Большая просьба: оставляя свои результаты здесь, постите по шаблону например:



Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;

Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет?
Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.


В конференции запрещается:

3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.

astrophysicist, второй.
А как проявляется проблема при CR1?

Ошибки в тестах (((

Добавлено спустя 2 минуты 14 секунд:

Почему второй вариант лучше?

Кстати прогнал прайм подольше и вылетела ошибка всё-же и на втором варианте! Пришлось поднимать напругу.
Короче получается, что стабильны оба варианта при одном напряжении, что позволяет сделать странный вывод
9-10-10-24-CR2 и 9-10-10-28-CR2 стабильны при одном напряжении и от четвертого тайминга не зависит по сути разгон. Как же всё-таки его оставить 24 или 28. Вроде меньше лучше, но у всех на форуме фигурирует цифра 28 почему то может это так специально надо зачем-то???
Поясните стоит ли использовать 9-10-10-24 или почему-то всё таки лучше 9-10-10-28 ???

Если часика полтора TestMem5 на всю память проходит на 24, то почему нет.
Напряжение при CL9 ниже 1,55 вряд ли добьешься на 16GB.

Кхе, кхм... Не у всех. Вот моя статистика: 4x2ГБ Samsung 1333Мгц (DH0)- 2133Мгц при 9-10-10-15 1t v1.5 Мемтест 4.2+ 21 час, 18 проходов ошибок нет.
#77

мне бы столько удачи)
у меня хуникс, который по обзору очень крутой, но мне видать не фартит)
максимум что смог 2133 10-12-12-30 1т 1.65в.( 4х4гб

GooDween так то 4х4гб, а у Lambert в 2 раза меньше. Тебе очень даже фортит, 2133 на хороших таймингах да 4 плашки вместе. вынь 2 плахи - у тебя тоже погонится на сл10.

получилось. 9-8-8-22 cr1 чипы ELPIDA
#77

AlienZSS
Еще лучше стало.Кстати при 9-8-8-22 CR-1, память стабильна себя ведет? Можете протестировать с помощью http://www.softportal.com/get-4914-memtest.html

да стабильно. без ошибок. сейчас тайминги такие 9-8-8-20 cr1. латентность стала 43,5

У Вас, я смотрю, тоже 770 чип. Ваши тайминги в Авто стоят или ручками ставили ? Множитель на память какой ? (если таковой имеетцца)

Сам выставлял.

У меня плата не позволяет менять множитель памяти.Разгон памяти осуществляется за счет поднятия частоты шины процессора.Ну и так находится "золотая середина".

в процессе разгона добрался до подбора таймингов и частоты памяти,
вот что имеем :
4х4 / Samsung 1333 / 50неделя_2011 / M378B5273DH0-CH9 / 9-9-9-24@1333 China
поднимаем до 1.55v. и 1866@10-10-10-25
из Win7 проверяем через mdsched.exe http://www.pc-user.ru/files/2011/20110327/memtest/3.jpg тест нормально проходит, идём дальше :
Memtest 86... вылетает в reboot через 3-5 минут от старта...
(тайминги вокруг дефолтных вроде пробовал, напр. на 1.6 не вижу смысла, т.к у всех на samsunge DH0 при 1.5-1.55 берет @1800-2133
- в асусе совместили вторичные настройки с главными... чего-то не могу сориентироваться что не так ....что как подправить ? а ?
(скрин из биос, на картинке дефолтное всё , кроме 1866 и 1.580v)
http://s2.hostingkartinok.com/uploads/i ... 0c8889.png
пока оставил около-дефолтные, сижу жду советов,
тупо перебор таймингов и статистика не помогает..
читал это...
http://forums.overclockers.ru/search.php?st=0&sk=t&sd=d&sr=posts&keywords=samsung&t=252134&sf=msgonly&ch=-1
в статистике у всех подряд 2133 берет... мне и 1866 хватит....
но тяжелые проги вылетают на Рабочий Стол через час-полчаса без синьки. и MemTest вылетает в reboot/ это на попытках подобрать питание-тайминги.
но на дефолте всё нормально...

p.s.
и ещё у некоторых в скринах статистики отражено CR1 , а где в каком параметре меняется CR1 и СR2 ?

Добавлено спустя 40 минут 26 секунд:
а может ли MemTest вылетать по причине того что записан в составе HirensBoot CD ?
ну например по причине сбоя какого-нибудь сектора на болванке, и т.п...
(а например тяжелые проги валятся изредка по своим причинам ? (ну бывало у них такое и на старой платформе)...
(прописал только что MemTest на флэшку и запустил 4х4 с дефолтными параметрами... тестится, не рушится,
тьфу-тьфу в тесте полёт с флэшки пока нормальный...)

Leo_99


Разгон с использованием четырых планок памяти будут хуже, чем например с двумя.Так-что если при тестирований вылетает ребут, то пробуйте увеличить чуть напряжение или поднимайте по немногу тайминги и тестируйте.


Это Command Rate.Меняется он в биосе системной платы.

у моего биос есть пункт <DRAM COMMMAND Mode> с выбором : Auto<1<2<3

это оно и есть ? (сейчас стоит Auto) в Аиде показывает CR2.
а что лучше выставить ?

(похоже MemTest вылетал из-за того что был записан на болванке, кто бы мог подумать,
что он к ней обращается и после запуска...)
уже вроде бы нормально (пока не вылетает) тестится 1866@10-10-10-25/ =1,5v.

Leo_99 Оно самое.

вобщем, эти DH0-планки взяли 9-9-9-24@1866 =1.55v.
дальше понижать напряжение или тайминг не пробовал,
также повышать частоту, наверное можно, смысла просто нет в приросте кпд...

Leo_99

Отличный результат! Оставьте так, как есть.

Взял себе самый простой hynix 1600, 2х2гб. Пошла на 11-14-14-38@2197, либо 11-11-11-28@1923. Шина 103. С вольтажём точно пока не определился, ещё тестирую. Но он в пределах 1.62-1.65. Скорее всего работает и 1.62, но надо повнимательнее потестировать ещё. Посоветуйте какой из двух вариантов будет предпочтительнее?

nextgen24
У первого варианта из-за более высокой частоты, увеличиться скорость записи, чтения, копирования.Так сказать чем выше частота, тем выше пропускная способность.Но так-как выше тайминги, увеличится латентность (задержки).
У второго варианта из-за более низкой частоты чуть уменьшится скорость записи, чтения, копирования, НО и чуть уменьшутся задержки, что впринципе к лучшему.
Какой вариант оставить - выбирать вам.