Да, я не русский. Только какое значение имеет моя национальность, если вы сами не владеете русским языком? Я вроде написал по русски все точно! Здесь не нужно перекладывать с больной головы - на здоровую. Проблема в том, что вы не понимаете технического языка, так-как в этой теме вы совершенно ничего не понимаете.
1) Я говорил, что исправный смартфон Galaxy S3 с включенным экраном потребляет ток около 150 mA, а если экран перевести в спящий режим, то потребление тока падает до 8-12 mA - это идет ток потребления радиомодулем для поддержи связи с сетью. Его конечно можно тоже отключить переведя смартфон в режим "полет"..
2) Но главное о чем я говорил, что после частичного пробоя процессора, он сам (процессор) стал потреблять энергии столько же, сколько потреблял ее раньше весь смартфон с включенным экраном!



Экран смартфона до 5-6 дюймов - имеет энергопотребление до 1 Вт, но сама матрица практически не потребляет энергии. Более 90% этой энергии потребляют светодиоды подсветки, которые расположены по периметру экрана и подсвечивают матрицу через специальный фильтр. Само стекло практически не нагревается из-за высокого энергопотребления светодиодами. Но экран хорошо впитывает тепло от распределяющей платформы нагревателя, и после этого происходит выброс большого количества тепла через верхнее стекло. Вы когда нибудь держали мощные смартфоны в руках, или по вашему стекла нагреваются до 60 градусов от подсветки?




Ну это вы только что где-то вычитали, ведь правда? Не нужно меня учить, что такое - шунт! Когда я начинал заниматься электроникой, мне приходилось самостоятельно изготавливать электроизмерительные приборы.



Что значит - "если предположить"? Вы это еще ставите под сомнение? Во все времена ограничительные резисторы использовались для шунтирования цепей входов и выходов как аналоговых, так и цифровых микросхем! Сигналы управления на ключевые триггеры логических элементов всегда подавались через защитные резисторы и диоды, которыми дополнительно управлялись делителями напряжений, а дополнительные резисторы и конденсаторы использовались для защиты и заземлялись на источники подачи энергии. При передаче иных сигналов, в этих цепях применялись конденсаторы, которые сами по себе и выполняли роль защиты от перегрузок.. И не путайте низкоомные шунты с высокоомным шунтированием. Зарубите себе это!



Спасибо за совет, в нашей лаборатории на работе ими все завалено..



У вас возникли проблемы с подбором расчетного фильтра конденсатора подавления частот при проектировании акустической системы? Может вам выслать формулы расчетов всех этих параметров, или может прислать сразу готовые схемы с подписями используемых комплектующих? Не думаю, что вы понимаете о чем пишите! Просто вам, как и ShadowTM уж очень хочется здесь поумничать. Он тоже пробежится по сайтам, прочитает какую-нибудь умную вещь и постит ее здесь, а сам даже не ведает о чем она и с чем ее едят..



Да вы что, а я и не знал. Уверен, что и это вы только что где-то вычитали. Транзистор - это полупроводниковый прибор (усилитель).. Его статический коэффициент по передачи току и определяет его КПД - быстродействием его генерации! Иными словами от его быстродействия - зависит КПД именно самого транзистора, а не той схемы в которой он установлен! Схема включения транзистора вам ничего не даст, если вы установите в мощной цепи по усилению тока транзистор с коэффициентом 15-20-30 hFE. Такой транзистор будет потреблять много энергии и отдаст в нагрузку меньше половины входной энергии, а другая половина энергии сгорит в виде сильного нагрева на корпусе транзистора. Именно так эта энергия бесполезно сгорает в корпусах интегральных микросхем. Я вам уже писал, что при производстве микросхем очень сложно контролировать на кристалле высокий hFE! Производители этим параметром пренебрегают, от этого микросхемы и кипят.. Когда вы это наконец поймете? Я же вам доказательство привел. Откройте любой старый советский транзисторный телевизор, в нем на каждой плате есть силовые высоковольтные элементы выполненные на транзисторах. Сравните их температуру с более современными телевизорами, где вместо этих транзисторов воткнули одну микросхему...



Каким еще браком? Какой еще стабильностью, какими еще петлями.. Уже прошли те времена, когда усилители изготавливались из сотен деталей и они возбуждались из-за своей обратной связи.. Современные мощные микросхемы усилители звуковых частот - работают стабильно, а в их схеме включения - практически нет никаких деталей! Все перегрузки по замыканиям, по току нагрузки, по коэффициенту усиления, по внутренним выравниванием частотных и других искажений, - микросхема выполняет сама! Я работаю с импортными микросхемами больше 20 лет, и еще не сталкивался с браком.. У меня за месяц десятки телевизоров на ремонте бывают. Во всех моделях переведенных на микросхемы в силовых узлах, наблюдается высокий нагрев, они больше расходуют энергию, они менее надежны в работе.. Когда приносят импортный телевизор на ремонт, у них всегда проблемы с греющимися микросхемами. А когда раньше приносили советские аппараты на ремонт, у них никогда не летели высоковольтные транзисторы, блоки кадровых разверток, строчных разверток. У них обычно выходили из строя конденсаторы и другая мелочевка..



Я пишу о том, что внешний транзистор в любых силовых схемах всегда качественнее, надежней, выносливее, он имеет более высокий КПД - относительно своих микросхемных аналогов, которые имеют очень низкий КПД за счет своего сильного нагрева! Я подчеркиваю, - в силовых схемах! Когда речь идет о маломощных блоках, их конечно лучше делать на одном кристалле. Любой электронный прибор имеет свой КПД. Вы спросите почему КПД меряют по-транзистору, микросхеме и т.д? Ответ прост: на каком элементе есть большие потери, этот элемент и имеет низкий КПД! Конечно, для конечного потребителя КПД - это общее энергопотребление всего устройства. Но если вы хотите знать слабые места отдельных внутренностей своего устройства, то правильно считать нужно по-моему. А весь остальной вычитанный вами бред с форумов и других источников - забудьте!