-None- для TCCD обычно хватает только обдува. Наприер G.Skill, вообще продает такие модули без радиаторов.

Shurik Dribenetc Потому что хочу этот обдув реализовать по-людски - сделать в цельнометаллической боковине прорезь под плекс, а в этом плексе в свою очередь - пару отверстий под 2 120мм 1Куевых вентиля. Один - для ТССД, второй - для памяти видюхи... НО не могу нигде пока что найти мастака, кот. ты был способен это сделать БЕЗ последующей перекраски боковины. А это ИМХО реализуемо на ура - если бы у меня бы гараж сс инструментами давно бы сам сделал. Суть - прорезь по нужном контуру с последующим удалением заусениц и прочих неровностей тем же точильным камнем... Как результат должна получиться красивая боковина с некрашенной кромкой, кот. перпендикулярна плоскости боковины... А это уже сущая мелочь... Вот как найду - так и сделаю...

NightXRay На XS народ вроде говорил, что подобное имеет место (тот же kakaroto вчера писал это, но подчеркнул что результат от прожига кудаааа меньший нежели от прожига ВН5 (ну кто ж сомневался бы ).

Shurik Dribenetc Деградия ИМХО возможно из-за игры с повышенным напрягом, а у меня он = 2.69В...

-None- Респект! Родные СО памяти - кал полный!

Кстати вчера ГМ 6.64 прошел на ура, хотя для моих модулей она является самым сильным нагревателем, а вот в МТ 1.65 на 8ом тесте выпала едичиная ошибка Address Failed... Мать ее... Возможно изменение напряга исправит сей недочет...

Ан-124 Хотелось бы узнать, какую скорость чипов Самсунг подразумевает под последними цифрами CD? Например у него СС - 400 Мгц (3-3-3), В3 - 333 (2,5-3-3)... Кстати вольтаж по описалову 2.5±0,2V

Lerou Меня тоже это интересует но я на сайте гнусмаса не могу найти по ней инфу.
Точнее вроде 2.6±0.1V...

Ан-124 В дата шит (пдф) 2.5±0,2V. По поводу обозначения скорости - у них какая то хитрая система счисления

Всем привет
ну вот, мой энтузиазизм и вышел весь...
Снятие радиаторов позволило поставить на память 2.8v по БИОСу
(реальных 2.88±0.03v, раньше память на таком напряге очень быстро перегревалась),
только с таким напряжением память пашет на 266МГц 2.5-3-3-6, выше - сразу ошибки.
изменение основных таймингов в сторону увеличения не влияет на стабильность, а
изменение дополнительных (tREF, MAL, RP) вместо Auto - ведёт к нестабильности...

Предварительно тестирую memtest'ом (86+), и он ведёт себя очень странно: например
первый проход 5-го теста даёт сотни(!) ошибок, а затем больше 10 циклов ни одной..,
тоже самое в 8-ом. Ещё странно, что ошибки либо в 5-ом, либо в 8-ом - вместе редко.
На 2.5v память даже не стартует ....

Радиатор на чипсете заменён на залман, память в упор обдувается 120мм вентилятором
на 5v и в нагрузке точно не перегревается (постоянно проверяю).

Народ, поделитесь таймингами (tREF, MAL, RP) и мыслями... у меня варианты кончились...

-None- Держи, возможно поможет...

Держу!!! Спасибо, буду изучать на досуге... О достигнутых результатах отпишусь

Ан-124 Спасибо за ссылку Я попробовал по ихнему совету (единственное отличие - у меня 2.5-4-4-8, 2.8В) выставить тайминги, память заработала стабильно (пока холодная, когда нагревается то возникает несколько ошибок, память без обдува) на 305 (может и выше сможет, надо ставить активно охлаждение).

Давайте размещать свои оптимальные (стабильные) настройки таймингов памяти, поможет всем – даже хотя бы для сравнения, вот, к примеру мои:

Частота памяти (PATRIOT PC3200 +XBLK) 241 МГц
CAS Latency (CL) 2T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 6T
Row Cycle Time (tRC) 7T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 13T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 0T
Write Recovery Time (tWR) 2T
Read To Write Delay (tRTW) 1T
Write To Read Delay (tWTR) 1T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 200 MHz 15.6 us
DQS Skew Control Запрещено
DRAM Drive Strength Weak
DRAM Data Drive Strength 1 (50% Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 5.0 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Разрешено
Read/Write Queue Bypass 16
Bypass Max 7
32-byte Granularity Разрешено

Тест EVEREST Ultimate Edition 2006 ver. 2.50.480
чтение из памяти 6650
запись в память 2856
задержка памяти 39,6

nfsee попробуй завести на 300 мгц с 2.5-4-4-8, остальные тайминги смотри по ссылке выше. Пропускная способность должна быть выше (у меня по сандре 7600/7500)

-None- Будь здоров! Пешы исчо!

