Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.07.2003 Откуда: Новосибирск
Плата asus a7v266\1333\256 ddr samsung
Тайминги:
Sdram Configuration - by spd
Sdram cas latency - ddr:2.5;sdr:3
Sdram ras precharge time - 3t
Sdram Ras to cas delay - 3T
Sdram Active to Prechrce time – 6T
Bank Interleave – auto
Dram 4k/8k page enable – auto
DDR_1T/2T_item – 2T CMD
Read around wright –Enable
Delayed Transaction – disabled
PCI to Dram Prefect – always
Memoty Hole at 15-16m - disabled
Подскажите,так оставить или что-нибудь поменять можно для увеличения производительности :?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.06.2003 Откуда: Haifa
neo Sdram cas latency - ddr:2.5;sdr:3=2.5
Sdram ras precharge time - 3t =2t
Sdram Ras to cas delay - 3T =2t
Bank Interleave – auto =4
DDR_1T/2T_item – 2T CMD =1CMD
Read around wright –Enable
Delayed Transaction – disabled enabled=проверь, как лучше, по идее все равно, но по-моему, лучше задержка
Далее не знаю. Проверь, если не сможет тянуть такие тяжелые тайминги,DDR_1T/2T_item – 2T CMD верни на 2Т
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 3
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения