односторонние модули с чипами UCCC стабильно работают на 270МГц
http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=1654687#1654687

Ура!

В начале этой темы(1стр.) я расказывал про планки ТССС, которые в сингл-моде, заработали у меня как ДДР600, 3-5-5-6 2Т. Подчёркиваю, сингл-мод! Стояла только 1 планка!


Сегодня я смог улучшить тот рекорд!

На мат.плате ASUS A8N-SLi Premium я смог запустить обе планки в режиме

DDR600 3-5-4-10 2T на 3В в dual-channel! Круто!

http://images.people.overclockers.ru/38830.jpg

http://images.people.overclockers.ru/38829.jpg

====
Странно конечно, но если я в БИОС ставлю 320Мгц, то плата всё равно пускается на 300. Глюк?

"Фирменный" баг 1008 БИОСа.

http://people.overclockers.ru/Diamond/record1
Люди вот он пишет, что на самсунге он :
Наглядно то, что при понижении задержек производительность растёт, а так же что при активировании режима PM производительность растёт стремительно. Примечательно, что память Samsung ведёт себя достаточно уверенно, ещё на высоких задержках. К сожалению не вся память Samsung TCCC в режиме Turbo стабильна, можно быть более уверенным в памяти произведённой недавно, в 2005 году (на маркировках 5xx), а так же память на чипах UCCC, подробнее в теме Обсуждение оперативной памяти на чипах Samsung (НЕ TCCD). К сожалению, эта память обычно как DDR400 категорически не держит задержки ниже 2.5-3-3-5, но по каким-то причинам её производительность в Turbo режиме более чем удовлетворительная. Интересно, какова была бы производительность этой памяти на ещё более низких задержках. Потому как результат 3127 Мб/с, при максимально теоретических 3200 впечатляет. Эффективность в этом случае = 97.7%. Не скрою, что это меня очень заинтересовало и я подгонял настройки под "лучшие для чтения", мне удалось добиться ~ 3134.

----------------------------
У меня односторонняя M368L6523BTM-TCCC(самсунг 400 3200, 512 мег.), тайминги 2,5-3-3-7, шина 220, 2 режима pm и mam задействованы, платка p4p800 так вот мой резалт на ней 3340Мб/с, так что получается что результат весьма неплох?
Планке уже 1,5 года, на этой частоте абсолютно стабильна.

Наконец то появилось немного времени посидеть на сайте
Начнем с того, что из Ультры вместо вышеобсуждаемого Transcend привезли Transcend вполне обычной компоновки, на Samsung UCCC что, конечно, огорчило( хотелось поюзать тот необычный девайс)
В принципе, сабж серьезно не тестил, как всегда не хватает времени, но на 3-4-4-8 2Т работает абсолютно стабильно как DDR 520 (1,3,5 мраки,PCMark 02 , sadomazo, Sandra, Doom3, Gothic 2, Farcry и Герои 3 )
Думаю неплохо
Также пробовал на более низкой частоте-DDR 440 поиграть таймингами и command rate и
1-при изменении средних двух множителей с3 на 4 и наоборот прироста по синтетике
практически нет( около 2-3 процента)
2-а вот при изменении CR с 2 на 1 прирост составляет уже около 10-12 процентов!
Кстати, чем больше разгон CPU и памяти, тем меньше скорость винта -почему???
И еще, можно добавить несколько сотен баксов и купить какие-нибудь супербрендовые гиговые модули и получить еще несколько процентов прироста, но лучше вложить их в CPU или видео ИМХО

TCCC 2003 48 неделя 240mhz при таймингах 3.3.3.7 2.8v 2t

Продолжил тестирование своей пары гиговых модулей UCCC 34 недели.тестирование проходит на маме EPOX 9NPA+ в двуканальном режиме.Память вставлялась в 3 и 4 слоты.Результаты гарантированно стабильны-садомазо в режиме "долго",супер пи 32млн,10 прогонов 3дмарк 05,прайм в режиме бленд на ночь.
при 2.6в 1-8-3-3-3 на 240,1-8-4-4-3 на 248.
при 2.7в 1-8-3-3-3 на 250,1-8-4-4-3 на 265.
при 2.8в 1-8-4-4-3 на 272-при этм режиме греется просто ужасно.не рискну постоянно пользовать даже при принудительном охлаждении.
по-моему мне жутко повезло с памятью.три года старательно избегал самсунга-были причины-и тут такое везение.
повторю-на чипах 31 неделя 2005,на стикере дата упаковки-34 неделя 2005.пара бралась на удачу.

rk-75 имхо вариант 3-3-3-8-1 на 250 - самый лучший

NightXRay
самое интересное,что при переходе с 1-8-3-3-3,на 1-8-4-4-3 по показаниям эвереста снижение скорости меньше,чем были у меня на паре 512мб модулях памяти KingMax ddr500 на чипах hunix d5 при подобном же переходе.

Что это? Глюк или брак?
#77
Поле module size
на самом деле модуль Samsung original 512 Mb UCCC.
Второй модуль показывает нормально.

angru
думаю глюк.а дату производства самсунг по-моему не только у тебя из будущего.у меня-52 неделя 2005 по показаниям cpu-z

Мне нравится объем! 64 гига.
Максимум что получилось выжать 2,5-3-3-6 при 200Мгц

angru
поменяй модули в слотах местами.посмотри на показания cpu-z.в полное отсутствие разгон UCCC 2005 года не верится что-то.может что другое держит?

Я не гнал дальше, мне были интересны минимальные тайминги на 200Мгц

angru
да и еще.UCCC как я понял CL-2.5 не любят.ставь 3

rk-75 самсунги сами по себе очень быстрые.

То есть?

Irrealis т.е. в неразогнаном варианте они сами по себе обходят те же хуникс в тестах (при одинаковых таймингах). Статью кто то выкладывал на личных страницах, сейчас просто не вспомню кто.

Народ, посоветуйте в каком режиме лучше юзать память Patriot PSD5124003 (DDR400) чипы как раз Samsung K4H560838-TCCC.

1) 2,5-3-3-5-1T 210Mhz
2) 3-4-4-7-1T 245Mhz

Проц A64 3000 Venice (2700Mhz)
Мать MSI K8N Neo4-F

P.S В SisoftSandra предпочтителен второй вариант, так ведь это синтетический тест, а в 3dmark'e я разницы не увидел. Плюс для атлонов лучше вроде когда маленькие
тайминги?

Zloy_Volshebnik
послдний режим более предпочтителен.посмотри просто результаты цпу теста в 03\05 марках и сам убедишься.только частота цпу должна быть естественно одинаковой в обоих случаях