Диэлектрический пробой подзатворного диоксида кремния - бич современных транзисторов. Поскольку подзатворный диэлектрик сейчас предельно тонок (1,4 нм или шесть атомарных слоев в последних процессорах AMD; у Intel еще тоньше - 1,2 нм), то его изолирующие свойства со временем ухудшаются. Особенно под действием достаточно высокого напряжения (около 1,4 В у современных настольных микропроцессоров8) и повышенной температуры (нагрев процессора в работе). Физические механизмы зависящего от времени диэлектрического пробоя подзатворного диэлектрика весьма сложны и неоднозначны, поэтому тут используют комплексную эмпирику. Время жизни процессоров "по диэлектрику" определяют при помощи трех параметров экстраполяции - делаются стресс-тесты при повышенном напряжении (2,0-2,9 В), при повышенной температуре и на транзисторах большей площади. Полученные результаты экстраполируются на реальные размеры и условия работы транзисторов (например, температуру 90 градусов и напряжение 1,4 В) и по спецификациям допустимого тока утечки вычисляется среднее время жизни. По словам одного из сотрудников лаборатории AMD, для процессоров Opteron последнего поколения (90 нм) среднее время жизни оценивается (по этой характеристике) примерно в три года, но такое, казалось бы, малое время оправдывается требованиями нынешних пользователей - им, дескать, уже не нужны процессоры, живущие десять лет, поскольку апгрейд, как правило, требует их замены чаще.

то вообще тогда ПЕнь должен умереть на второй год жизни...

Жаль, что ты не можешь доказать или хотя бы аргументировать свое мнение.

Диэлектрический пробой подзатворного диоксида кремния - бич современных транзисторов. Поскольку подзатворный диэлектрик сейчас предельно тонок (1,4 нм или шесть атомарных слоев в последних процессорах AMD; у Intel еще тоньше - 1,2 нм), то его изолирующие свойства со временем ухудшаются. Особенно под действием достаточно высокого напряжения