Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;
Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет? Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.
В конференции запрещается:
3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.
Последний раз редактировалось Overclock[er] 14.04.2012 19:56, всего редактировалось 3 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.01.2016 Фото: 0
Обзавелся новой платформой на 1150, память старая Crucial Ballistix Tactical LP BLT2K8G3D1608ET3LX0 2х8 Гб. Новая мать автоматом выставила для 2400 МГц 11-13-13-35 CR2 на 1.65 В. Позже попробую еще помучать, но уже результат считаю весьма неплохим.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.12.2015 Откуда: Москва Фото: 50
Slav9n Зачем? У вас очень хорошие результаты. Можно, конечно, попробовать 11-12-12-32 или 33, но прироста большого не увидите, а стабильность может снизиться.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.06.2013 Откуда: Правобережна UA
Bomchik писал(а):
Samsung m378b5273ch0-ch9 одна плашка 4Гб. 2133 11-12-11-27-107-1Т, 1.6В(1.580В по факту). Хз...нормальный результат или нет. Но дальше не гоню.
#77
Поменял эту плашу на две плашки HMT351U6CFR8C-H9. За 20 минут выяснил, что эта память может то же самое, но уже в дуал режиме. Думаю хороший результат. Если есть какие-то советы, то с радостью выслушаю.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.06.2013 Откуда: Правобережна UA
Overclock[er] писал(а):
Тайминги, тайминги и еще раз тайминги
А что касательно tRFC тайминга? Я ставил 85, 107 и разницы не увидел. Подскажите касательно него. UPD. Догнал тайминги до 10-12-10-24-96. Не увидел абсолютно никакой разницы в показателях. Только задержка с 48 до 46нс упала.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.06.2013 Откуда: Правобережна UA
В целом остановился на 2133 частоте, таймингах 11-12-11-24-96-1Т и вольтаже 1,585В. Особого смысла дальше гнать не вижу, по скольку не фанат экстримального разгона. Память Hynix HMT351U6CFR8C-H9.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.02.2009 Откуда: Москвобад
Скажите если память может 2400, а поднять удаётся только до 1680, значит ли это что разгон упирается в проц и тайминги с поднятием напряжения не помогут?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.01.2016 Фото: 0
motorocker1977 У i7 960 контроллер памяти не сможет работать с памятью на такой частоте (если про него речь). У меня был i5-2500k, память выше 2133 нельзя было поставить, а на 4790к уже 2400+
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.02.2009 Откуда: Москвобад
Ну я так вобщем и понял. И у меня поэтому такой вопрос, если уменьшить напряжение на памяти, можно ли её использовать временно, как замену DDR4, или лучше вообще не рисковать.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.02.2009 Откуда: Москвобад
Цитата:
Что вы имеете ввиду?
Хочу обновить связку мамка+проц, уйти на LGA 1151, а там требуется ddr3L или ddr4, вот думаю если уменьшить напряжение на памяти, может она временно поработать, или не рисковать процессором?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.12.2015 Откуда: Москва Фото: 50
motorocker1977 Честно говоря, мне нигде не встречались однозначно отрицательные ответы, что нельзя DDR3 ставить вместо DDR3L. Ведь напряжение 1,35 или 1,5 подается не на КП, а на модули памяти. Вопрос в том, какое напряжение каждый вид модулей памяти подает на КП. Для КП процессоров работающих только с DDR3 безопасное напряжение от 0,85 до 1,25 В. Насколько я знаю, КП процессоров под DDR4/DDR3L работают под таким же диапазоном напряжений. DDR3, конечно, шустрее, чем DDR4 на той же частоте.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.12.2015 Откуда: Москва Фото: 50
motorocker1977 КП - Контроллер памяти. До чипсетов X58 и P55 он находился в северном мосту, а, начиная с них и выше, "переехал" в процессор. Обеспечивает связь процессора с оперативной памятью. Напряжение на него может подаваться платой автоматически, выставляться вручную или из XMP-профиля модулей памяти.
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 02.04.2010 Откуда: Самара
ребят, чем лучше тестить память на разгон? есть две планки по 8gb (amd+kingston) по заводу 1600mhz cl11 1.5v
чем быстрее и вернее потестить на стабильность в разгоне? и на сколько нужно помогает поднимать напругу на памяти? и какая безопасная напруга? 1.65v не много?
спасибо
_________________ в процессе дербана профильного компутера [топжир mini itx] в процессе поиска игрового ноутбука [qhd intel 12gen ddr5 3070 3080]
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.06.2013 Откуда: Правобережна UA
Ребята, подскажите. У меня вот есть две плашки Hynix HMT351U6CFR8C-H9. Есть башня(True Spirit 120M), которая близко к памяти и дает небольшой поток воздуха возле плашек. Вопрос: до скольких можно поднимать напряжение на плашку, что бы не переживать за перегрев? До этого работали плашки на 2133 и при 1,585В, но хочу попробовать 2400, но не знаю что там по поводу вольтажа и перегрева(плашки без радиаторов). Подскажите, посоветуйте.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 5
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения