Транзисторы GaN, как мы можем видеть в БП ADATA FUSION, ввиду своей высокой эффективности не требуют массивных радиаторов, место высвобождается вокруг них. Далее, новейшие планарные трансформаторы при той же мощности занимают вчетверо меньше места, что также ведет к снижению плотности размещения деталей. Таким образом, охлаждение компонентов улучшается по причине облегчения естественной конвекции нагретого ими воздуха, и также улучшает обдув воздухом, нагнетаемым вентилятором. Эти меры способствуют повышению эффективности охлаждения.
ЗЫ.
Между прочим, транзисторы GaN было бы желательно применить в подсистеме питания ВК вместо текущих MOSFET, что обещает получить общую большую надежность ВК, улучшение температурных режимов ВК, и более тихую работу системы охлаждения. На сегодня именно подсистема питания ВК, как показывают утилиты, является самым горячим местом на платах ВК, и эта проблема настоятельно требует своего разрешения.