Пробовал на днях разогнать память без повышения частоты.
Память - 2 планки DIMM DDR 256Mb (pc-3200) 333Mhz @ Samsung Original.
Повышение напряжение на 2.50В, затем на 2.63В и 2.77В и соответственное изменение таймингов на 2.5-2-2-6 (штатно 2.5-3-3-7) ничего не дали (ХР попросту не грузился).
в чем может быть причина? Или просто Самсунговская плохо гонится?

Roberto

Глянь ко мне в профиль =))

Беру свои слова обратно
Но как бы то ни было, вопрос в силе.

Roberto
Работа на пониженной частоте не всегда позволяет применять низкие тайминги. Повышение напр, в твоём случае ничего не даст. Попробуй подобрать подходящие тайминги по одному. Для начала сделай RAS-to-CAS=3.

Roberto это зависит от случая, планка планке рознь.

Дата производства, маркировка, место производства - это все влияет на разгон

Roberto
У моего друга тож Samsung DDR333 512 метров, только у него одна планка на 512 мег. Так у него на мин. таймингах не пашет, синий екран появляется еще до загрузки винды. Если замедлить до ДДР266, то мин. тайминги пашут токо так. То что у тебя опра не тянет мин. тайминги- нормальное явление.

для каждой памяти существуют удобные/неудобные соотношения частоты и таймингов у меня (см профиль)
JatRam PC-2100 на 225MHz c CL3 не стартует а на CL2 пахает хоть бы хны

Vandal
Cтранно. Понимаю у меня с CL3 1,5 не пашет. С CL3 - все ОК.

и я говорю странно
хотел больше 225 по шине с CL3 тк прирост тактовой чистоты памяти даёт эффект больше чем уменьшение таймингов в задачах
по зажатию DVD->MPEG а это мне важно
но блин не пахает даже VMem до 2,9 задирал

autic
>>Для начала сделай RAS-to-CAS=3.
Сейчас уже сделано. Пока ято пробовал подбирать оптимальный вариант по таймингам. Щас стоит 2.5-3-3-6. Работает стабильно, но надо бы еще пониже значения. Я, конечно, понимаю, что лучший разгон по частоте, но хотелось бы утрясти этот вопрос.

XKR
>>То что у тебя опра не тянет мин. тайминги- нормальное явление.
Вот именно, можно ли как-нибудь заставить ее тянуть их?