Большая просьба: оставляя свои результаты здесь, постите по шаблону например:



Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;

Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет?
Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.


В конференции запрещается:

3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.

Ага, значит дело не в памяти, а в чипсете?

Объясните в чем разница между CR1 и CR2? У меня в биосе можно еще выбрать 3N.
На авто стояло CR1, поменял на CR2 разницы не заметил, тайминги ниже не берет...
Что лучше?

Энтузиасты, на каких вторых-третьих таймингах 4-гиговых планок (SB) был замечен прирост производительности при их ужатии?

Сейчас 4x 4GB Samsung DDR3 PC3-12800, M378B5273DH0-CK0(H), 11-11-11-28, 1.5v, чипы SEC стабильны на:
9-10-10-14-1T, 2140МHz, 1.55v
Вторые тайминги: 4-107-A(8320)-8-4-16-4-A(6)-A(8)-A(37)-A(38)
Третьи на авто.

ADDD

На этих.Так как когда они на Auto плата сам ставит тайминги...при этом доволно высокие.

Это я в курсе. Вопрос в том, что я в насторойке подошел к тому моменту, когда каждое ужатие надо тщательно проверять. Соответственно, хочется сконцентрироваться на наиболее эффективных для производительности таймингах. По опыту помню, что из вторых это tRRD, tRTW... Про третьи пока не в курсе.
Поэтому интересна информация от других оверов об их находках на аналогичной системе.

ADDD
Первый тайминг - это (CL)
Второй - это (tRCD)
Третьий - это (tRP)
Четвертый - это (tRAS)
Скорость заметна (хоть и не значительно), при смене "первого и четвертого" тайминга.

Да ну?
Скрин "заметного" изменения скорости при снижении tRAS (пусть даже с 40 до 20) будет?
По моему опыту разница на DDR3 в пределах погрешности.
Только значительное (минимум на 2 единицы) изменение CL + tRCD дает хоть как-то заметный (в синтетике) прирост.
Вот на DDR1 с athlon64 разница между CL 2 и CL 2.5 была хорошо видна...

#77
Samsung M378B5273DH0-CH9 2x4096mb @ 2133 9-10-10-15 1T @ 1.5v выпущены на 5й неделе 2012 года. Где текущие субтайминги в аиде посмотреть?

Системная плата =>чипсет. Но конечно не все.

Ребята что лучше 1600 8-8-8 или 2000 9-11-10-24?

rpk81

На мой взгляд: 2000MHz 9-11-10-24

#77
DIMM DDR3, 8ГБ (2x4ГБ), G.SKILL Ripjaws X Series, F3-17000CL11D-8GBXL 2133Mhz 11-11-11-30-CR1 1.5v/2333 11-12-11-31-CR1 1.6v

2 x 1333MHz Kingston (KVR1333D3N9/2G) 1.6v
Мемтест86+ пройден без ошибок.Дальше имеет смысл гнать?И как результат на ваш взгляд?
#77

Hocok13

Отличный результат! Кстати тайминги еще пробывали занижать? Может стабильно будет работать...

Overclock[er]
На 8-8-8-22 в мемтесте выскочила ошибка.С 8-9-8-22 двойной прогон ничего не показал
#77

доброго времени суток у меня такой вопрос озу patriot viper extreme division 2 PC3-17000 (2133MHz) тайминги 11-11-11-30-3т при 1,65в можно ли как то изменить тайминги хотябы до 9-9-9-24-1 чтоб система работала стабильно при её частоте 2133?


и вообще как эти тайминги 11-11-11-30 -3т влияют на производительность в играх (Battlefield 3) извините если вопрос не уместен просто ни когда не разгонял память))) заранее спасибо

moooveНа твоей конфигурации - тайминги не критичны, Санди главное частота, разницы между 11-11-11-30 и допустим 9-9-9-24 не засечешь в играх.

Память
2х4Gb Hynix DDR3 1333mhz (синий текстолит)

Разогнал до 1600мгц, 9-9-9-24, CR1 - 1.75B.

Вопрос такой. Жить они будут, если в таком режиме эксплуатировать 24\7 ?

Индульгатор
Будут, только напряжение желательно пониже поставить на постоянку (1.65-1.7V).

#77
Samsung SEC dho