Объясните пожалуйста почему у товарища alexander_nur стоит 7,8 нс а у меня 15,6. Смена на 7,8 присодит к снижению производительности.

Эти тайминги выставляет мама, в СПД, ИМХО, их нет. Производительность в разных режимах надо тестировать непосредственно для каждой связки проц-мама-память, результаты могут быть самыми разными (по своему опыту настройки подтаймингов на А64)

Все теперь нормально работает при 2,5-3-3-7-1Т, 7,8 нс,225Mhz.
Добавлено спустя 27 минут, 45 секунд
Да и изменение напряжения на 0,2В (макс. на матери) ничего не дает, 230 не покоряеться.

может в этом дело?

Народ следующие вещи у меня творятся. Нужно разумное объяснение.
Значит избавился я от сабжа на 512 мб (уж очень он выбивался из общего строя в Гб). Но не в этом суть. Память заводится на ДДР 333, стал доступен параметр 1Т (с тремя модулями 2Т). Не долго думая оставил делитель памяти как есть, соответственно с разгоном по шине заработала как ДДР 400 (чуть больше и система не грузится).
Это предыстория, а теперь финал.
Запустил СиМ 1.8.1 проверку памяти, в первом же тесте на 25 процентах-проверка не пройдена (при этом виндовс ругнулся на конец виртуальной памяти), что бы я не делал на 400 память заваливает тест СиМ. Пришлось скинуть память до 366-первый тест железно пройден.
В чём тут дело?

XAM А в номинале на DDR400 нормально тесты проходит?

Каждый отдельный модуль отлично работает на номинале. Точнее сразу заводится на ДДР400. Тесты идут нормально.

Посоветуйте минимальные тайминги для памяти работающей на 366, мои сейчас стоят как 2.5-3-3-7-1Т. Стоит ли заморачиваться с тестированием и выставлять тайминги как 2.5-2-2-5-1Т? (тестирование могу проводить только вечером после работы, а сами наверно знаете как долго 2гб тест проходят).

XAM Попробуй 2-3-3-10-1Т точно должно пойти.

А это хорошо что 2-3-3-10? Я имею в виду 10?

XAM
этот тайминг особенный, его надо тестить в каждом отдельном случае. У меня с Самсунгом УССС макс скорость была при 8, с Хиниксом сейчас при 5

2k
Давай ка по подробнее! И если можно то применительно к моей ситуации (ДДР333@366). Опять же вопрос 2.5-2-2-5-1Т потянут?

Что подробнее? Тестить надо каждую конкретную связку CPU-RAM-MoBo. Я тут чем помогу?

У меня все CTP-D43, которые стояли (а их было, поверь, было много) тянули 2-3-2-5 до 210@420 2.8v. Но это 939. На 754, как известно, при 2-х планках памяти разгон падает.
- профиль
Почему бы не завести память как CPU/10? Должна потянуть 2.5-3-3-5, хотя

и

всё могут испортить

Первый тест - это так.. 4-й рулит. А так же ПРАЙМ 2004.

2k
Чем поможешь? Сам сказал что кучу памяти перепробовал У меня времени на тестинг не так уж и много, поэтому мне хоть какую нибудь точку отсчета.
То о чём ты и писал и получилось у меня, память как 2/2 не тянется, точнее в играх всё нормально, но вылетает первый же тест . 2/1.83 тоже не хочет работать, завелось всё нормально при 2/166 (тесты без разгона были). Забыл ещё указать что у меня клаухаммер степинг CG.
Путём не хитрых манипуляций сижу с ДДР366 2.5-3-3-7.
Поэтому может на основе личного опыта посоветуешь с чего начать? И наверное напряжение на памяти мне поднимать не придётся?

#77
Напряжение 3.2В. На меньшем - нестабильно. Вопросы по напряжению есть ещё?



Это что?
Получается
1
1.09289617
83
Как это относится к разгону сабжа?

2/2-ДДР400, 2/1.83-ДДРХЗ, 2/1.66-ДДР333. Это у меня такие делители по памяти.

2k
У тебя она хоть охлаждается? 3,2В - это уже опасно для памяти.

На моей GA K8NSC точно такая же система (которую все проги отказываються понимать).
x/y где
-x чатстота шины.
-y частота памяти.


А Comand Rate 1T или 2T? Щас попробуем.

Мономах
http://people.overclockers.ru/2k/record5
только вентиль стоит на 120@5v. Память чуть тёплая. Для сравнения на Самсунге было сложно палец удержать даже при 2.6 (без обдува). При 2.8 приходилось вентиль переключать на 12v.
Добавлено спустя 3 минуты, 51 секунду

2T принципиально не использую