Приятель сказал, что вроде где-то вычитал о многослойности, которая уже во всю применяется в продукции этих компаний, я же никогда не натыкался на подобное, да и вроде как только Larrabee получает линки для второго слоя транзисторов, но не сам слой, а технология только обкатывается "учеными".
_________________ "Если я что-нибудь в чем-нибудь понимаю, то дыра - ... это подходящая компания!" Винни Пух i7-4770k/32GB/ZX87-OC/240GB SSD/10TB HDD/4x 280X
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.11.2007 Откуда: Крым, Земля! Фото: 4
Phobos Смотря что вы понимаете под многослойность! если "логических"(слой из логических элементов) слоёв - то однослойные, а вот если технологических - на атлонах К7 и пнях 4 технологических слоёв было 9 штук(9 уровней дорожек). На данный момент даже и не встречал упомнинания для современных ядер(скорее всего число слоёв выросло до 15-20).
_________________ Хочешь сделать людям хорошо — сделай плохо, а потом верни, как было. Hi Jack - Hi! Hijack - Hi! Broni всех стран объединяйтесь!
Megagad Нет, не слоев PCB процессора, а именно слоев транзисторов в кристалле.
В принципе как я и думал.
_________________ "Если я что-нибудь в чем-нибудь понимаю, то дыра - ... это подходящая компания!" Винни Пух i7-4770k/32GB/ZX87-OC/240GB SSD/10TB HDD/4x 280X
На случай если ты не шутишь - этот кремний служит и подложкой, и теплоотводом.
_________________ "Если я что-нибудь в чем-нибудь понимаю, то дыра - ... это подходящая компания!" Винни Пух i7-4770k/32GB/ZX87-OC/240GB SSD/10TB HDD/4x 280X
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.06.2008 Откуда: Kyiv, UA
Headman писал(а):
конечно многослойные. один сло транзисторов вон имел бы ваше малую высоту. а тут кристал почти 1мм высота.
1мм. это вроде как кремниевая пластина, а не множество слоев транзисторов. Вообще создавать что-то подобное вряд ли в промышленном масштабе возможно. Для того, что б создать рабочий кристалл нужно иметь максимально однородную кремниевую подложку, малейший дефект приведет к сильным изменением ее свойств и как следствие неработоспособности участка кристалла и кристалла в целом. Далее уже наносятся эпитаксиальные пленки, вводятся донорные( акцепторные) примеси и т.д. . Но все транзисторы формируются у поверхности этой подложки. Вырастить же на подобном слое новую подложку с необходимой однородностью невозможно. Тот же IBM, ИМХО собирался просто объединять несколько таких слоев со сформированными транзисторами.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 28
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения