Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;
Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет? Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.
В конференции запрещается:
3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.
Последний раз редактировалось Overclock[er] 14.04.2012 19:56, всего редактировалось 3 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.04.2011 Откуда: ЦФО Фото: 0
Кто-нибудь знает, как влияет число модулей одинаковой памяти на разгон на платформе 1155? У меня сейчас 2 планки Самсунга и 2 планки Кинггстона по 4 Гб. По отдельности первая работает на 2133, вторая на 1866. Все вместе, понятно, на 1866. Если заменить Кингстон на идентичный Самсунг, то будет ли 2133 для 4 модулей?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.09.2007 Откуда: Барнаул Фото: 2
Бюджетный Хайникс 2010г. HMT351U6BFR8C-H9 на болотном текстолите 4х4гб ддр3-1333 1,5В, разгоняется на любых мамках ам3+(с булями)/fm1/1156/1155 что удивительно, абсолютно одинаково: 1333МГц 7-8-7-22-2Т 1,5В 1600МГц 8-9-8-25-2Т 1,6В 1866МГц 9-10-9-27-2Т 1,6В 2133МГц 10-12-10-30-2Т 1,65В Если оставить всего 2 плашки, то нормально работает с CR=1Т и на 50-100мВ меньшем напряжении. По причине хорошего потенциала, не меняю уже 1,5года, но уже подумываю о самсунге CH0/9, позволяют меньшие тайминги и напряжения на тех же частотах. Впрочем выше 1866мгц мне пока не нужны, на слабом проце 2500К практически нигде нет прироста.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.07.2010 Откуда: VRN
wertmur думаю в матери, тестил по отдельности плашки памяти, так вот каждая из них по отдельности находясь в ближнем к процу разъёме берёт 2133мгц 9-10-11-17 при 1,45в! но в 3 от проца разъёме - хоть убей, валяться ошибки что в прайме, что в linx на любой напруге с любыми таймингами.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.10.2006 Откуда: Питер Фото: 132
Alexander from VRN писал(а):
хотя в мануале вроде написано не ставить во 2 и 4, если 2 планки
На AM3 при установке в дальние от процессора слоты память лучше гналась. На профильной 1155й ставил в ближние и дальние - разницы не заметил, оставил в дальних слотах, хотя по мануалу тоже надо ставить в ближние...
Alexander from VRN писал(а):
да, на 2133 не заводится, на 1866 норм.
Странно... CR 2T и/или поднять Trfc пробовал?
_________________ Я добрый, поэтому я снимаю скальпы только с процессоров.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.01.2006 Откуда: Москва
DDR3 2*4Gb PC3-10600 1333MHz DIMM Samsung, Original DH0-CH9 10-10-10-30-2T 2133Mhz 1.65v Это первые настройки которые пришли на ум после покупки и установки в комп. Стабильно 20 проходов LinX (вся память), Memtest86+ (4.20), Prime95 (x64 Blend). Чуть позже попробую подогнать минимальные тайминги. MB - Asus P67Deluxe (rev1) bios 7702 (hwbot.org) CPU - i7-2600K
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 15.12.2009
НА AMD достаточно 1.5v, в биос стоит еще меньше 1.4875v с учетом накрутки мат. платы. AMD FX-8120 4.6Ghz G.Skill RipjawsX F3-14900CL9D-8GBXL 8Гб DDR3-2145 10-11-10-29-1T #77
_________________ AMD FX-8350/4.6Ghz, ASUS Crosshair V Formula-Z, G.Skill TridentX 16Гб DDR3-2400, MSI R9 290X GAMING 4G, БП 1200W Antec True Power Quattro
Asus p8z68-v lx/i5 2500k 4.5Ghz, 1.36V Samsung 2x4 1333 стоят в Single Channel 3 и 4 слот. Облазил много тем, так и не понял. Для разгона требуется выставить тайминги, выставить частоту(1333-2400), работать с напряжением, можете посоветовать, как не поднимая напряжения достичь записи/чтения ~20Mbit? 1.5V, 2133 частота 10 10 10 28 тайминг, скорость чтения/записи 16Mb Или можно сильно на этом не заморачиваться?
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения