Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;
Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет? Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.
В конференции запрещается:
3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.
Последний раз редактировалось Overclock[er] 14.04.2012 19:56, всего редактировалось 3 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.08.2018 Фото: 6
MarsOn писал(а):
Навряд ли из за "разгона", скорее планка уже была полумертвая.
Может и так, надеюсь получится выиграть спор и вернуть деньги, потом закажу еще одну такую же, как раз подешевела на 200р. Но разгонять озу из китая больше не буду
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.12.2013 Откуда: СПБ Фото: 36
WalterWhite писал(а):
[Но разгонять озу из китая больше не буду
у меня весь комп из Китая, это на разгон никак не влияет =))) кстати самсе не нужно 1.65v моя память на стоковом питании 1.6v.. меньше не пробовал.. может и можно ещё опустить, но не вижу смысла...
На скрине, тайминги которые более эффективны, 10-12-11-33 тоже стартует, но скорости на 200-300 едениц ниже и задержка на две единицы выше стабильно, не погрешность, тестов 10 делалось. вольтаж 1.65.
мои тоже не хотели пока я все тайминги не перебрал руками... всего 1 вторичный тайминг влиял на запуск на 2400.
только 4 тайминга крутил, они ни в какую не дают запустить как бы не крутил. Первый тайминг либо 4-9 либо 15, в других же случаях 10-14 комп просто тухнет, а не перегружается.
Тайминги памяти CAS Latency (CL) 11T RAS To CAS Delay (tRCD) 12T RAS Precharge (tRP) 12T RAS Active Time (tRAS) 31T Row Refresh Cycle Time (tRFC) 193T Command Rate (CR) 2T RAS To RAS Delay (tRRD) 7T Write Recovery Time (tWR) 16T Read To Read Delay (tRTR) Same Rank: 4T, Different Rank: 1T, Different DIMM: 3T Read To Write Delay (tRTW) Same Rank: 4T, Different Rank: 4T, Different DIMM: 4T Write To Read Delay (tWTR) 10T, Different Rank: 1T, Different DIMM: 1T Write To Write Delay (tWTW) Same Rank: 4T, Different Rank: 3T, Different DIMM: 3T Read To Precharge Delay (tRTP) 10T Four Activate Window Delay (tFAW) 28T Write CAS Latency (tWCL) 7T CKE Min. Pulse Width (tCKE) 6T Refresh Period (tREF) 9360T Round Trip Latency (tRTL) DIMM1: 45T, DIMM2: 45T, DIMM4: 46T I/O Latency (tIOL) DIMM1: 4T, DIMM2: 3T Burst Length (BL) 8
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
Gumko А зачем? Но попробовать можно: 11-13-13-38-2@1,75V, на SA/IO (что есть, короче - 1,3В), на проц - увеличить на 2 степа напругу. Если нет, то 12-13 или 12-14
Камрады, кто гнал память на сайбертусе х79? Поднимаю до 2100-2400 и ловлю дикие просадки. Падение чтения/копирования/записи по сравнению с дефолтными 1600 - почти в полтора раза. Проц: 1650в2. Память: ХайперХ (KHX1600c10d3) 4 штуки (два по два).
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 5
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения