Часовой пояс: UTC + 3 часа




Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 104 • Страница 1 из 61  2  3  4  5  6  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
 

Advanced member
Статус: Не в сети
Регистрация: 12.09.2004
Откуда: Ростов-на-Дону
В связи с постоянно возникающими вопросами по выбору памяти в теме FAQ по DFI LanParty nF4 Ultra/SLI (на первой странице), было решено вынести обсуждение совместимости различных видов памяти с данной мат.платой в отдельную тему.


В первую очередь интересует проблема совместимости с очень распространенной памятью на чипах Hynix-D43. Просьба всех у кого работает такой дуэт выкладывать полные тайминги памяти (например из Эверест), маркировку и напряжение, дабы можно было попытаться составить статистику и выявить хоть какую-то закономерность.
Пример хорошей работы и разгона памяти Hunix-D43 при напряжении 2.9v, взятый из Эвереста.
Код:
Тайминги памяти
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 7T
Row Cycle Time (tRC) 7T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 17T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 2T
Read To Write Delay (tRTW) 3T
Write To Read Delay (tWTR) 2T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 200 MHz 15.6 us
DQS Skew Control Запрещено
DRAM Drive Strength Weak
DRAM Data Drive Strength 1 (50% Reduction)
Max Async Latency 9 ns
Read Preamble Time 7.0 ns
Idle Cycle Limit 256
Dynamic Idle Cycle Counter Запрещено
Read/Write Queue Bypass 16
Bypass Max 7
32-byte Granularity Запрещено

Свойства системной платы
ID системной платы 06/23/2005-NF-CK804-6A61FD49C-00
Системная плата DFI nF4 Series

Свойства шины FSB
Тип шины AMD Hammer
Реальная частота 270 МГц
Эффективная частота 270 МГц
Частота HyperTransport 1080 МГц

Свойства шины памяти
Тип шины Dual DDR SDRAM
Ширина шины 128 бит
Соотношение DRAM:FSB CPU/10
Реальная частота 270 МГц (DDR)
Эффективная частота 540 МГц
Пропускная способность 8642 Мб/с



Партнер
 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.02.2006
Откуда: Россия
Вот чего добился я при напруге 3V:

Код:
Hyundai HYMD264 646B8R-D43
 Контроллер памяти: 
   Тип   Dual Channel (128 бит) 
   Активный режим   Dual Channel (128 бит) 
   
  Тайминги памяти: 
   CAS Latency (CL)   2.5T 
   RAS To CAS Delay (tRCD)   4T 
   RAS Precharge (tRP)   3T 
   RAS Active Time (tRAS)   10T 
   Row Cycle Time (tRC)   7T 
   Row Refresh Cycle Time (tRFC)   16T 
   Command Rate (CR)   1T 
   RAS To RAS Delay (tRRD)   2T 
   Write Recovery Time (tWR)   2T 
   Read To Write Delay (tRTW)   3T 
   Write To Read Delay (tWTR)   2T 
   Write CAS Latency (tWCL)   1T 
   Refresh Period (tREF)   200 MHz 15.6 us 
   DQS Skew Control   Запрещено 
   DRAM Drive Strength   Weak 
   DRAM Data Drive Strength   1 (50% Reduction) 
   Max Async Latency   8 ns 
   Read Preamble Time   5.5 ns 
   Idle Cycle Limit   256 
   Dynamic Idle Cycle Counter   Запрещено 
   Read/Write Queue Bypass   16 
   Bypass Max   7 
   32-byte Granularity   Запрещено 


Свойства системной платы: 
   ID системной платы   11/14/2005-NF-CK804-6A61FD49C-00 
   Системная плата   DFI nF4 Series 
   
  Свойства шины FSB: 
   Тип шины   AMD Hammer 
   Реальная частота   260 МГц 
   Эффективная частота   260 МГц 
   Частота HyperTransport   1040 МГц 
   
  Свойства шины памяти: 
   Тип шины   Dual DDR SDRAM 
   Ширина шины   128 бит 
   Соотношение DRAM:FSB   CPU/10 
   Реальная частота   260 МГц (DDR) 
   Эффективная частота   520 МГц 
   Пропускная способность   8321 Мб/с


В дальнейшем планирую улучшить этот результат


Последний раз редактировалось CaoX 15.03.2006 15:03, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.09.2005
Откуда: г. Люберцы
Чипы памяти HYMD264 646D8R-D43 PQ с оранжевыми наклейками. Брал как HYNIX Original. Охлаждение - медные радиаторы TITAN.
Напряг 3В, это не предел частоты памяти...
Код:
 Тайминги памяти:
      CAS Latency (CL)                                  2.5T
      RAS To CAS Delay (tRCD)                           3T
      RAS Precharge (tRP)                               3T
      RAS Active Time (tRAS)                            5T
      Row Cycle Time (tRC)                              7T
      Row Refresh Cycle Time (tRFC)                     12T
      Command Rate (CR)                                 1T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           2T
      Write Recovery Time (tWR)                         2T
      Read To Write Delay (tRTW)                        2T
      Write To Read Delay (tWTR)                        1T
      Write CAS Latency (tWCL)                          1T
      Refresh Period (tREF)                             166 MHz 1.95 us
      DQS Skew Control                                  Запрещено
      DRAM Drive Strength                               Weak
      DRAM Data Drive Strength                          1  (50% Reduction)
      Max Async Latency                                 8 ns
      Read Preamble Time                                5.5 ns
      Idle Cycle Limit                                  8
      Dynamic Idle Cycle Counter                        Запрещено
      Read/Write Queue Bypass                           16
      Bypass Max                                        7
      32-byte Granularity                               Запрещено

Свойства системной платы:
      ID системной платы                                11/14/2005-NF-CK804-6A61FD49C-00
      Системная плата                                   DFI nF4 Series

    Свойства шины FSB:
      Тип шины                                          AMD Hammer
      Реальная частота                                  307 МГц
      Эффективная частота                               307 МГц
      Частота HyperTransport                            922 МГц

    Свойства шины памяти:
      Тип шины                                          Dual DDR SDRAM
      Ширина шины                                       128 бит
      Соотношение DRAM:FSB                              CPU/11
      Реальная частота                                  251 МГц (DDR)
      Эффективная частота                               503 МГц
      Пропускная способность                            8040 Мб/с

Отредактировано модератором: decadent. Дата: 04.06.2006 23:50

_________________
Overclocking FOREVER!


Последний раз редактировалось Zlobnui 17.03.2006 19:12, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.02.2006
Откуда: Россия
Hyundai HYMD264 646B8R-D43
V=3,1. Охлаждение - обдув
Код:
Тайминги памяти:
      CAS Latency (CL)                                  2.5T
      RAS To CAS Delay (tRCD)                           4T
      RAS Precharge (tRP)                               3T
      RAS Active Time (tRAS)                            10T
      Row Cycle Time (tRC)                              13T
      Row Refresh Cycle Time (tRFC)                     16T
      Command Rate (CR)                                 1T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           2T
      Write Recovery Time (tWR)                         2T
      Read To Write Delay (tRTW)                        3T
      Write To Read Delay (tWTR)                        2T
      Write CAS Latency (tWCL)                          1T
      Refresh Period (tREF)                             200 MHz 15.6 us
      DQS Skew Control                                  Decrease Skew
      DQS Skew Value                                    0
      DRAM Drive Strength                               Weak
      DRAM Data Drive Strength                          1  (50% Reduction)
      Max Async Latency                                 8 ns
      Read Preamble Time                                5.5 ns
      Idle Cycle Limit                                  256
      Dynamic Idle Cycle Counter                        Запрещено
      Read/Write Queue Bypass                           16
      Bypass Max                                        7
      32-byte Granularity                               Запрещено
     
Свойства системной платы:
      ID системной платы                                11/14/2005-NF-CK804-6A61FD49C-00
      Системная плата                                   DFI nF4 Series

    Свойства шины FSB:
      Тип шины                                          AMD Hammer
      Реальная частота                                  275 МГц
      Эффективная частота                               275 МГц
      Частота HyperTransport                            1100 МГц

    Свойства шины памяти:
      Тип шины                                          Dual DDR SDRAM
      Ширина шины                                       128 бит
      Соотношение DRAM:FSB                              CPU/9
      Реальная частота                                  275 МГц (DDR)
      Эффективная частота                               550 МГц
      Пропускная способность                            8803 Мб/с


Сутки работы - полёт нормальный :)
Отредактировано модератором: decadent. Дата: 05.06.2006 0:01


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.09.2005
Откуда: г. Люберцы
Сегодня дошел до частоты 265МГц с теми же таймингами! При 270 и повышении напруги до 3.1 + tRFC = 14 грузит винду, но вылетает из игр с ошибками. Повышать тайминги дальше нет смысла т.к. этот вариант будет заведомо проигрывать варианту с частотой 265МГц...
Чипы памяти HYMD264 646D8R-D43 PQ с оранжевыми наклейками. Брал как HYNIX Original. Охлаждение - медные радиаторы TITAN.
Код:
      Тайминги памяти:
      CAS Latency (CL)                                  2.5T
      RAS To CAS Delay (tRCD)                           3T
      RAS Precharge (tRP)                               3T
      RAS Active Time (tRAS)                            5T
      Row Cycle Time (tRC)                              7T
      Row Refresh Cycle Time (tRFC)                     12T
      Command Rate (CR)                                 1T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           2T
      Write Recovery Time (tWR)                         2T
      Read To Write Delay (tRTW)                        2T
      Write To Read Delay (tWTR)                        1T
      Write CAS Latency (tWCL)                          1T
      Refresh Period (tREF)                             166 MHz 1.95 us
      DQS Skew Control                                  Запрещено
      DRAM Drive Strength                               Weak
      DRAM Data Drive Strength                          1  (50% Reduction)
      Max Async Latency                                 8 ns
      Read Preamble Time                                5.5 ns
      Idle Cycle Limit                                  8
      Dynamic Idle Cycle Counter                        Запрещено
      Read/Write Queue Bypass                           16
      Bypass Max                                        7
      32-byte Granularity                               Запрещено

_________________
Overclocking FOREVER!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.02.2006
Откуда: Россия
Zlobnui
Я щас сижу на 260Мгц с пониженными таймингами. 275МГц мне ничего не дало.
для сравнения, в сандре измерение пр. способности памяти:
275МГц -6200MB/s
260МГц -6800MB/s
Кстати, на память я никаких радиаторов не ставил :)


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.09.2005
Откуда: г. Люберцы
CaoX писал(а):
Я щас сижу на 260Мгц с пониженными таймингами. 275МГц мне ничего не дало.

Я сижу на 251МГц! 265МГц конечно дают прирост, но пониженная частота проца с 2763МГц до 2666МГц всё съедает :( .
Сандрой не пользуюсь вот из EVEREST:
265МГц - 8032 READ, 7614 WRITE, 6712 COPY, 37.6 LATENCY
251МГц - 7670 READ, 7582 WRITE, 6513 COPY, 38.8 LATENCY
Тесты проца естественно дают большой прирост при частоте 2763МГц по сравнению с 2666МГц.
Тесты в их порядке следования:
2763МГц - 2686, 16483, 16906, 1588, 2359, 1455.
2666МГц - 2541, 16148, 16078, 1511, 2247, 1383.
CaoX писал(а):
Кстати, на память я никаких радиаторов не ставил

Радиаторы поставил для красоты, обдува нет. Да и при 3В юзать страшно при рекомендованных 2.6 :oops:
Жаль проц до 2900 не гонится :bandhead: я бы 265МГц на памяти поставил :D

_________________
Overclocking FOREVER!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.02.2004
Откуда: ДВФО
Фото: 6
TwinMos (AA4T) 2x256Mb UTT CH-5
@ 500MHz 3.5V (как говорится rock stable)
охлаждение радиторы + 2*80 обдув

Код:
Тайминги памяти   
CAS Latency (CL)   1.5T
RAS To CAS Delay (tRCD)   2T
RAS Precharge (tRP)   2T
RAS Active Time (tRAS)   5T
Row Cycle Time (tRC)   7T
Row Refresh Cycle Time (tRFC)   16T
Command Rate (CR)   1T
RAS To RAS Delay (tRRD)   2T
Write Recovery Time (tWR)   2T
Read To Write Delay (tRTW)   3T
Write To Read Delay (tWTR)   2T
Write CAS Latency (tWCL)   1T
Refresh Period (tREF)   200 MHz 3.9 us(на самом деле 15.6 us)
DQS Skew Control    Запрещено
DRAM Drive Strength   Weak
DRAM Data Drive Strength   4  (No Reduction)
Max Async Latency   8 ns
Read Preamble Time   6.0 ns
Idle Cycle Limit   16
Dynamic Idle Cycle Counter   Запрещено
Read/Write Queue Bypass   16
Bypass Max   7
32-byte Granularity   Запрещено   
   

Свойства системной платы   
ID системной платы   05/10/2005-NF-CK804-6A61FD49C-00
Системная плата   DFI nF4 Series
   
Свойства шины FSB   
Тип шины   AMD Hammer
Реальная частота   250 МГц
Эффективная частота   250 МГц
Частота HyperTransport   1000 МГц
   
Свойства шины памяти   
Тип шины   Dual DDR SDRAM
Ширина шины   128 бит
Реальная частота   250 МГц (DDR)
Эффективная частота   500 МГц
Пропускная способность   8001 Мб/с


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.10.2003
Откуда: Самара
кто нить выложите результаты для UCCC

_________________
Свет полон горошин, которые издеваются над бобами. - Ф. Ларошфуко


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.02.2006
Откуда: Россия
Max_I'm
Лови :)
Код:
Свойства модуля памяти: 
   Имя модуля   Samsung M3 68L6523CUS-CCC 
   Серийный номер   F214F627h (670438642) 
   Дата выпуска   Неделя 17 / 2006 
   Размер модуля   512 Мб (1 rank, 4 banks) 
   Тип модуля   Unbuffered 
   Тип памяти   DDR SDRAM 
   Скорость памяти   PC3200 (200 МГц) 
   Ширина модуля   64 bit 
   Вольтаж модуля   SSTL 2.5 
   Метод обнаружения ошибок   Нет 
   Частота регенерации   Сокращено (7.8 us), Self-Refresh 
   
  Тайминги памяти: 
   @ 200 МГц   3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) 
   @ 166 МГц   2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) 


Тайминги памяти: 
   CAS Latency (CL)   3T 
   RAS To CAS Delay (tRCD)   4T 
   RAS Precharge (tRP)   4T 
   RAS Active Time (tRAS)   11T 
   Row Cycle Time (tRC)   14T 
   Row Refresh Cycle Time (tRFC)   16T 
   Command Rate (CR)   1T 
   RAS To RAS Delay (tRRD)   2T 
   Write Recovery Time (tWR)   2T 
   Read To Write Delay (tRTW)   2T 
   Write To Read Delay (tWTR)   2T 
   Write CAS Latency (tWCL)   1T 
   Refresh Period (tREF)   200 MHz 15.6 us 
   DQS Skew Control   Запрещено 
   DRAM Drive Strength   Weak 
   DRAM Data Drive Strength   1 (50% Reduction) 
   Max Async Latency   8 ns 
   Read Preamble Time   5.0 ns 
   Idle Cycle Limit   256 
   Dynamic Idle Cycle Counter   Запрещено 
   Read/Write Queue Bypass   16 
   Bypass Max   7 
   32-byte Granularity   Запрещено 




Свойства системной платы: 
   ID системной платы   03/29/2006-NF-CK804-6A61FD49C-00 
   Системная плата   DFI nF4 Series 
   
  Свойства шины FSB: 
   Тип шины   AMD Hammer 
   Реальная частота   271 МГц 
   Эффективная частота   271 МГц 
   Частота HyperTransport   1083 МГц 
   
  Свойства шины памяти: 
   Тип шины   DDR SDRAM 
   Ширина шины   64 бит 
   Соотношение DRAM:FSB   CPU/8 
   Реальная частота   270 МГц (DDR) 
   Эффективная частота   540 МГц 
   Пропускная способность   4323 Мб/с


напряжение - 2,64V. Полная стабильность.

В общем и целом, память гонится лучше чем мой Хуникс, единственное что огорчило
так это нежелание работать с таймингом CAS Latency(CL) ниже 3
Удалось загрузить винду на 300МГц,правда через несколько секунд вылетел с синим экраном
И ещё,по сравнению с Хуниксом,нет зависимости частоты от напряжения - на нём, что бы добиться
такой частоты приходилось больше 3V выставлять.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.10.2003
Откуда: [-=КрасNOдар=-]
Взято из cpu-z, еверест есть, но древний, его че то глючит ... если надо, то могу скачать ...

DDR500 2.9V
СAS#Latency - 2.5
RAS# to CAS# Delay - 4
RAS# Precharge - 3
Tras - 6
Trc-7
DRAM idle Timer-11

_________________
http://www.DolbiTTeam.ru |Установка автозвука, подбор компонентов, настройка и т.д. и т.п.| +7(918)399-6-777, ICQ 271-39-24


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.02.2006
Откуда: Россия
Rapsodi
Огласите пожалуйста весь список :)
Я сейчас ищу дешёвую замену Хуниксу - выбор пока пал на Самсунг UCCC.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.10.2004
Откуда: Украина
OCZ PC3500@PC4000(DDR500) UTT-BH5 2-2-2-5 3.4V.
обдуваеться одним 80.
Код:
Контроллер памяти:
      Тип                                               Dual Channel  (128 бит)
      Активный режим                                    Dual Channel  (128 бит)

    Тайминги памяти:
      CAS Latency (CL)                                  2T
      RAS To CAS Delay (tRCD)                           2T
      RAS Precharge (tRP)                               2T
      RAS Active Time (tRAS)                            5T
      Row Cycle Time (tRC)                              7T
      Row Refresh Cycle Time (tRFC)                     16T
      Command Rate (CR)                                 1T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           2T
      Write Recovery Time (tWR)                         2T
      Read To Write Delay (tRTW)                        3T
      Write To Read Delay (tWTR)                        2T
      Write CAS Latency (tWCL)                          1T
      Refresh Period (tREF)                             200 MHz 15.6 us
      DQS Skew Control                                  Запрещено
      DRAM Drive Strength                               Weak
      DRAM Data Drive Strength                          1  (50% Reduction)
      Max Async Latency                                 9 ns
      Read Preamble Time                                6.0 ns
      Idle Cycle Limit                                  256
      Dynamic Idle Cycle Counter                        Запрещено
      Read/Write Queue Bypass                           16
      Bypass Max                                        7
      32-byte Granularity                               Запрещено

   
    Разъёмы памяти:
      Разъём DRAM #1                                    512 Мб  (PC3500 DDR SDRAM)
      Разъём DRAM #2                                    512 Мб  (PC3500 DDR SDRAM)
 Свойства системной платы:
      ID системной платы                                03/29/2006-NF-CK804-6A61FD49C-00
      Системная плата                                   DFI nF4 Series

    Свойства шины FSB:
      Тип шины                                          AMD Hammer
      Реальная частота                                  300 МГц
      Эффективная частота                               300 МГц
      Частота HyperTransport                            900 МГц

    Свойства шины памяти:
      Тип шины                                          Dual DDR SDRAM
      Ширина шины                                       128 бит
      Соотношение DRAM:FSB                              CPU/12
      Реальная частота                                  250 МГц (DDR)
      Эффективная частота                               500 МГц
      Пропускная способность                            8002 Мб/с
 Свойства модуля памяти:
      Имя модуля                                        OCZ OCZ433512ELGEGX
Скорость памяти                                   PC3500 (217 МГц)
 Тайминги памяти:
      @ 217 МГц                                         2.5-4-4-5  (CL-RCD-RP-RAS)

_________________
можно до бесконечности смотреть на огонь,воду и качающийся варезз!


 

Нужна память 2х1024 Мб для DFI LP UT NF4 Ultra-D. Склоняюсь к Original Samsung, но может есть варианты лучше? Память под разгон. Если есть варианты, то желательно полную маркировку.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 05.09.2004
Откуда: OCClub - MSK
Xidis Смотря сколько денег имеешь, бери Самсунг, у них DDR1 очень быстрые.

_________________
Оверклокер №9 в России... пока что так: http://hwbot.org/community/user/fire_vadim

Моя ПС - http://people.overclockers.ru/Vadya/articleslist


 

C Samsung - понятно, есть ли другие варианты?


 

I'll be back
Статус: Не в сети
Регистрация: 09.02.2005
Откуда: Оттуда
Xidis Читай всю ветку внимательно, а так же FAQ по матери

_________________
ランサーエボリューション


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 08.03.2005
Откуда: взял?!
Для самого стало неожиданностью, однако удалось подружить DFI LP NF4 Ultra-D с двумя гиговыми планками Hynix CTP-D43 (трансценд). Притом с разными делителями (9,10,11) и разгоном до 250 МГц. Поначалу система как положено, либо висла при попытке зайти в биос, либо вовсе не стартовала на дефолтных настроиках. Винду грузить и не пробовал. Но попробовал вынуть одну планку - и - вуаля - до биос таки удалось "достучаться":)
Пока точно не уверен, но похоже на то, что Хиниксу СТР не нравился Tref 3120 (15.6µs 200MHz), выставленный на DFI по умолчанию. После установки "auto" система без проблем заработала уже с 2 планками (ставил в рыжие слоты). Однако, зависания при попытке заити в биос все равно иногда случались. Пока нет времени плотней заняться подбором настроек, но после установки Tref 0064 (7.8µs 200МГц, при делителе ДДР400) удалось наконец победить и их.
Если у кого есть аналогичные проблемы с такой связкой - пробуйте - и по возможности отпишитесь - помогло или нет.

_________________
Настоящее - сегодня :)


Последний раз редактировалось vansergeich 14.05.2006 9:30, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 14.08.2005
Откуда: Воронеж
vansergeich

Цитата:
Для самого стало неожиданностью, однако удалось подружить DFI LP NF4 Ultra-D с двумя гиговыми планками Hynix CTP-D43 (трансценд). Притом с разными делителями (9,10,11) и разгоном до 250 МГц.


А нельзя ли поподробнее про тайминги, на которых были достигнуты столь выдающиеся результаты ? У меня Hynix Original пока может только 2.5-3-3-7 при частоте 233. Мои тайминги, если читать их по порядку словно сверху вниз как в Эвересте, следующие (извините, что не даю картинку, не научился ещё их сюда импортировать):

2.5-3-3-7-7-15-1-2-2-2-1-1-15,6-Disabled-Normal-3 (15% Reduction)-8-5,5-256-Disabled-16-7-Disabled


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 08.03.2005
Откуда: взял?!
WSM 250 это только прохождение мемтеста без ошибок. Стабильно 245 (S&M, игрушки, марки, SPI32M)

Код:
Hynix CTP-D43 (Transcend)
Контроллер памяти:
      Тип                                               Dual Channel  (128 бит)
      Активный режим                                    Dual Channel  (128 бит)

    Тайминги памяти:
      CAS Latency (CL)                                  2.5T
      RAS To CAS Delay (tRCD)                           3T
      RAS Precharge (tRP)                               3T
      RAS Active Time (tRAS)                            5T
      Row Cycle Time (tRC)                              7T
      Row Refresh Cycle Time (tRFC)                     14T
      Command Rate (CR)                                 1T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           2T
      Write Recovery Time (tWR)                         2T
      Read To Write Delay (tRTW)                        2T
      Write To Read Delay (tWTR)                        1T
      Write CAS Latency (tWCL)                          1T
      Refresh Period (tREF)                             200 MHz 7.8 us
      DQS Skew Control                                  Запрещено
      DRAM Drive Strength                               Норма
      DRAM Data Drive Strength                          1  (50% Reduction)
      Max Async Latency                                 8 ns
      Read Preamble Time                                6.0 ns
      Idle Cycle Limit                                  256
      Dynamic Idle Cycle Counter                        Запрещено
      Read/Write Queue Bypass                           16
      Bypass Max                                        7
      32-byte Granularity                               Запрещено

Отредактировано модератором: decadent. Дата: 04.06.2006 23:56

_________________
Настоящее - сегодня :)


Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 104 • Страница 1 из 61  2  3  4  5  6  >
-

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 2


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  



Лаборатория














Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan