Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.05.2005 Откуда: Chelyabinsk
Вообщето теория ясна как два пальца об асфальт:D У каждого элемента есть своя критическая температура до которой он работает безх отклонений либо с ними но укладывающимися в допуск этого элемента
как было сказано выше ваш да и чего уж скрывать и наш компьютер и вообще любой компьютер это маленькая передающая станция:lol:(Белый шум)
Дак вот после достижения этой температуры происходит лавинный пробой Или тепловой пробой канала пн или нп отчего мы отлавливаем всякие глюки
Про это рассказывали вроде как в классе 10 средней школы (когда рассказывали про донорные и акцепторные примеси в полупровднике:D )
У кремния Ткрит=125-200 С
Германий 65-85 С
Последний раз редактировалось Suse 25.09.2006 10:16, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.07.2006 Откуда: spb
Suse Хм а чем лавинный пробой от теплового отличается? По-моему любой пробой начинается с лавины..
RUMPELSHTICTIK К "блату", браткам, гопнегам и пр отношения не имею. Более того, считаю их всех уродами. Ник такой потому, что так сложилось. Насчет ботаника.. что ты можешь знать про меня, а? И с какого ты перешел на личности? По другому общаться не дано?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
nAXAH Дано А счего ты взял, что можешь учить меня русскому языку в ветке про железо . Только модеры безнаказано надомной потешаются, а таких как ты я люблю Зашёл, нашёл ошибки, выпендрился и чо? Ума тебе это не пребовляет, как и мне говоря с тобой на эту тему. Это я к тому, что ты Паша немного некрасиво поступаешь Потребление элементов на железе весьма импульсно. Импульсы тока создают на (паразитных) индуктивностях цепей, по которым они протекают, ЭДС самоиндукции имеющую амплитуду определяемую скоростью нарастания тока и индуктивностью цепи по которой он протекает. Зависимость прямо пропорциональная. U = L di/dt Импульс зависит я уже говорил от чего и побольше бы слушали Viru$ он однако хоть теорией мало подкован, но по больше вашего знает, а демогоги его забили Помехи создаются, как самим процессором (не важно каким), так и источником его питания. Число их при разгоне ростёт, следовательно увеличивается нагрев и уменьшается стабильность.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.10.2005 Откуда: Питер
Материал из Википедии: относится и к транзистору
Цитата:
Пробой p—n-перехода
Пробой диода — это явление резкого увеличения обратного тока через диод при достижении обратным напряжением некоторого критического для данного диода значения. В зависимости от физических явлений, приводящих к пробою, различают лавинный, туннельный и тепловой пробои. Лавинный пробой (ударная ионизация) является наиболее важным механизмом пробоя p—n-перехода. Напряжение лавинного пробоя определяет верхний предел обратного напряжения большинства диодов. Пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля, при котором носители приобретают энергии, достаточные для образования новых электронно-дырочных пар в результате ударной ионизации атомов полупроводника. Туннельным пробоем электронно-дырочного перехода называют электрический пробой перехода, вызванный квантовомеханическим туннелированием носителей заряда сквозь запрещённую зону полупроводника без изменения их энергии. Туннелирование электронов возможно при условии, если ширина потенциального барьера, который необходимо преодолеть электронам, достаточно мала. При одной и той же ширине запрещённой зоны (для одного и того же материала) ширина потенциального барьера определяется напряжённостью электрического поля, то есть наклоном энергетических уровней и зон. Следовательно, условия для туннелирования возникают только при определённой напряжённости электрического поля или при определённом напряжении на электронно-дырочном переходе — при пробивном напряжении. Значение этой критической напряжённости электрического поля составляет примерно 8∙105 В/см для кремниевых переходов и 3∙105 В/см — для германиевых. Так как вероятность туннелирования очень сильно зависит от напряжённости электрического поля, то внешне туннельный эффект проявляется как пробой диода. Тепловой пробой — это пробой, развитие которого обусловлено выделением в выпрямляющем электрическом переходе тепла вследствие прохождения тока через переход. При подаче обратного напряжения практически всё оно падает на p—n-переходе, через который идёт, хотя и небольшой, обратный ток. Выделяющаяся мощность вызывает разогрев p—n-перехода и прилегающих к нему областей полупроводника. При недостаточном теплоотводе эта мощность вызывает дальнейшее увеличение тока, что приводит к пробою. Тепловой пробой, в отличие от предыдущих, необратим.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
Suse Ну вот кто хотел, тот понял надо было просто читать, а не стараться выпендрется. Демогоги и не хотели понять, а я это знаааал, правдо план сработал не так, как я хотел бы, но всё равно я не обламался и получил удовольствие от беседы
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
Да чо вы на транзисторах зациклились, там целаю куча причин. Фиговая керамика, фиговые фильтры...... которые струдом вывозят при родных частотах, не говоря уже при разгоне....ужас, но и конечно полупроводнки, главные виновники торжества Про китайское качество все знают Наивно думать, что китайские инженеры всё по уму зделали, халатно и не качественно. GF6800 это вообще какой-то гон, ну да хорошо работает мощно, а подыхает очень часто.....потомучто не расчитана на надёжность, в целях уменьшения затрат и элементная база фуфловая... Китаёзы всё через ж делают....за ними доробатывать нужно, хотя это и веселит Иногда они не допаивают элементы призванные повышать надёжность, и при разгоне нагрузка прикладывается только на один элемент, который кочегарит , а допаяли бы второй оба работали бы в нормальной обстановке, даже при разгоне...вольтмоде
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.07.2004 Откуда: РФ Фото: 6
интересно то, что большая часть ответов ответом на заданный вопрос не является. это попросту домыслы на тему. сильно напоминает мне, как я гулял по москве и спрашивал "направление туда-то". а мне зачем-то начинали втирать, на какой автобус мне надо сесть... бараны... впрочем, бывает, я сам таким грешу...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.05.2005 Откуда: Chelyabinsk
Мы тут говорили про основы основ чтоб было представление о Чём мы говорми за чем мы тут собрались )))))))
Так как транзистор яв-ся основой основ вот по этому и сконцентрировали на этом Элементе особое внимание
targitaj вообще то есть повод для домыслов так мы не яв-ся конструкторами комплектующих ПЭВМ
Но почти все посты опираються на техническую строну вопроса):D
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.05.2005 Откуда: Chelyabinsk
я думал ,что домыслы высказывают на Флайме и так далее
тут рассуждают люди которые опираються :
а)на знания
б)здравый смысл
в)техническую литературу
так как я думаю по пункту в) что всё в голове не удержишь))
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 22
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения