делать свой вывод только на одном основании, что "так делают все", что "к этому стремятся все" и т.д, - это глупо! Какая разница кто-к чему там стремится? Нужно обсуждать продукт многогранно! А называть высококачественные продукты хорошего производителя "дном" только из-за того, что тебе не нравится этот производитель сам не зная из-за чего.. Ну это просто маразм, это медицинский случай. Будь чипы Qualcomm реально производительными, я бы слово про них плохо не сказал. Но если чипы хлам и они работают хуже, чем старинные двухъядерные, то я и другие люди имеем право об этом громко говорить.

Большая разница, Exynos 4412 потребляет в 2 раза меньше энергии, чем Snapdragon 600.



Да, я сказал: замер потребляемого тока в режиме покоя составил 150 mA, хотя должно быть 8-12 mA при активном радиомодуле, а с отключенным модулем - должно вообще быть ноль. Вы что, хотите опровергнуть мои слова?



Охлаждение современного смартфона происходит совсем иначе! Именно из-за того, что смартфоны стали сильно перегреваться после запуска тяжелых игр, производители стали прибегать к более агрессивному отводу тепла через элементы крупных деталей устройств. Отвод тепла - идет от всего, с чем контактирует источник тепла. Разные производители - по разному проектируют теплоотвод в своих устройствах. Если говорить о наиболее производительных чипах, все производители используют отвод тепла от процессоров примерно одинаково.
1) Плата, на которой распаян чип, она конечно снимает часть тепла, но это только на первых минутах. После прогрева устройства, от нее помощи не ждите. К тому же она очень маленькая и на ней установлено еще с десяток разных чипов с обеих сторон, которые тоже греются и нагревают эту крохотную плату.
2) Главный отвод тепла от процессоров осуществляют металлические экраны, которые в свою очередь передают это тепло на другие массивные узлы и детали смартфонов.
Например, в Galaxy S3 процессор передает тепло через (термоинтерфейс) - к внутренней части корпуса, которая сама по себе размером с весь смартфон. Этот радиаторный элемент сделан из специального материала замаскированный под пластик. Но на самом деле это не совсем пластик, в его состав входит металлическая пудра - она помогает распределять тепло на другие детали смартфона. Это своего рода перегородка, к которой с одной стороны плотно прилегает стеклянный экран. Экран является главным элементом (радиатором) отводящим тепло из внутренностей смартфона. Стекла могут нагреваться у наиболее мощных смартфонов до 60 градусов! Производители прекрасно понимают, что стекло очень трудно перегреть и оно отлично подходит для охлаждения и выброса тепла наружу. А с другой стороны этой охлаждающей перегородки - плотно прилегает крупный аккумулятор, который тоже снимает часть тепловой энергии и передает ее на заднюю пластиковую крышку. Короче говоря, все крупные элементы из любых материалов - выполняют роль охлаждения современного устройства. Другой пример: в sony xperia, - охлаждение еще лучше. Sony используют в отводе тепла два стекла, а между ними алюминиевую пластину по всему корпусу смартфона. В смартфонах Sony все внутренности подогнаны одна - к другой максимально плотно, именно поэтому сильный нагрев при запуске приложений ощущается сразу. Это сделано для максимальной стабильности устройства при продолжительных нагрузках. Да, при хорошем контакте с процессорам - стекла греются очень сильно и на ощупь это не очень приятно, но быстрый выброс большого количества тепла наружу - очень хорошо сказывается на непревзойденный стабильности устройств этой марки.



Мне думать об этом не нужно, я это все изучал много лет назад. Всегда, все высокочастотные генераторы, делители частот и другие узлы, которые являлись большим источником помех - делались на отдельных блоках и изолировались от других модулей специальными экранами! Перевод высокочастотных модулей с паразитными связями на общий кристалл чипа - приводит к менее стабильной работе процессоров, так-как эти помехи могут сильнее влиять на другие модули внутри общего кристалла и являться источником самовозбуждения всего процессора! Перед инженерам при проектировании встает все больше проблем с переводом всех модулей на один кристалл. Закон физических свойств транзисторов таков, даже самые высокочастотные транзисторы не успевает быстро открываться и закрываться, из-за этих переходов и образуется тепловой эффект потерь.. Но у отдельного высокочастотного транзистора все характеристики во много раз выше, чем у его аналога на общем кристалле с миллиардом других транзисторов.



Я ничего и не путаю. Если бы вы знали принцип работы и предназначение каждой ноги процессора, а также закон Ома, вы бы не рассуждали здесь о сечении проводников!
Разъединение центрального, графического и других процессоров на отдельные чипы - не приведет к последствиям, и от этого не появятся никакие сопротивления в дорожках. Там где нужно, дорожки делаются необходимого сечения, но это как правило дорожки элементов питания. Или вы думаете, что на каждой ноге процессора проходят сильные токи и высокие напряжения? Большие токи проходят только по ножкам питания процессоров, а все остальные 100-500-1000 других ножек - служат для передачи сигналов низких напряжений с микротоками, для которых сечение, длина дорожки и их сопротивление - не оказывают вообще никакого значения! Так-как сами процессоры общаются между собой через большие защитные сопротивления. В самих процессорах помимо транзисторов есть еще резисторы диоды и т.д. Поступающий сигнал на любую ножку чипа проходит в первую очередь через защитные диоды и резисторы большого сопротивления. То есть, каждая входная и выходная нога любого чипа шунтируется сопротивлениями в десятки, и даже сотни кОм внутри самого процессора! Это сделано для защиты в случае различных неисправностей от других пробитых процессоров, с которых может идти высокий разряд по напряжению и току. Учитывая, что каждая ножка процессора защищена высоким входным сопротивлением, которое в тысячи раз больше того, которое может образоваться на самых тонких и длинных дорожках-проводниках! То есть, даже если по всей длине платы на тонкой и длинной дорожки появится минимальное сопротивление (0.1, 0.5), и даже (1 Ом), они не смогут оказать никакого влияния на работу чипа.



Сколько можно повторять!? КПД отдельно взятого транзистора в несколько раз выше, чем на кристалле микросхемы. Контролировать статический высокий коэффициент усиления и другие основные параметры транзистора на многотранзисторных кристаллах - невозможно. При необходимости получения на кристалле процессора более высокого значения (hFE), используется технология составного транзистора, но этот вариант удваивает количество транзисторов и достаточно сложен в осуществлении. Обычно, коэффициент усиления транзисторов на кристалле сложных процессоров не превышает числа 10-15hFE.. На внешних же транзисторах - это число в 100 раз выше!
Еще раз повторяю, разберите любой советский транзисторный телевизор и сравните его с импортным. Даже при большей диагонали и большей потребляемой мощности самим кинескопом, старый телевизор имеет и меньшую потребляемую мощность от сети, и меньшую температуру ВСЕХ СВОИ БЛОКОВ!!! Откройте импортный телевизор с маленькой диагональю 21 дюйм и дотроньтесь рукой до радиатора микросхемы его кадровой развертки, он даже в радиаторе греется так сильно, проще сунуть палец в кипяток! А на транзисторах они можно сказать холодные. Тоже самое и микросхемы импульсных блоков питания, КПД высоковольтного транзистора в импортной микросхеме во много раз меньше, чем у его транзисторного аналога, который вообще не нагревается на фоне микросхемы. В современных импортных телевизорах даже на плате кинескопа удалили буквально всего десять никому не мешавших деталек, а вместо их вогнали микросхему, которая нагревается даже в радиаторе так сильно, что рукой нельзя дотронуться. А раньше стояло всего несколько транзисторов без всяких систем охлаждения с температурой работы человеческого тела. То есть, на ощупь - они вообще не грелись!



Я в свое время перебрал, сконструировал и собрал десятки различных усилителей, как на микросхемах, так и на внешних транзисторах.. Вы решили меня поучить что-ли? Усилители звуковой частоты на микросхемах выходят из строя очень часто и без перегрева корпуса радиатора! Вы думаете они сгорают только в дешевой китайщине, где установлен хлипкий радиатор и рабочие температуры обжигают руку в доли секунды? Силовые микросхемы летят и у дорогих брендов Sony, Panasonic, Sharp и др.. В устройствах этих производителей используются огромные радиаторы, которые могли бы охладить микросхемы усилители до 10 Вт x2 канала, а они при своих размерах - охлаждают всего 2 динамика по 3 Вт каждый.. Во время работы даже на максимальной выходной мощности, эти здоровенные радиаторы не нагреваются выше 50 градусов! На языке электроники, температура радиатора в 50 градусов - это холодный режим работы. И тем не менее, даже в таких идеальных условиях микросхемы сгорают. Долговечность, выносливость, производительность и КПД у микросхем во много раз меньше, чем у отдельных транзисторов. При упаковке множества транзисторов на один кристалл микросхемы, всегда приходится платить жертву низким КПД. Результат этого - потери перерабатывающего электричества в высокий нагрев чипов..
Во время перегрузки и самовозбуждения генераторов, отдельный транзистор может задымиться, но после остывания остаться рабочим и продолжить свое функционирование без изменения своих паспортных характеристик. Микросхемы же и без дыма летят дай Боже. В микросхемах летят силовые элементы, которые имеют большие рабочие токи и большие рабочие мощности.

P.S. Я не против объединения различных чипов в мощный процессор. Я говорю лишь о том, что мобильные SoC уже сейчас не могут отработать свои паспортные технические характеристики при продолжительных нагрузках. Производители удваивают количество всех блоков в каждом новом своем SoC и рапортуют о двойной производительности над предыдущем решением, ну и над конкурентами, разумеется.. Я говорю, что все это - маркетинг, развод на лоха и т.д. По характеристикам чипы то все мощные, только вот некоторые из них загинаются уже через несколько минут и снижают свою производительность в 2 раза!