Keks2K Тебе ОЧЕНЬ повезло с памятью , ЕСЛИ она у тя пройдет на этой частоте/напряге/таймингах БЕЗ ошибок:
1) Goldmemory 6.64 с длительностью NORMAL;
2) Memtest 1.65 с длительностью 5 полных проходов ВСЕХ 8ми тестов + по 20 проходов 5ого и 8ого тестов отдельно;
3) S&M 1.8.0 с длительностью ДОЛГО и тест проца и тест памяти (все возможные тесты оных групп);
4) Prime95 (SP2004) с длительностью часов ХОТЯ БЫ 12, а лучше сутки для пущей уверенности;
5) SuperPI 32M;
6) Unreal Tournament с 32 ботами на несколько часов;
7) 01, 03, 05, 06 марки на 10 проходов.
Вот если это все пройдет успешно - только тогда ИМХО можно заводить речь о ПОЛНОЙ стабильности! На моей бывшей машине всегда так и было! Даже марки гонял на 100!!! проходов!

nfsee Поддерживаю... ИМХО не помешает...
Вот мои:
Частота памяти (Corsair XLPRO 2x512MB DDR560) 280МГц
CAS Latency (CL) - 2.5
RAS To CAS Delay (tRCD) - 3
RAS Precharge (tRP) - 3
RAS Active Time (tRAS) - 6
Row Cycle Time (tRC) - 9
Row Refresh Cycle Time (tRFC) - 12
Command Rate (CR) - 1
RAS To RAS Delay (tRRD) - 2
Write Recovery Time (tWR) - 2
Read To Write Delay (tRTW) - 1
Write To Read Delay (tWTR) - 3
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) - (3072) 200MHz 3.9ns
DQS Skew Mode - Auto
DQS Skew - 0
DRAM Drive Strength - Level 7
DRAM Data Drive Strength - Level 2
Max Async Latency - 9ns
Read Preamble Time - 5.0ns
Idle Cycle Limit - 16
Dynamic Idle Cycle Counter - Enabled
Read/Write Queue Bypass - 16x
Bypass Max - 7x
32-byte Granularity - Disabled

EVEREST Ultimate Edition 2006 v.2.61.529 (Если можно, то последняя версия будет более актуальной):
Чтение из памяти - 8800
Запись в память - 7500
Копирование в памяти - 7600
Задержка памяти - 38ns

Sandra 2005 Pro SP3 - 7500/7400

Результатами ОЧЕНЬ недоволен - больно хочу DDR600...

Частота памяти (Patriot PC3200 XBLK) 305 МГц
CAS Latency (CL) - 2.5
RAS To CAS Delay (tRCD) - 4
RAS Precharge (tRP) - 4
RAS Active Time (tRAS) - 8
Row Cycle Time (tRC) - 7
Row Refresh Cycle Time (tRFC) - 14
Command Rate (CR) - 1
RAS To RAS Delay (tRRD) - 2
Write Recovery Time (tWR) - 2
Read To Write Delay (tRTW) - 3
Write To Read Delay (tWTR) - 2
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) - (3120) 200MHz 15.6us
DQS Skew Mode - Off (auto)
DQS Skew - 0
DRAM Drive Strength - Level 8
DRAM Data Drive Strength - Level 3
Max Async Latency - 9ns
Read Preamble Time - 7.0ns
Idle Cycle Limit - 256
Dynamic Idle Cycle Counter - Disabled
Read/Write Queue Bypass - 16x
Bypass Max - 7x
32-byte Granularity - Disabled


VDDR - 2.8v

Sanra 7613/7530

хм ..что то мало?

С радостью бы, но только 2.5 (меняя остальные тайминги) выставляю как начинают сыпаться ошибки. Раньше с 2.5-4-4-8 на других материнках (MSI, Epox) до 295 стабильно работало. Хотя и проц менял, может из-за его контроллера.

Keks2K

Можешь попробовать с моими значениями? Если не сложно...

v1rus_EY Т.е.? Д.б. больше?

nfsee Вполне! И kakaroto об этом писал!

Keks2K и Ан-124

У меня временно сейчас DFI SLI-DR Expert и San Diego 4000 (работающий на 2850).
С вашими настройками таймингов памяти в тестах вылетают ошибки.
По ходу что-то с памятью. Но странно, что на других материнках (MSI, Epox) с 2-3-3-6 стартовать вообще не желали.
На DFI SLI-DR Expert стабильность достигается с 245 МГц (тайминги такие же).

Ан-124 могу, только завтра, сегодня на работе до поздна

nfsee Значит либо не фарт, либо с настройками поиграйся...

Keks2K Не вопрос, жду...
Добавлено спустя 7 часов, 28 минут, 57 секунд
Вроде бы и я нашел весьма стабильные настройки (тест памяти S&M - НОРМА - ОК, ГМ - QUICK - ОК, МТ - 3 полных прохода + 31 проход теста №8 - ОК):
#77
Частота - 600МГц. Тайминги (пока) - 3.0-4-4-8.
Напряг питания памяти = 2.69В по БИОСу и 2.65В - по Smartguardian.
По субъективному впечатлению СИЛЬНО по стабильный результат повлияло включение 32 Byte Granularity.
Итоги: Everest - 8900/7800/7600/39.5ns, Sandra - 7500/7400.
Чуть не забыл - использован 120мм вентиль запитанный 12В для обдува!

На твоих значениях, которые ты мне сказал, на частоте 300 в садомазо в 3м тесте возникает одна ошибка. На моих значениях (частота 305) тоже возникает несколько ошибок, после того как память нагреется (она без обдува) и только в 3м тесте. Игры пока еще ни разу не вылетали/зависали.